Infineon Pチャンネル MOSFET250 V 430 mA 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン

Name: Infineon Pチャンネル MOSFET250 V 430 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン 1袋(10個) BSP317PH6327XTSA1
Brand: INFINEON
SKU: 83843675
Price: 1044 JPY
Availability: InStock

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内容量1袋(10個) 注文コード83843675 品番BSP317PH6327XTSA1

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥1,044

販売価格(税別)

￥949

Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応

仕様

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 430 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V
シリーズ = SIPMOSR
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 1.8 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
トランジスタ素材 = Simm
動作温度 Min = -55 ℃mm

RoHS指令(10物質対応)対応