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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 90 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 13 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 90 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.83mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2000 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mmピーク逆回復時間 = 35ns動作温度 Min = -65 ℃メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 40 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 65 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON Semiconductor
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 15 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃高電圧NPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 83 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 20 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON Semiconductor
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 9.28mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1000 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V高電圧NPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50000 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 4 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON Semiconductor
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￥309
税込￥340
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 15 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.7mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor
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税込￥10,582
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 36 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 10 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 20 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V dc先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON Semiconductor
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON Semiconductor
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￥552
税込￥607
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仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.5V長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mmピーク逆回復時間 = 60ns動作温度 Max = +175 ℃メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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￥1,210
税込￥1,331
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mm動作温度 Max = +175 ℃メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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￥929
税込￥1,022
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 630mV長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mm動作温度 Min = -65 ℃メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON Semiconductor
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￥1,088
税込￥1,197
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2250 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥367
税込￥404
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V dc最大コレクタカットオフ電流 = 10μA最大パワー消費 = 2 W先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNダーリントントランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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￥794
税込￥873
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準ターンオフ遅延時間 = 27 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,940
税込￥2,134
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 75Wトランジスタ素材 = Si強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥955
税込￥1,051
欠品中
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 39 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥590
税込￥649
5日以内出荷
仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 700mAパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正ロードレギュレーション = 100 mVMC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは、内部電流制限、サーマルシャットダウン、及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。 ローカル、オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V、8 V、12 V、15 V、18 V、20 V、24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで、最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥124
税込￥136
当日出荷
仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正幅 = 4.82mmMC7805リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7805ファミリリニア電圧レギュレータは、広範な用途で使用できる固定電圧レギュレータです。 この7805正電圧レギュレータは外部コンポーネントを必要とせず、内部サーマル過負荷保護及び電流制限、安全動作領域補償を統合しています。. 出力電圧: 5 V 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償 鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応)対応
1本(50個)
￥5,000
税込￥5,500
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ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 265 A， 3 ピン パッケージTO-220 PowerTrench シリーズ
エコ商品
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 265 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 395 W標準ターンオフ遅延時間 = 348 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥700
税込￥770
5日以内出荷
仕様出力電圧 = 15 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正精度 = ±4%MC7815リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductorのリニア電圧レギュレータは、2 %又は4 %の公差で15 Vの固定電圧を出力します。 MC7815正電圧レギュレータには、安全動作領域補償が組み込まれています。また、内部の電流制限及びサーマルシャットダウン過負荷保護の機能も備えています。 出力を調整する場合を除き、外部コンポーネントは不要です。 このデバイスは、電子産業におけるさまざまな用途に適しています。. 出力電圧: 15 V 鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応)対応
1本(50個)
￥4,940
税込￥5,434
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4Ω最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 28 W動作温度 Max = +150 ℃UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,100
税込￥1,210
翌々日出荷
仕様出力電圧 = -15 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負精度 = ±4%負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥115
税込￥127
欠品中
仕様出力電圧 = -12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥118
税込￥130
翌々日出荷
仕様出力電圧 = -6 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負精度 = ±4%負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1本(50個)
￥5,730
税込￥6,303
5日以内出荷
仕様出力電圧 = -12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -40 V dcピン数 = 3パワーレーティング = 15W動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥686
税込￥755
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正精度 = ±4%MC7805リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7805ファミリリニア電圧レギュレータは、広範な用途で使用できる固定電圧レギュレータです。 この7805正電圧レギュレータは外部コンポーネントを必要とせず、内部サーマル過負荷保護及び電流制限、安全動作領域補償を統合しています。. 出力電圧: 5 V 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償 鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥760
税込￥836
当日出荷
仕様出力電圧 = 12 V出力電流 Max = 700mAパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正ロードレギュレーション = 240 mVMC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは、内部電流制限、サーマルシャットダウン、及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。 ローカル、オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V、8 V、12 V、15 V、18 V、20 V、24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで、最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 131 Wトランジスタ素材 = SiMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 39000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 22.5 nsQFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
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