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エコロジープロダクト
オンセミ， ツェナーダイオード， 10V， 1 W， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR￥779税込￥8571袋(100個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ショットキーバリアダイオード， 1A， 40V， 2-Pin DO-214AC (SMA)
ON SEMICONDUCTOR￥239税込￥2631袋(5個)当日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV長さ = 4.75mm幅 = 2.95mm高さ = 2.2mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥289税込￥3181袋(10個)当日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin TO-92
ON SEMICONDUCTOR￥299税込￥3291袋(10個)当日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23
ON SEMICONDUCTOR￥299税込￥3291袋(25個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， スイッチングダイオード， 200mA， 75V， 2-Pin SOD-323
ON SEMICONDUCTOR￥209税込￥2301袋(25個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 75V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 1.7mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク逆回復時間 = 6ns動作温度 Min = -55 ℃メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP ダーリントンペア， 120 V， 30 A， 3-Pin TO-204
ON SEMICONDUCTOR￥2,498税込￥2,7481袋(2個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 200最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V動作温度 Min = -55 ℃先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 500 V， 18 A， 3 ピン パッケージTO-220F UniFET シリーズ
ON SEMICONDUCTOR￥579税込￥6371個7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 265 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 38.5 W標準ターンオフ遅延時間 = 95 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 50 V， 130 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR￥289税込￥3181袋(10個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 130 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW長さ = 2.92mm強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ツェナーダイオード， 150V， 5 W， 2-Pin DO-15
ON SEMICONDUCTOR￥239税込￥2631袋(5個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8mA最大ツェナーインピーダンス = 330Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 30 V， 3-Pin SOT-23
ON SEMICONDUCTOR￥369税込￥4061袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 50 → 150mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm長さ = 2.9mmNチャンネルJFET、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 60 V， 15 A， 3-Pin TO-204
ON SEMICONDUCTOR￥919税込￥1,0111個当日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 115 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 2.5 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 450 V， 5 A， 3-Pin TO-220AB
ON SEMICONDUCTOR￥329税込￥3621個翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 13 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ， 1A， -12 V 固定出力， 3-Pin TO-220
ON SEMICONDUCTOR￥94税込￥1031個翌々日出荷仕様出力電圧 = -12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， 整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR￥6,298税込￥6,9281袋(1000個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V高さ = 5.2mm直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 70 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
ON SEMICONDUCTOR￥429税込￥4721個翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2250 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ ON Semiconductor CNY173M， トランジスタ出力， 6-Pin
ON SEMICONDUCTOR￥469税込￥5161袋(10個)7日以内出荷仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.65Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrms最大電流変換率 = 200%最小電流伝送率 = 100 %オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ツェナーダイオード， 6.2V， 5 W， 2-Pin 017AA-01
ON SEMICONDUCTOR￥559税込￥6151袋(10個)当日出荷仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = 017AA-01ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 200mA最大ツェナーインピーダンス = 1Ω最大逆漏れ電流 = 1μA長さ = 8.89mm寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5333 → 1N5346シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
TVS DIODE 6V 10.3V AXIAL
ON SEMICONDUCTOR￥70税込￥771個3日以内出荷仕様【パワーライン保護】なしその他【一方向チャンネル】1電流(A)【ピークパルス(10/1000μs)】48.5電圧(V)【逆スタンドオフ】6【ブレークダウン】最小6.67【クランピング@Ipp】10.3RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55～150(TJ)実装タイプスルーホールパッケージ/ケースDO-204AC、DO-15、アキシャルピークパルスパワー消費(W)500
DIODE ZENER 18V 500MW SOD123
ON SEMICONDUCTOR￥56税込￥621個3日以内出荷その他電流：【Vr印加時の逆方向漏れ】100nA @ 14V電圧【If印加時の順方向(Vf)】最大900mV @ 10mA電圧(V)【ツェナー(Vz)】18インピーダンス(最大)(Zzt) 21 Ohms許容誤差±5%RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55～150電力(mW)最大500実装タイプ面実装パッケージ/ケースSOD-123
IC LATCH R-S QUAD P/N 16SOEIAJ
ON SEMICONDUCTOR￥119税込￥1311個3日以内出荷タイプ【ロジック】S-Rラッチ電流(mA)8.8回路1:1、【独立回路】4RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55～125供給電圧(V)3～18実装タイプ面実装パッケージ/ケース16-SOIC(0.209インチ、5.30mm幅)遅延時間(ms)【伝搬】60出力タイプ3ステート
IC REG LINEAR-5V 1A TO220AB
ON SEMICONDUCTOR￥109税込￥1201個3日以内出荷負のリニア電圧レギュレータその他【パッケージ/ピン】TO-220/3出力電圧-5V最大入力電圧-35VRoHS指令(10物質対応)対応出力電流1A動作温度範囲(℃)0～+125出力数1
IC OPAMP GP 1.8MHZ 8DIP
ON SEMICONDUCTOR￥169税込￥1861個3日以内出荷その他【スルーレート】2.1V/μs、電流：【入力バイアス】20nA電圧【入力オフセット】2mV電流(mA)【出力/チャンネル】27回路数1RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-40～85使用帯域【ゲイン】1.8MHz供給電圧(V)【シングル】3～44【デュアル】±1.5～22実装タイプスルーホールパッケージ/ケース8-DIP(0.300インチ、7.62mm)最大供給電流(μA)220
IC RCVR/DRVR ECL DIFF 5V 8SOIC
ON SEMICONDUCTOR￥1,998税込￥2,1981個5日以内出荷。AND/NANDゲート MC100EL04DG ON-Semiconductor製を販売します。仕様●ロジックタイプ：差動レシーバ/ドライバ●電源電圧：3V～5.5V●動作温度：-40℃～85℃●実装タイプ：面実装●パッケージ/ケース：8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)アズワン品番67-0354-94
7.5A 45V Schottky Rectifier
ON SEMICONDUCTOR￥3,798税込￥4,1781セット(50個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mm動作温度 Min = -65 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Buffer/Line Driver 8-Ch 3-State TSSOP20
ON SEMICONDUCTOR￥12,980税込￥14,2781セット(73個)7日以内出荷仕様ロジックファミリー = 74LVTロジック機能 = バッファ， ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 8出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 64mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.2ns寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm高さ = 0.9mm長さ = 6.5mmRoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET P-Channel
ON SEMICONDUCTOR￥73,980税込￥81,3781リール(3000個)7日以内出荷仕様強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
LVDSシリアライザ/デシリアライザ ON Semiconductor Quad
ON SEMICONDUCTOR￥1,998～税込￥2,198～1袋(2個)ほか7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
