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19ページ目: STMicroのすべての商品
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大連続コレクタ電流 : 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 : 4 V●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大コレクタカットオフ電流 : 5mA●最大パワー消費 : 33 Wmm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥8,398
税込¥9,238
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 18.8 nC @ 10 Vmm●高さ : 9.3mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥7,298
税込¥8,028
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 980 m Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 200 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 5.15mm●高さ : 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥18,980
税込¥20,878
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 : 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 1200 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 25 W●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.4V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 5V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 298A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 20μA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥37,980
税込¥41,778
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 40 V●パッケージタイプ : PowerSO●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 10●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 73 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●標準パワーゲイン : 14 dBmm●STMicroelectronics RF MOSFET トランジスタ. この高周波トランジスタは、Lバンド衛星アップリンクに適したLDMOSと、1 MHz→2 GHzのアプリケーションに対応したDMOSパワートランジスタです。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥3,500
税込¥3,850
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シングル●最大クランピング電圧 : 27.2V●最小ブレークダウン電圧 : 14.4V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 : 13V●ピン数 : 2●ピークパルスパワー消費 : 400W●最大ピークパルス電流 : 85A●ESD保護 : あり●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Min : -55 ℃●動作温度 Max : +150 ℃mm●高さ : 2.03mm●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
¥74,980
税込¥82,478
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 618V●最小ブレークダウン電圧 332V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 299V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 16A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(600個)
¥34,980
税込¥38,478
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 : 9 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 25 W●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥1,798
税込¥1,978
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4.3A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2.4 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 32.4 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,498
税込¥1,648
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 706V●最小ブレークダウン電圧 380V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 342V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 14A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥1,398
税込¥1,538
翌々日出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.4V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 5V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 174A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×2.95×2.03mm●テスト電流 10mA●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
¥71,980
税込¥79,178
7日以内出荷
仕様●入力電圧 Max : 23.5 V●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 7●寸法 : 10×4×1.25mm●パッケージタイプ : PDIP●入力電圧範囲 : 8.5 → 23.5 V●限界電流 : 0.42A●入力電圧 Min : 8.5 V●動作温度 Max : +150 ℃●長さ : 10mm●幅 : 4mm●高さ : 1.25mm●動作温度 Min : -40 ℃●動作温度範囲 : -40 → +150 ℃●VIPerPlus高電圧オフラインコンバータ、STMicroelectronics. VIPerPlusシリーズの高電圧コンバータでは、非常に幅の広い主電源入力電圧に対応する800 Vのアバランシェ高耐久性MOSFETと最先端のPWMコントローラが統合されています。 VIPerPlus固定周波数オフラインコンバータは信頼性と拡張性が優れているので、要件の厳しい省エネ規制にも適合しています。 また、非常に多くの保護方式を搭載しているので、さまざまなトポロジに対応します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥5,698
税込¥6,268
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 69.7V●最小ブレークダウン電圧 37.1V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 33.3V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 57A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●長さ 6.75mm●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
¥27,980
税込¥30,778
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 25.3V●最小ブレークダウン電圧 13.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 12V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 157A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥33,980
税込¥37,378
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 353V●最小ブレークダウン電圧 190V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 171V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 28A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(600個)
¥25,980
税込¥28,578
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 140 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥12,980
税込¥14,278
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 75 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 75 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 11 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 300 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -15 V, +15 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
¥279,800
税込¥307,780
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥13,980
税込¥15,378
7日以内出荷
仕様●入力電圧 Max : 23.5 V●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 10●寸法 : 5×4×1.25mm●パッケージタイプ : SSOP●入力電圧範囲 : 11.5 → 23.5 V●入力電圧 Min : 11.5 V●動作温度 Max : +150 ℃●長さ : 5mm●幅 : 4mm●高さ : 1.25mm●動作温度 Min : -40 ℃●動作温度範囲 : -40 → +150 ℃●VIPerPlus高電圧オフラインコンバータ、STMicroelectronics. VIPerPlusシリーズの高電圧コンバータでは、非常に幅の広い主電源入力電圧に対応する800 Vのアバランシェ高耐久性MOSFETと最先端のPWMコントローラが統合されています。 VIPerPlus固定周波数オフラインコンバータは信頼性と拡張性が優れているので、要件の厳しい省エネ規制にも適合しています。 また、非常に多くの保護方式を搭載しているので、さまざまなトポロジに対応します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥999
税込¥1,099
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
1セット(50個)
¥8,298
税込¥9,128
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大連続コレクタ電流 : 4 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : SOT-32●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 750●最大コレクタ-ベース間電圧 : 80 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 2.8 V●最大コレクタカットオフ電流 : 0.2mA●幅 : 2.7mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥3,598
税込¥3,958
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 410V●最小ブレークダウン電圧 200V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ R 6●最大逆スタンドオフ電圧 180V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 5000W●最大ピークパルス電流 146A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 5μA●Transil(TM) TVS単方向軸5000 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥819
税込¥901
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 121V●最小ブレークダウン電圧 64.6V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 58V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 83A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥929
税込¥1,022
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 158 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●幅 : 4.6mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥37,980
税込¥41,778
7日以内出荷
Transil TVS双方向軸1500 W、STMicroelectronics
仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 317V最小ブレークダウン電圧 = 171V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201最大逆スタンドオフ電圧 = 154Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 31.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃寸法 = 9.5 x 5.3 x 5.3mm高さ = 5.3mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥329
税込¥362
7日以内出荷
Transil TVS双方向軸1500 W、STMicroelectronics
仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 21.7V最小ブレークダウン電圧 = 11.4V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201最大逆スタンドオフ電圧 = 10.2Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 461A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μA
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(600個)
¥32,980
税込¥36,278
5日以内出荷
Transil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 53.5V最小ブレークダウン電圧 = 28.5V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201最大逆スタンドオフ電圧 = 25.6Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 187A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃寸法 = 9.5 x 5.3 x 5.3mm最大逆漏れ電流 = 1μA
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(600個)
¥26,980
税込¥29,678
5日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 59V最小ブレークダウン電圧 = 31.4V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201最大逆スタンドオフ電圧 = 28.2Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 169A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃寸法 = 9.5 x 5.3 x 5.3mm最大逆漏れ電流 = 1μATransil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥639
税込¥703
5日以内出荷
データ形式 = DW:DM:M:Y。時刻表示形式 = HH:MM:SS。ユーザーRAM = 8B。バスタイプ = シリアル2線、シリアルI2C。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.25mm。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 1.25mm。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Min = -40 ℃。リアルタイムクロックペリフェラル、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥499
税込¥549
7日以内出荷
電池タイプ = Lithium-イオン。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DFN。ピン数 = 12。標準動作供給電圧 = 4.55 → 5.4 V。寸法 = 3.15 x 3.15 x 0.75mm。長さ = 3.15mm。幅 = 3.15mm。高さ = 0.75mm。動作温度 Max = +85 ℃。出力電流 Max = 200mA。出力電圧 Max = 3.193 V。動作温度 Min = -40 ℃。出力電圧 Min = 3.007 V。バッテリ充電 / 監視コントローラ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,498
税込¥1,648
7日以内出荷
メモリサイズ = 256kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 32768 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 2.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 2.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 32768年。EEPROM、SPIシリアル、STMicroelectronics. シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)バスに対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥369
税込¥406
7日以内出荷
メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 8192 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 2.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 2.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 8192ns。EEPROMシリアルI2C、STMicroelectronics. あらゆるI2Cバスインターフェイスモードに対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,298
税込¥1,428
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 8A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 84A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +150 ℃V。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥989
税込¥1,088
7日以内出荷
実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 30V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 550mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。直径 2.71mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 25A。STMicroelectronics 1N5817/8/9低ドロップパワーショットキー整流器. Vishay 1N5817、1N5818、1N5819 低ドロップ1 Aショットキー整流ダイオードの製品群です。スイッチング電源と高周波DC-DCコンバータ用に設計されています。 特長: 高速スイッチング 低い順方向電圧降下 小さな導電損失 非常に低いスイッチング損失 どこに使用されていますか? 1N5817-1N5819は、低電圧、高周波インバータ、フリーホイール、極性保護、小型充電器用に設計されています。 動作ジャンクション温度はどのくらいですか? -65 +150 バージョンを用意: 1N5817 20 1N5818 30 1N5819 40 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥599
税込¥659
5日以内出荷
実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 20A。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 930mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 20 → 25 A
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥949
税込¥1,044
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 25mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 38A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.15mm。動作温度 Max = +125 ℃V。トライアック、最大6 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥4,598
税込¥5,058
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,198
税込¥1,318
7日以内出荷
実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 45ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。整流ダイオード、4 A → 9 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥6,198
税込¥6,818
7日以内出荷