チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 29 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
パッケージタイプ = TO-220FP
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 37 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V
長さ = 10.63mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減
