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Infineon TLF1963TE シリーズは、 PG-TO252-5 SMD パッケージで提供される低ドロップアウト電圧レギュレータです。このデバイスは、最大 1.5 A の負荷を供給できますTLF1963 は、複数の供給電圧を必要とするシステムに最適なソリューションを提供します。この調整機能により、レギュレータは、 1.21 V →利用可能な入力電圧のすべての供給電圧を供給できるため、システム設計者に高い柔軟性を提供できます。ワイド入力電圧範囲 出力セラミックキャップをサポート 環境配慮製品 RoHS対応 AEC認定
仕様レギュレータ機能 = 規格出力電流 Max = 1.5A出力数 = 1ラインレギュレーション = 3 mVロードレギュレーション = 12 mV%パッケージタイプ = TO-252ピン数 = 3出力タイプ = 可変 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,898 税込2,088
7日以内出荷

Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲
仕様ファミリー名 = CY8C58LPパッケージタイプ = QFN実装タイプ = 表面実装ピン数 = 68デバイスコア = ARM Cortex-M3データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 256 kB最大周波数 = 67MHzRAMサイズ = 64 kBUSBチャンネル = 1I2Cチャンネル数 = 1高さ = 0.95mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(260個)
849,800 税込934,780
5日以内出荷

仕様アンプタイプ = オーディオ出力タイプ = モノリシック最大電力 = 500W実装タイプ = 表面実装電源タイプ = 単一電源回路数 = 1パッケージタイプ = SOICピン数 = 16入力信号タイプ = シングル出力信号タイプ = シングル動作温度 Min = -40 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
669,800 税込736,780
7日以内出荷

仕様インターフェース = コントローラIC電源タイプ = 単一電源ESD保護 = あり標準シングル供給電圧 = 5 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = QFNピン数 = 28 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(490個)
129,800 税込142,780
5日以内出荷

1セット(50個)
12,980 税込14,278
7日以内出荷

仕様最大データレート = 0.02Mbpsトランシーバ数 = 1インターフェース = インターフェイス ICパワーダウンモード = スリープパッケージタイプ = PG-DSO-8ピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(15個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

CYUSBS232 USB-UART LPリファレンスデザインキット、Cypress Semiconductor. USB-UART LPブリッジコントローラは、単一のUSB - UARTインターフェイスチャンネルを提供し、スタンバイモードでの低電力消費を特長としています。CY7C65213コントローラは、バッテリ充電検出ロジックを内蔵しています。このコントローラは、入力 / 出力用に最大8ピンを備えます。USBシリアルソフトウェア開発キット(SDK)はcypress.comで入手できます。USB-IFバッテリ充電仕様バージョン1.2に準拠 CY7C65213 USB-UART LPブリッジコントローラを備えたUSB接続アプリケーションに最適. キットの内容. CYUSBS232開発ボード クイックスタートガイド USBタイプA - Micro-Bケーブル ジャンパワイヤ CY7C65213 USB-UART LPブリッジコントローラのサンプル
仕様キットの分類 = リファレンスデザイン RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,798 税込4,178
5日以内出荷

仕様ロジックタイプ = クロック ドライバクロック入力数 = 1パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 16 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(96個)
199,800 税込219,780
5日以内出荷

Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲
仕様ファミリー名 = CY8C52LPパッケージタイプ = QFN実装タイプ = 表面実装ピン数 = 68デバイスコア = ARM Cortex M3データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 256 kB最大周波数 = 80MHzRAMサイズ = 64 kBUSBチャンネル = 1SPIチャンネル数 = 1UARTチャンネル数 = 1高さ = 0.95mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(260個)
369,800 税込406,780
5日以内出荷

仕様出力電流 Max = 10mA出力電圧 = 16 Vラインレギュレーション = 5 mV精度 = 4%パッケージタイプ = PG-SCT-595-5ピン数 = 5 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
269,800 税込296,780
7日以内出荷

仕様データレート = 3Mbpsインターフェース = コントローラIC電源タイプ = 単一電源ESD保護 = あり標準シングル供給電圧 = 5.5 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = QFNピン数 = 24 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(490個)
159,800 税込175,780
5日以内出荷

PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護
仕様電源スイッチトポロジ = ハイサイドオン抵抗 = 380mΩ動作供給電圧 Max = 52 V出力数 = 1A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DSOピン数 = 8動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 5 x 4 x 1.45mmPROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
379,800 税込417,780
7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングルアプリケーション = スイッチ最大順方向電流 = 130mA最大逆電圧 = 4V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
21,980 税込24,178
7日以内出荷

仕様インターフェース = コントローラIC電源タイプ = 単一電源ESD保護 = あり標準シングル供給電圧 = 3.45 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = QFNピン数 = 56 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(260個)
259,800 税込285,780
5日以内出荷

CapSenseRタッチコントローラ、Cypress Semiconductor. Cypress Semiconductorプログラマブルシステムオンチップ(PSoCR)製品シリーズは、アナログサブシステムと静電容量式検出ハードウェアを内蔵しています。これらの設定可能なデバイスには、オンボードMCUが搭載されており、主に静電容量式タッチスクリーンの用途を対象としています。
仕様センサータイプ = キャパシティーブ最大スイッチング周波数 = 400 MHz (クロック)出力電流 Max = -1 (High Level) mA, 10 (Low Level) mA出力電圧 Max = 0.6 V (低レベル)センシング距離 = 300mmスイッチングモード = アナログ出力タイプ = PWM実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16最大供給電流 = 140 mA寸法 = 9.98 x 3.98 x 1.48mm高さ = 1.48mm長さ = 9.98mm幅 = 3.98mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(48個)
12,980 税込14,278
5日以内出荷

USBインターフェースIC・USBコントローラ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
519 税込571
5日以内出荷

USBインターフェースIC・USBコントローラ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
429 税込472
7日以内出荷

仕様最大供給電流 = 32 mA最大入力周波数 = 133MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
579 税込637
5日以内出荷

仕様1チップ当たりのエレメント数 = 1最大供給電流 = 25 mA最大入力周波数 = 140MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
10,980 税込12,078
5日以内出荷

USBインターフェースIC・USBコントローラ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
329 税込362
5日以内出荷

USBインターフェースIC・USBコントローラ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
499 税込549
5日以内出荷

仕様最大供給電流 = 32 mA最大入力周波数 = 133MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
379 税込417
5日以内出荷

Infineon 光起電リレーは、単極常時開ソリッドステートリレーです。主にポータブル電子機器、オーディオ機器、計装で使用されます。ソリッドステートの信頼性 負荷電流制限
仕様最大負荷電流 = 4.5 A取り付けタイプ = 基板実装最大負荷電圧 = 20 V最小負荷電圧 = 0 V最小負荷電流 = 2.5 A接点構成 = SPST出力装置 = MOSFETシリーズ = PVN012 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(750個)
579,800 税込637,780
7日以内出荷

1セット(50個)
34,980 税込38,478
7日以内出荷

Infineon SIPMOSR NチャンネルMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 660 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.8 Ωチャンネルモード = デプレッション型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1.6mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
68,980 税込75,878
7日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,198 税込2,418
7日以内出荷

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 225 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 34 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V幅 6.35mm動作温度 Min -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
2,198 税込2,418
7日以内出荷

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 360 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -40 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,198 税込1,318
7日以内出荷

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 4.1 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V幅 4.57mm高さ 15.95mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
18,980 税込20,878
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128k x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45ns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,798 税込3,078
5日以内出荷

デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 73 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 14 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V長さ = 10.67mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
519 税込571
7日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
469 税込516
翌々日出荷

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 4.9 A、6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 46 mΩ, 98 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 2mm高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
3,298 税込3,628
7日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(25個)
6,798 税込7,478
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 137 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = PG - TO 252-3実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
529 税込582
7日以内出荷

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 59 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 82 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
559 税込615
7日以内出荷

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 134 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 280 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 120 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 130 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 520 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 161 nC @ 10 Vmm高さ = 20.7mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
819 税込901
5日以内出荷

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 43 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
9,998 税込10,998
7日以内出荷

Infineon の 100V OptiMOS パワー MOSFET は、高効率、高電力密度 SMPS の優れたソリューションを提供します。次善の技術と比較してこのファミリは、 R DS ( on )と FOM (性能指数)の両方が 30 % 低くなっています。優れたスイッチング性能:世界最低クラスの R DS ( on ) 超低Q g / Q gd 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) RoHS 準拠 - ハロゲンフリー MSL1 等級 2
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 137 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 MO最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
9,998 税込10,998
7日以内出荷