onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 10 A 表面実装 パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピン

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 10 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
シリーズ = PowerTrench
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2.4 W， 900 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 2mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor