チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 3.1 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V パッケージタイプ = SOIC 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2.4 W トランジスタ構成 = 絶縁型 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V 長さ = 5mm 動作温度 Min = -55 ℃mm デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor