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18ページ目: STMicroのすべての商品
エコ商品
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 27.2V●最小ブレークダウン電圧 14.3V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 12.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 147A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 6.75×3.53×3.53mm●幅 3.53mm●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥569
税込￥626
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 158 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥25,980
税込￥28,578
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥7,198
税込￥7,918
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 11 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥16,980
税込￥18,678
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 80 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 22.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,698
税込￥1,868
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： コンプレックスアレイ●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-323 (SC-70)●ピン数 ： 6●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 2.2mm●USBポートESD保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥219
税込￥241
5日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 32.5V●最小ブレークダウン電圧 16.7V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 15V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 123A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 200nA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥39,980
税込￥43,978
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥11,980
税込￥13,178
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 70 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 85 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥569
税込￥626
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 27.2V●最小ブレークダウン電圧 14.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ SMC●最大逆スタンドオフ電圧 12.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 368A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 7.15×6.25×2.45mm●長さ 7.15mm●Transil(TM) TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥139,800
税込￥153,780
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： TO-247●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 500●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 3 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 1mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥7,498
税込￥8,248
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 380 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 35 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 9.3mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥17,980
税込￥19,778
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 6.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥9,998
税込￥10,998
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 4.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 111V●最小ブレークダウン電圧 58.9V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 53V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 90A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(600個)
￥29,980
税込￥32,978
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 39 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 70 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 255 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 124 nC @ 10 Vmm●高さ ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥22,980
税込￥25,278
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 100V●最小ブレークダウン電圧 53.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 48V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 40A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●幅 3.95mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥47,980
税込￥52,778
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 28 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥9,998
税込￥10,998
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： コンプレックスアレイ●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-323 (SC-70)●ピン数 ： 6●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 2.2mm●USBポートESD保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥76,980
税込￥84,678
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 33 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -17 V， +17 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥10,980
税込￥12,078
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 850 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥14,980
税込￥16,478
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 39.3V●最小ブレークダウン電圧 20V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 18V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 102A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥41,980
税込￥46,178
7日以内出荷
仕様●出力電流 ： 100mA●入力電圧 ： 3 → 5.5 V●AC/DC入力電圧 ： ac●用途 ： LED照明●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 24●出力電圧 Max ： 20V●定格電流 ： 5 → 100mA●LEDアレイドライバ、STMicroelectronics. このLEDアレイドライバは、定電流制御と、高輝度LEDの駆動に必要なすべての機能を搭載しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,898
税込￥2,088
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 ： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●最大パワー消費 ： 20 W●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●動作温度 Min ： -30 ℃●動作温度 Max ： +85 ℃mm●静電容量 ： 20pF●EMIフィルタとESD保護機能を内蔵、IPAD(TM)デバイス用のEMIFシリーズ、STMicroelectronics. 高いカットオフ周波数ローパスフィルタ400 MHz 効率の高いEMIフィルタ マイク、携帯電話、カメラ、LCDディスプレイ、メモリカード用のHDMI、USB、又はシリアルインターフェイスにおけるマルチメディア用途
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,298
税込￥1,428
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 400 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 550 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥11,980
税込￥13,178
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シングル●最大クランピング電圧 ： 21.7V●最小ブレークダウン電圧 ： 11.4V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 ： 10.2V●ピン数 ： 2●ピークパルスパワー消費 ： 600W●最大ピークパルス電流 ： 184A●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●寸法 ： 4.6×3.95×2.45mm●長さ ： 4.6mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、SM6Tシリーズ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥63,980
税込￥70,378
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ ： SOT-223●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大パワー消費 ： 1.6 W●トランジスタ構成 ： シングル●幅 ： 3.7mm●高さ ： 1.8mm●The device in manufactured in low voltage PNP planar technology by using a ”；Base Island”； layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.Very low collector to emitter saturation voltage 3A continuous collector current DC current gain， hFE >100 SOT-223 plastic package for surface mounting circuits in tape and reel packing 40 V breakdown voltage V(BR)CER Applications Power management in portable equipment Voltage regulation in bias supply circuits Switching regulator in battery charger applications Heavy load driver
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥38,980
税込￥42,878
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大連続コレクタ電流 ： 12 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 ： 4 V●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 3 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 5mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,598
税込￥1,758
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 10.5 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 312 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 10 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 550 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,298
税込￥2,528
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 39.3V●最小ブレークダウン電圧 20.9V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AB (SMC)●最大逆スタンドオフ電圧 18.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 254A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -40℃●動作温度 Max +150 ℃mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 4.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,898
税込￥2,088
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥16,980
税込￥18,678
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.45V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 5.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 298A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●最大逆漏れ電流 20μA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、SM6Tシリーズ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,998
税込￥2,198
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 ： 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥569
税込￥626
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 105 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 210 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃●高さ ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥46,980
税込￥51,678
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.85 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 160 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,698
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 30 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 40 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -18 V， +18 V●動作温度 Max ： +175 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥7,498
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 105 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 210 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 84 nC @ 10 Vmm●高さ ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,898
税込￥2,088
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