絞り込み
ブランド
- INFINEON
- モノタロウ(5,935)
- SMC(222,467)
- MAZDA(マツダ)(217,467)
- 三菱ふそう(209,638)
- ホンダ(185,780)
- トヨタ(140,663)
- ミツビシ(138,260)
- YAMAHA(ヤマハ)(92,369)
- ニッサン(88,458)
- エスコ(81,799)
- オカムラ(岡村製作所)(76,186)
- スズキ(69,220)
- BIGM(丸山製作所)(66,201)
- スバル(61,968)
- 日野自動車(47,273)
- piaggio(ピアッジオグループ)(45,363)
- Kawasaki(43,335)
- いすゞ自動車(43,278)
- BMW(40,323)
- RS PRO(38,522)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
- 工具の通販モノタロウ
- INFINEON
- 11ページ目
11ページ目:
Infineon， PLLクロック発生器， 16-Pin TSSOPINFINEON￥199,800税込￥219,780
1セット(96個)
5日以内出荷
仕様ロジックタイプ = クロック ドライバクロック入力数 = 1パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 16RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon マイコン CY8C52LP， 68-Pin QFN CY8C5268LTI-LP030INFINEON￥369,800税込￥406,780
1セット(260個)
5日以内出荷
Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲
仕様ファミリー名 = CY8C52LPパッケージタイプ = QFN実装タイプ = 表面実装ピン数 = 68デバイスコア = ARM Cortex M3データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 256 kB最大周波数 = 80MHzRAMサイズ = 64 kBUSBチャンネル = 1SPIチャンネル数 = 1UARTチャンネル数 = 1高さ = 0.95mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 電圧レギュレータ リニア電圧 16 V， 5-Pin， TLE4285GHTSA1INFINEON￥279,800税込￥307,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様出力電流 Max = 10mA出力電圧 = 16 Vラインレギュレーション = 5 mV精度 = 4%パッケージタイプ = PG-SCT-595-5ピン数 = 5RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon コントローラ USB 2.0 CY7C65211-24LTXIINFINEON￥159,800税込￥175,780
1セット(490個)
5日以内出荷
仕様データレート = 3Mbpsインターフェース = コントローラIC電源タイプ = 単一電源ESD保護 = あり標準シングル供給電圧 = 5.5 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = QFNピン数 = 24RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 電源スイッチICINFINEON￥379,800税込￥417,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護
仕様電源スイッチトポロジ = ハイサイドオン抵抗 = 380mΩ動作供給電圧 Max = 52 V出力数 = 1A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DSOピン数 = 8動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 5 x 4 x 1.45mmPROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， PINダイオード ， シングルINFINEON￥21,980税込￥24,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングルアプリケーション = スイッチ最大順方向電流 = 130mA最大逆電圧 = 4VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon コントローラ USB 2.0 CY7C65631-56LTXCINFINEON￥259,800税込￥285,780
1セット(260個)
5日以内出荷
仕様インターフェース = コントローラIC電源タイプ = 単一電源ESD保護 = あり標準シングル供給電圧 = 3.45 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = QFNピン数 = 56RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 静電容量型タッチセンサ， 静電容量， 300mm 表面実装 CY8CMBR3110-SX2IINFINEON￥12,980税込￥14,278
1セット(48個)
5日以内出荷
CapSenseRタッチコントローラ、Cypress Semiconductor. Cypress Semiconductorプログラマブルシステムオンチップ(PSoCR)製品シリーズは、アナログサブシステムと静電容量式検出ハードウェアを内蔵しています。これらの設定可能なデバイスには、オンボードMCUが搭載されており、主に静電容量式タッチスクリーンの用途を対象としています。
仕様センサータイプ = キャパシティーブ最大スイッチング周波数 = 400 MHz (クロック)出力電流 Max = -1 (High Level) mA， 10 (Low Level) mA出力電圧 Max = 0.6 V (低レベル)センシング距離 = 300mmスイッチングモード = アナログ出力タイプ = PWM実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16最大供給電流 = 140 mA寸法 = 9.98 x 3.98 x 1.48mm高さ = 1.48mm長さ = 9.98mm幅 = 3.98mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon CLOCKS CY2305SXI-1HINFINEON￥579税込￥637
1個
5日以内出荷
仕様最大供給電流 = 32 mA最大入力周波数 = 133MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon CY2304NZZXI-1INFINEON￥10,980税込￥12,078
1個
5日以内出荷
仕様1チップ当たりのエレメント数 = 1最大供給電流 = 25 mA最大入力周波数 = 140MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon CLOCKS CY2305SXI-1INFINEON￥379税込￥417
1個
5日以内出荷
仕様最大供給電流 = 32 mA最大入力周波数 = 133MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 660 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンINFINEON￥68,980税込￥75,878
1セット(1000個)
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR NチャンネルMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 660 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.8 Ωチャンネルモード = デプレッション型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1.6mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 50 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥2,198税込￥2,418
1袋(5個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 7 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥2,198税込￥2,418
1袋(20個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 225 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 34 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 6.35mm動作温度 Min -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 57 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(2個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 360 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -40 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET120 V 120 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンINFINEON￥18,980税込￥20,878
1セット(50個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 4.1 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.57mm高さ 15.95mmRoHS指令(10物質対応)対応
Cypress Semiconductor， CY62136FV30LL-45ZINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(5個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128k x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 25 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥519税込￥571
1袋(2個)
7日以内出荷
デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 73 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 14 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.67mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥469税込￥516
1袋(2個)
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(20個)
当日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.9 A、6.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンINFINEON￥3,298税込￥3,628
1袋(20個)
7日以内出荷
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.9 A、6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 46 mΩ， 98 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 2mm高さ = 1.5mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 57 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥6,798税込￥7,478
1セット(25個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 137 A 表面実装 パッケージPG - TO 252-3INFINEON￥529税込￥582
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 137 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = PG - TO 252-3実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 59 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥559税込￥615
1袋(2個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 59 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 82 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 134 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥1,398税込￥1,538
1袋(2個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 134 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 280 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 120 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 130 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥819税込￥901
1個
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 130 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 520 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 161 nC @ 10 Vmm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 43 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥9,998税込￥10,998
1セット(50個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 43 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 137 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンINFINEON￥9,998税込￥10,998
1セット(50個)
7日以内出荷
Infineon の 100V OptiMOS パワー MOSFET は、高効率、高電力密度 SMPS の優れたソリューションを提供します。次善の技術と比較してこのファミリは、 R DS ( on )と FOM (性能指数)の両方が 30 % 低くなっています。優れたスイッチング性能：世界最低クラスの R DS ( on ) 超低Q g / Q gd 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) RoHS 準拠 - ハロゲンフリー MSL1 等級 2
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 137 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 MO最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピンINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ TDSON実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 8.6 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 156 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 1.2VInfineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 124 A スルーホール パッケージダイレクトFET大型キャンINFINEON￥499税込￥549
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 124 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = ダイレクトFET大型キャン実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 72 A スルーホール パッケージTO-220AB FP 3 ピンINFINEON￥18,980税込￥20,878
1セット(50個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 72 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 61 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 16.13mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A 表面実装 パッケージTSOP-6 6 ピンINFINEON￥2,698税込￥2,968
1袋(50個)
7日以内出荷
Infineon の OptimOS P3 + OptiMOS 2 MOSFET は、同じパッケージに収められた N チャンネル及び P チャンネルパワー MOSFET です。発電(太陽光発電マイクロインバータなど)、電源(サーバーや通信など)、消費電力(電気自動車など)の高効率ソリューションです。アバランシェ定格です100 % 鉛フリーで RoHS に適合しています
仕様チャンネルタイプ N， P最大連続ドレイン電流 2.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 0.057 Ω最大ゲートしきい値電圧 2V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 3 A、4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンINFINEON￥189,800税込￥208,780
1セット(4000個)
7日以内出荷
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon。InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N， P、最大連続ドレイン電流 = 3 A、4 A、最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V、シリーズ = HEXFET、実装タイプ = 表面実装、ピン数 = 8、最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ， 160 mΩ、チャンネルモード = エンハンスメント型、最大ゲートしきい値電圧 = 1V、最低ゲートしきい値電圧 = 1V、最大パワー消費 = 1.4 W、トランジスタ構成 = 絶縁型、最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V、動作温度 Max = +150 ℃mm、高さ = 1.5mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 25 A スルーホール パッケージTO-220ABINFINEON￥8,298税込￥9,128
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBT 600 V 45 A， 3-Pin TO-247 シングルINFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(2個)
7日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 45 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 187 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.13 x 5.21 x 21.1mm動作温度 Min = -40 ℃pFRoHS指令(10物質対応)対応