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STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 100V， SMAJ48A-TRSTMicro￥78,980税込￥86,878
1セット(5000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 100V●最小ブレークダウン電圧 53.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 48V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 23A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 200nA●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， スルーホール， 529V， 1.5KE300ASTMicro￥43,980税込￥48,378
1袋(600個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 529V●最小ブレークダウン電圧 285V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 256V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 19A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 0.65 A SOIC 2 8-Pin ハーフブリッジ 非反転 表面実装STMicro￥1,198～税込￥1,318～
1袋(5個)ほか
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンSTMicro￥289,800税込￥318,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 55 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 2 W●トランジスタ構成 ： 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 ： -15 V， +15 V●幅 ： 4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)デュアルMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 10 A， 3-Pin TO-220STMicro￥6,398税込￥7,038
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 750●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.2mA●幅 ： 4.6mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 121V， SMAJ58A-TRSTMicro￥879税込￥967
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 121V●最小ブレークダウン電圧 64.4V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 58V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 19A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●長さ 4.6mm●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET550 V 13 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥409税込￥450
1個
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 550 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 240 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 90 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 15.75mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM)M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 8.5A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥259税込￥285
1個
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 8.5A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 430 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 25 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： +25 V●トランジスタ素材 ： Simm●高さ ： 16.4mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， スルーホール， 265V， P6KE150ASTMicro￥489税込￥538
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 265V●最小ブレークダウン電圧 143V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 128V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 15A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 6.75×3.53×3.53mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics
STMicroelectronics PNP ダーリントントランジスタ， 100 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)STMicro￥119,800税込￥131,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大連続コレクタ電流 ： 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 ： 4.5 V●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 4 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.01mA●幅 ： 6.2mm●PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 5 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピンSTMicro￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●パッケージタイプ ： IPAK (TO-251)●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 4V●最大パワー消費 ： 96 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±30 V●幅 ： 2.4mm●高さ ： 6.2mmRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 20 A， 3-Pin TO-220 シングルSTMicro￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 ： 20 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 50 V， 1.75 A， 16-Pin PDIPSTMicro￥1,198税込￥1,318
1個
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， スルーホール， 27.2V， P6KE15ASTMicro￥469税込￥516
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 27.2V●最小ブレークダウン電圧 14.3V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 12.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 147A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 6.75×3.53×3.53mm●幅 3.53mm●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro￥21,980税込￥24,178
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 158 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥5,998税込￥6,598
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 11 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics EMIフィルタ& ESDプロテクタ， 表面実装， USBUF01W6STMicro￥249税込￥274
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： コンプレックスアレイ●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-323 (SC-70)●ピン数 ： 6●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 2.2mm●USBポートESD保護RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 32.5V， SMBJ15A-TRSTMicro￥36,980税込￥40,678
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 32.5V●最小ブレークダウン電圧 16.7V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 15V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 123A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 200nA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥11,980税込￥13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 26 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 70 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 85 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 10 A， 3-Pin TO-247STMicro￥7,398税込￥8,138
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： TO-247●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 500●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 3 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 1mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥15,980税込￥17,578
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 380 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 35 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 9.3mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 2.1 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥8,798税込￥9,678
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 6.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 2.5 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピンSTMicro￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 4.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， スルーホール， 111V， 1.5KE62ASTMicro￥26,980税込￥29,678
1セット(600個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 111V●最小ブレークダウン電圧 58.9V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 53V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 90A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 39 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro￥21,980税込￥24,178
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 39 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 70 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 255 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 124 nC @ 10 Vmm●高さ ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 100V， SMBJ48A-TRSTMicro￥43,980税込￥48,378
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 100V●最小ブレークダウン電圧 53.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 48V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 40A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●幅 3.95mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 50 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥8,398税込￥9,238
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 28 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics EMIフィルタ& ESDプロテクタ， 表面実装， USBUF02W6STMicro￥77,980税込￥85,778
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： コンプレックスアレイ●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-323 (SC-70)●ピン数 ： 6●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 2.2mm●USBポートESD保護RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 40 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 33 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -17 V， +17 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 7.2 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥13,980税込￥15,378
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 850 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 39.3V， SMBJ18A-TRSTMicro￥38,980税込￥42,878
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 39.3V●最小ブレークダウン電圧 20V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 18V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 102A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics LEDドライバ IC， 100mA 24-Pin SOICSTMicro￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 ： 100mA●入力電圧 ： 3 → 5.5 V●AC/DC入力電圧 ： ac●用途 ： LED照明●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 24●出力電圧 Max ： 20V●定格電流 ： 5 → 100mA●LEDアレイドライバ、STMicroelectronics. このLEDアレイドライバは、定電流制御と、高輝度LEDの駆動に必要なすべての機能を搭載しています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics EMIフィルタ& ESDプロテクタ， 表面実装， EMIF06-MSD02N16STMicro￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●動作温度 Min ： -30 ℃●動作温度 Max ： +85 ℃mm●静電容量 ： 20pF●EMIフィルタとESD保護機能を内蔵、IPAD(TM)デバイス用のEMIFシリーズ、STMicroelectronics. 高いカットオフ周波数ローパスフィルタ400 MHz 効率の高いEMIフィルタ マイク、携帯電話、カメラ、LCDディスプレイ、メモリカード用のHDMI、USB、又はシリアルインターフェイスにおけるマルチメディア用途RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET400 V 9 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥6,998税込￥7,698
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 400 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 550 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 21.7V， SM6T12ASTMicro￥58,980税込￥64,878
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シングル●最大クランピング電圧 ： 21.7V●最小ブレークダウン電圧 ： 11.4V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 ： 10.2V●ピン数 ： 2●ピークパルスパワー消費 ： 600W●最大ピークパルス電流 ： 184A●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●寸法 ： 4.6×3.95×2.45mm●長さ ： 4.6mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、SM6Tシリーズ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics MOSFET 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンSTMicro￥41,980税込￥46,178
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ ： SOT-223●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大パワー消費 ： 1.6 W●トランジスタ構成 ： シングル●幅 ： 3.7mm●高さ ： 1.8mm●The device in manufactured in low voltage PNP planar technology by using a ”；Base Island”； layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.Very low collector to emitter saturation voltage 3A continuous collector current DC current gain， hFE >100 SOT-223 plastic package for surface mounting circuits in tape and reel packing 40 V breakdown voltage V(BR)CER Applications Power management in portable equipment Voltage regulation in bias supply circuits Switching regulator in battery charger applications Heavy load driverRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥1,598税込￥1,758
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 10.5 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 312 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 10 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥2,298税込￥2,528
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 10 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 550 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応