チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 560 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V
最大パワー消費 = 690 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
長さ = 3.04mm
高さ = 1.01mm
NチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor
