Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 270 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 270 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.8 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 380 W
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
動作温度 Max = +175 ℃
高さ = 9.65mm