チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 18 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V
最大パワー消費 = 6 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 4mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
