- 工具の通販モノタロウ
- ブランド一覧
- STMicro
- 19ページ目
19ページ目: STMicroのすべての商品
エコ商品
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 265V●最小ブレークダウン電圧 143V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 128V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 38A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(600個)
￥27,980
税込￥30,778
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 76V●最小ブレークダウン電圧 36.6V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ R 6●最大逆スタンドオフ電圧 33V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 5000W●最大ピークパルス電流 789A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.1×9.1×9.1mm●テスト電流 1mA●Transil(TM) TVS単方向軸5000 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥25,980
税込￥28,578
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 8 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 310 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥19,980
税込￥21,978
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 353V●最小ブレークダウン電圧 189V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 170V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 11.3A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●幅 3.95mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.45V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 5.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 298A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●長さ 6.75mm●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(1000個)
￥24,980
税込￥27,478
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ ： QFN●ピン数 ： 20●実装タイプ ： 表面実装mm●長さ ： 4.15mm●幅 ： 4.15mm●高さ ： 0.95mm●最大動作バンド1周波数 ： 174MHz●最大動作バンド2周波数 ： 348MHz●最大動作バンド3周波数 ： 470MHz●動作供給電圧 Max ： 3.6 V●動作温度 Max ： +105 ℃●最小動作バンド1周波数 ： 150MHz●動作バンド数 ： 4MHz●SPIRIT1は、消費電力が非常に少ないRFトランシーバで、1 GHz未満帯域のRFワイヤレス用途に適しています。169315433868915 MHzのライセンスフリーISM及びSRDの周波数帯で動作するよう設計されていますが、プログラムにより、300～348 MHz、387～470 MHz、779～956 MHz帯域でも動作します。空気データレートは 1 ～ 500 kbps の範囲でプログラム可能です。 SPIRIT1 は、 EN 300 220 規格に準拠した 12.5/25 kHz のチャネル間隔を持つシステムで使用できます。ディスクリート外付け部品を非常に少数使用し、データ管理、変調、復調をサポートする設定可能なベースバンドモデムを内蔵しています。データ管理は、独自の完全にプログラム可能なパケット形式のデータを処理します。また、 M-Bus 標準準拠形式(すべてのパフォーマンスクラス)も使用できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4500個)
￥1,698,000
税込￥1,867,800
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 8.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3.7V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2.25V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥169,800
税込￥186,780
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 84V●最小ブレークダウン電圧 44.7V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 40.2V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 119A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥919
税込￥1,011
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 ： 30 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 420 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： 16V●最大パワー消費 ： 150 W●パッケージタイプ ： D2PAK (TO-263)●実装タイプ ： 表面実装●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×9.35×4.6mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥219,800
税込￥241,780
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 1000●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 80 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 4 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.2mA●動作温度 Min ： -65 ℃mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥3,898
税込￥4,288
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 12 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 ： 4 V●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 3 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.1mA●動作温度 Min ： -65 ℃mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥4,898
税込￥5,388
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 100 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.8V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 3.3 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -16 V， +16 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥279,800
税込￥307,780
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 32.5V●最小ブレークダウン電圧 17.1V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 15.3V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 308A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(600個)
￥26,980
税込￥29,678
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SO-8●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 21 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 2.5 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±16 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧 ： 1.2V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥2,898
税込￥3,188
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-247●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.7 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 5.15mm●高さ ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥14,980
税込￥16,478
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 16 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 ： 4.5 V●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 4 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.01mA●高さ ： 2.4mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥129,800
税込￥142,780
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 10.3V●最小ブレークダウン電圧 4.1V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 3.3V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 200A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 200μA●SMLVTUV3、低電圧Transil(TM). 単方向Transil(TM)ダイオード ピークパルス電力: 600 (10/1000 μs) 逆方向スタンドオフ電圧 3.3 低クランプファクタ 高速な応答時間
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥119,800
税込￥131,780
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大パワー消費 ： 15 W●トランジスタ構成 ： シングル●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 2.17mm●The device is manufactured in Planar technology with ”；Base Island”； layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.This device is qualified for automotive application High current gain characteristic Very low collector to emitter saturation voltage Surface-mounting DPAK (TO-252) power package in tape& reel (suffix ”；T4) Fast-switching speed Applications CCFL drivers Voltage regulators Relay drivers High efficiency， low voltage， switching applications
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,698
税込￥1,868
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 79 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 190 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●長さ ： 15.75mm●高さ ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥32,980
税込￥36,278
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 ： 4 V●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 5mA●最大パワー消費 ： 33 Wmm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥9,298
税込￥10,228
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 25 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 18.8 nC @ 10 Vmm●高さ ： 9.3mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥7,998
税込￥8,798
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 980 m Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 200 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 5.15mm●高さ ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥22,980
税込￥25,278
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 ： 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 1200 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●最大パワー消費 ： 25 W●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,398
税込￥1,538
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.4V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 5V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 298A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 20μA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥39,980
税込￥43,978
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 40 V●パッケージタイプ ： PowerSO●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 10●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 73 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●標準パワーゲイン ： 14 dBmm●STMicroelectronics RF MOSFET トランジスタ. この高周波トランジスタは、Lバンド衛星アップリンクに適したLDMOSと、1 MHz→2 GHzのアプリケーションに対応したDMOSパワートランジスタです。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥3,698
税込￥4,068
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シングル●最大クランピング電圧 ： 27.2V●最小ブレークダウン電圧 ： 14.4V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 ： 13V●ピン数 ： 2●ピークパルスパワー消費 ： 400W●最大ピークパルス電流 ： 85A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 2.03mm●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
￥81,980
税込￥90,178
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 618V●最小ブレークダウン電圧 332V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 299V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 16A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(600個)
￥39,980
税込￥43,978
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 ： 9 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●最大パワー消費 ： 25 W●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,798
税込￥1,978
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4.3A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2.4 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 32.4 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,498
税込￥2,748
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 706V●最小ブレークダウン電圧 380V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 342V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 14A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,398
税込￥1,538
翌々日出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.4V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 5V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 174A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×2.95×2.03mm●テスト電流 10mA●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
￥78,980
税込￥86,878
7日以内出荷
仕様●入力電圧 Max ： 23.5 V●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 7●寸法 ： 10×4×1.25mm●パッケージタイプ ： PDIP●入力電圧範囲 ： 8.5 → 23.5 V●限界電流 ： 0.42A●入力電圧 Min ： 8.5 V●動作温度 Max ： +150 ℃●長さ ： 10mm●幅 ： 4mm●高さ ： 1.25mm●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度範囲 ： -40 → +150 ℃●VIPerPlus高電圧オフラインコンバータ、STMicroelectronics. VIPerPlusシリーズの高電圧コンバータでは、非常に幅の広い主電源入力電圧に対応する800 Vのアバランシェ高耐久性MOSFETと最先端のPWMコントローラが統合されています。 VIPerPlus固定周波数オフラインコンバータは信頼性と拡張性が優れているので、要件の厳しい省エネ規制にも適合しています。 また、非常に多くの保護方式を搭載しているので、さまざまなトポロジに対応します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥5,498
税込￥6,048
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 69.7V●最小ブレークダウン電圧 37.1V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 33.3V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 57A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●長さ 6.75mm●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥27,980
税込￥30,778
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 25.3V●最小ブレークダウン電圧 13.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 12V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 157A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥35,980
税込￥39,578
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 353V●最小ブレークダウン電圧 190V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 171V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 28A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(600個)
￥27,980
税込￥30,778
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 140 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥14,980
税込￥16,478
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シングル●最大クランピング電圧 ： 13.4V●最小ブレークダウン電圧 ： 6.45V●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 ： 5.8V●ピン数 ： 2●ピークパルスパワー消費 ： 600W●最大ピークパルス電流 ： 298A●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Min ： -65 ℃●動作温度 Max ： +175 ℃mm●長さ ： 6.75mm●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(1000個)
￥29,980
税込￥32,978
7日以内出荷