チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 3 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SOT-223
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 2.1 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V
幅 = 3.5mm
高さ = 1.57mm
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V
