Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 4.9 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

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内容量1袋(20個) 注文コード83845337 品番IRF7316TRPBF
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥3,078
販売価格(税別)
2,798

PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様
チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 4.9 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 98 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
幅 = 4mm
高さ = 1.5mm
RoHS指令(10物質対応)対応

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