Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 2.8 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン

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内容量1袋(25個) 注文コード83846579 品番IRLL014NTRPBF
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥2,528
販売価格(税別)
2,298

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 2.8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2.1 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V
長さ = 6.7mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応

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