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IRF5210STRLPBF Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン INFINEON 1袋(5個) IRF5210STRLPBF 83848995

Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

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内容量1袋(5個) 注文コード83848995 品番IRF5210STRLPBF

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込) ￥2,858

販売価格(税別)

￥2,598

PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 38 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 170 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm
動作温度 Min = -55 ℃mm

RoHS指令(10物質対応)対応

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