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STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 39.3V， SM15T22AYSTMicro

￥1,398税込￥1,538

1セット(10個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 39.3V●最小ブレークダウン電圧 20.9V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AB (SMC)●最大逆スタンドオフ電圧 18.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 254A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -40℃●動作温度 Max +150 ℃mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 2.5 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,598税込￥1,758

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 4.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥11,980税込￥13,178

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1.8 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 125 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 13.4V， SM6T6V8ASTMicro

￥1,598税込￥1,758

1袋(50個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.45V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 5.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 298A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●最大逆漏れ電流 20μA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、SM6Tシリーズ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NPN モータドライバIC， 50 V， 500 mA， 18-Pin PDIPSTMicro

￥5,198税込￥5,718

1セット(20個)

欠品中

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 50 V●パッケージタイプ： PDIP●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 18●トランジスタ構成：コモンエミッタ●1チップ当たりのエレメント数： 8●最小DC電流ゲイン： 1000●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 1.1 V●動作温度 Min ： -20 ℃mm●ダーリントントランジスタアレイ、STMicroelectronics. ダーリントントランジスタドライバは、複数のオープンコレクタダーリントンペアと、誘導負荷用の集積サプレッションダイオードを備えた、高電圧・大電流スイッチアレイです。定格電流は、各出力につき500 mA以上と大きくなっています。 ICパッケージにおいて入力は出力の反対側に固定されており、アプリケーション基板レイアウトが簡素化されます。インターフェイスは、標準のTTL又はCMOS論理レベルです。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 15 A， 3-Pin TO-220 シングルSTMicro

￥599税込￥659

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流： 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： ±20V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥42,980税込￥47,278

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 105 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 210 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃●高さ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 6.5 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,798税込￥1,978

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1000 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1.85 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 160 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 4.6mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 50 V， 500 mA， 16-Pin PDIPSTMicro

￥1,898税込￥2,088

1セット(25個)

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

バリエーション一覧へ(4)

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 30 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥6,898税込￥7,588

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 30 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 40 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -18 V， +18 V●動作温度 Max ： +175 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥1,798税込￥1,978

1個

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 105 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 210 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 84 nC @ 10 Vmm●高さ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 265V， 1.5KE150ASTMicro

￥25,980税込￥28,578

1セット(600個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 265V●最小ブレークダウン電圧 143V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 128V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 38A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 76V， BZW50-33STMicro

￥26,980税込￥29,678

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 76V●最小ブレークダウン電圧 36.6V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ R 6●最大逆スタンドオフ電圧 33V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 5000W●最大ピークパルス電流 789A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.1×9.1×9.1mm●テスト電流 1mA●Transil(TM) TVS単方向軸5000 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 120 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥16,980税込￥18,678

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 75 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 8 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 310 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 353V， SMBJ170A-TRSTMicro

￥669税込￥736

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 353V●最小ブレークダウン電圧 189V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 170V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 11.3A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●幅 3.95mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 13.4V， BZW06-5V8STMicro

￥21,980税込￥24,178

1袋(1000個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.45V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 5.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 298A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●長さ 6.75mm●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 13.4V， 1.5KE6V8ASTMicro

￥31,980税込￥35,178

1袋(600個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.45V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 5.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 746A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics RFトランシーバ， 20-Pin QFNSTMicro

￥1,798,000税込￥1,977,800

1セット(4500個)

7日以内出荷

仕様●パッケージタイプ： QFN●ピン数： 20●実装タイプ：表面実装mm●長さ： 4.15mm●幅： 4.15mm●高さ： 0.95mm●最大動作バンド1周波数： 174MHz●最大動作バンド2周波数： 348MHz●最大動作バンド3周波数： 470MHz●動作供給電圧 Max ： 3.6 V●動作温度 Max ： +105 ℃●最小動作バンド1周波数： 150MHz●動作バンド数： 4MHz●SPIRIT1は、消費電力が非常に少ないRFトランシーバで、1 GHz未満帯域のRFワイヤレス用途に適しています。169315433868915 MHzのライセンスフリーISM及びSRDの周波数帯で動作するよう設計されていますが、プログラムにより、300～348 MHz、387～470 MHz、779～956 MHz帯域でも動作します。空気データレートは 1 ～ 500 kbps の範囲でプログラム可能です。 SPIRIT1 は、 EN 300 220 規格に準拠した 12.5/25 kHz のチャネル間隔を持つシステムで使用できます。ディスクリート外付け部品を非常に少数使用し、データ管理、変調、復調をサポートする設定可能なベースバンドモデムを内蔵しています。データ管理は、独自の完全にプログラム可能なパケット形式のデータを処理します。また、 M-Bus 標準準拠形式(すべてのパフォーマンスクラス)も使用できます。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 1 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro

￥159,800税込￥175,780

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 1 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 8.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 3.7V●最低ゲートしきい値電圧： 2.25V●最大パワー消費： 30 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 84V， 1.5KE47ASTMicro

￥709税込￥780

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 84V●最小ブレークダウン電圧 44.7V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 40.2V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 119A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 420 V 30 A， 3-Pin D2PAK (TO-263) シングルSTMicro

￥229,800税込￥252,780

1セット(1000個)

7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流： 30 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 420 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： 16V●最大パワー消費： 150 W●パッケージタイプ： D2PAK (TO-263)●実装タイプ：表面実装●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●スイッチングスピード： 1MHz●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×9.35×4.6mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 12 A， 3-Pin TO-220STMicro

￥4,698税込￥5,168

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 12 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 100 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧： 4 V●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 3 V●最大コレクタカットオフ電流： 0.1mA●動作温度 Min ： -65 ℃mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンSTMicro

￥239,800税込￥263,780

1セット(4000個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 100 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.8V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 3.3 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -16 V， +16 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 32.5V， 1.5KE18ASTMicro

￥26,980税込￥29,678

1袋(600個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 32.5V●最小ブレークダウン電圧 17.1V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 15.3V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 308A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 7.5 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピンSTMicro

￥2,698税込￥2,968

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 7.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： SO-8●実装タイプ：表面実装●ピン数： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗： 21 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 2.5 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±16 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧： 1.2VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 8 A， 3-Pin TO-220STMicro

￥4,798税込￥5,278

1セット(50個)

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

バリエーション一覧へ(3)

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 3.5 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥11,980税込￥13,178

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1000 V●パッケージタイプ： TO-247●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 3.7 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 125 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 5.15mm●高さ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 50 V， 500 mA， 18-Pin PDIPSTMicro

￥4,998税込￥5,498

1セット(20個)

5日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

バリエーション一覧へ(2)

STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 16 A， 3-Pin DPAK (TO-252)STMicro

￥129,800税込￥142,780

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 16 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●パッケージタイプ： DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧： 4.5 V●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 4 V●最大コレクタカットオフ電流： 0.01mA●高さ： 2.4mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 10.3V， SMLVT3V3STMicro

￥109,800税込￥120,780

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 10.3V●最小ブレークダウン電圧 4.1V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 3.3V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 200A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 200μA●SMLVTUV3、低電圧Transil(TM). 単方向Transil(TM)ダイオードピークパルス電力: 600 (10/1000 μs) 逆方向スタンドオフ電圧 3.3 低クランプファクタ高速な応答時間RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics MOSFET 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro

￥1,798税込￥1,978

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様●パッケージタイプ： DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大パワー消費： 15 W●トランジスタ構成：シングル●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 2.17mm●The device is manufactured in Planar technology with ”；Base Island”； layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.This device is qualified for automotive application High current gain characteristic Very low collector to emitter saturation voltage Surface-mounting DPAK (TO-252) power package in tape& reel (suffix ”；T4) Fast-switching speed Applications CCFL drivers Voltage regulators Relay drivers High efficiency， low voltage， switching applicationsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥33,980税込￥37,378

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 650 V●シリーズ： MDmesh M5●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 79 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 190 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●長さ： 15.75mm●高さ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 15 A， 3-Pin TO-220FPSTMicro

￥8,398税込￥9,238

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 100 V●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧： 4 V●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大コレクタカットオフ電流： 5mA●最大パワー消費： 33 Wmm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 9.2 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥18,980税込￥20,878

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 9.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 900 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 980 m Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 200 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 5.15mm●高さ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 1200 V 6 A， 3-Pin TO-220FP シングルSTMicro

￥1,698税込￥1,868

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 1200 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： ±20V●最大パワー消費： 25 W●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●スイッチングスピード： 1MHz●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 13.4V， SMBJ5.0A-TRSTMicro

￥37,980税込￥41,778

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.4V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 5V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 298A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 20μA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 5 A 表面実装パッケージPowerSO 10 ピンSTMicro

￥3,500税込￥3,850

1個

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 40 V●パッケージタイプ： PowerSO●実装タイプ：表面実装●ピン数： 10●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 73 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●標準パワーゲイン： 14 dBmm●STMicroelectronics RF MOSFET トランジスタ. この高周波トランジスタは、Lバンド衛星アップリンクに適したLDMOSと、1 MHz→2 GHzのアプリケーションに対応したDMOSパワートランジスタです。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 27.2V， SMAJ13A-TRSTMicro

￥74,980税込￥82,478

1セット(5000個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：シングル●最大クランピング電圧： 27.2V●最小ブレークダウン電圧： 14.4V●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧： 13V●ピン数： 2●ピークパルスパワー消費： 400W●最大ピークパルス電流： 85A●ESD保護：あり●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 2.03mm●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 618V， 1.5KE350ASTMicro

￥34,980税込￥38,478

1袋(600個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 618V●最小ブレークダウン電圧 332V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 299V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 16A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 9 A， 3-Pin TO-220FP シングルSTMicro

￥1,798税込￥1,978

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流： 9 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： ±20V●最大パワー消費： 25 W●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●スイッチングスピード： 1MHz●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

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