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抵抗 = 100mΩテクノロジー = メタルストリップパッケージ/ケース = 1206 (3216M)許容差 = ±1%定格電力 = 0.25W温度係数 = ±75ppm/℃シリーズ = WSL動作温度 Min = -65℃動作温度 Max = +170℃1206型WSLシリーズ. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(1 mΩまで削減) 総溶接構造

抵抗 10MΩテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 0603 (1608M)許容差 ±1%定格電力 0.1W温度係数 ±100ppm/K自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃0603 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 10 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0603パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 = 10kΩテクノロジー = 薄膜パッケージ/ケース = MELF 0102許容差 = ±1%定格電力 = 0.2W温度係数 = ±50ppm/℃シリーズ = MMU0102動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃EN140401-803. MMU 0102 - 業務用. アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 100mΩテクノロジー = メタルストリップパッケージ/ケース = 1020 (2550M)許容差 = ±1%定格電力 = 2W温度係数 = ±100ppm/℃シリーズ = RCWE動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃Vishay RCWE 1020電流検出抵抗器. Vishay RCWEシリーズ電流検出抵抗器は高品質セラミックで構成され、メタルグレーズと保護オーバーグレーズが使用されています。 抵抗値が0.01～0.976 Ωと極めて低い1020厚膜抵抗器は、長いサイド端子によって定格を向上させています。 RCWE電流検出抵抗器はAEC-Q200認定済みで、車載用途に適しています。 これらのラップアラウンドチップ抵抗は、DC-DCコンバータ、電源、携帯電話の電源管理やコンピュータディスクドライブのモータ制御に利用できます。 産業及び家電用に適したRCWE抵抗器は、白物家電、エアコン、冷蔵庫やヒートポンプのインバータ制御に適しています。. ロングサイド端子構造 AEC-Q200認定 シャントに最適 同じフットプリントで倍の定格電力 熱特性の向上によって熱膨張を縮小

抵抗 = 100kΩテクノロジー = 厚膜パッケージ/ケース = 2512 (6432M)許容差 = ±1%定格電力 = 1W温度係数 = ±100ppm/℃自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = CRCW動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃2512型CRCWシリーズ - 1 % (ペーパーT/R) (1 Ω → 1 MΩ). 特長 安定性すき間換気装置 = 1000 時間( 70 ° C )で 1% 0603 サイズに対応した 2 mm ピッチパッケージオプション ニッケルバリア層の純スズはんだコンタクトにより、鉛( Pb )フリー及び鉛含有はんだプロセスに対応 高品質セラミックにメタルグレーズ AEC-Q200 認定

抵抗 = 10kΩテクノロジー = 厚膜パッケージ/ケース = 2512 (6432M)許容差 = ±1%定格電力 = 1W温度係数 = ±100ppm/℃自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = CRCW動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃2512型CRCWシリーズ - 1 % (ペーパーT/R) (1 Ω → 1 MΩ). 特長 安定性すき間換気装置 = 1000 時間( 70 ° C )で 1% 0603 サイズに対応した 2 mm ピッチパッケージオプション ニッケルバリア層の純スズはんだコンタクトにより、鉛( Pb )フリー及び鉛含有はんだプロセスに対応 高品質セラミックにメタルグレーズ AEC-Q200 認定

抵抗 = 100Ωテクノロジー = 厚膜パッケージ/ケース = 2512 (6432M)許容差 = ±1%定格電力 = 1W温度係数 = ±100ppm/℃自動車規格 = AEC-Q200シリーズ = CRCW動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +155℃2512型CRCWシリーズ - 1 % (ペーパーT/R) (1 Ω → 1 MΩ). 特長 安定性すき間換気装置 = 1000 時間( 70 ° C )で 1% 0603 サイズに対応した 2 mm ピッチパッケージオプション ニッケルバリア層の純スズはんだコンタクトにより、鉛( Pb )フリー及び鉛含有はんだプロセスに対応 高品質セラミックにメタルグレーズ AEC-Q200 認定

抵抗 = 100mΩテクノロジー = メタルストリップパッケージ/ケース = 2512 (6432M)許容差 = ±1%定格電力 = 1W温度係数 = ±75ppm/℃シリーズ = WSL動作温度 Min = -65℃動作温度 Max = +170℃2512型WSLシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造

抵抗 = 100mΩテクノロジー = メタルストリップパッケージ/ケース = 4257 ( 11070M許容差 = ±1%定格電力 = 2W温度係数 = ±75ppm/℃シリーズ = WSR2動作温度 Min = -65℃動作温度 Max = +275℃WSR2パワーメタルStripR 2 W. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適

抵抗 100mΩテクノロジー ニクロムパッケージ/ケース 2818許容差 ±1%定格電力 7W温度係数 ±75ppm/℃シリーズ WSHM動作温度 Min -65℃動作温度 Max +170℃2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 35000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 V高さ = 9.8mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = HVMDIP実装タイプ = スルーホールピン数 = 4最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5mm動作温度 Min = -55 ℃VPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 73.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm順方向ダイオード電圧 = 1.5VPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ P最大連続ドレイン電流 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 60 Vパッケージタイプ TO-252AA実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 28 mチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 -3V最低ゲートしきい値電圧 -1V最大パワー消費 113 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V長さ 6.73mm動作温度 Min -55 ℃mm

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 185 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.04mm高さ = 1.02mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 185 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = -3V最低ゲートしきい値電圧 = -1V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V長さ = 3.04mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 108 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 960 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.4 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 3.2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.55mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 49 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 4.2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm高さ = 1.55mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 35 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = PowerPAK 1212-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 52 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 3.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 42 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm高さ = 2.38mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.04mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSOP-6実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 3.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.67mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 42 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vシリーズ = TrenchFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 71 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 19 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors

LED色 = 赤パッケージタイプ = 3 mm (T-1)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 2.6 V光度 = 180 mcdピン数 = 2レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 630 nmレンズ色 = 赤mmVishay 3 mmラジアルスルーホールLED

LED色 = 黄パッケージタイプ = 3 mm (T-1)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 3 V光度 = 10 mcdピン数 = 2ビュー角 = 60 °レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 594 nm寸法 = 3mmVishay TLHx4xxxシリーズ3 mm (T-1)ラジアルLED. VishayのTLHx4xxxシリーズは、3 mm着色拡散プラスチックパッケージの高効率LEDです。 このLEDは、広視野角で、オン / オフのコントラストがはっきりしています。TLHx4xxxの最適な用途には、ステータスライト、オン / オフインジケータ、バックグラウンド照明、読み取りライト、メンテナンスライト、マーキングライトなどがあります。. TLHx4xxx LEDの特長: 標準3 mmパッケージ(T-1) 小さい機械公差 DC及び高ピーク電流に最適 広視野角 光度による分類 色分類: 赤色、黄色、緑色、青色

LED色 = 黄パッケージタイプ = 3 mm (T-1)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 3 V光度 = 3 mcdピン数 = 2ビュー角 = 60 °レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 594 nmレンズ色 = 黄mmVishay TLHx4xxxシリーズ3 mm (T-1)ラジアルLED. VishayのTLHx4xxxシリーズは、3 mm着色拡散プラスチックパッケージの高効率LEDです。 このLEDは、広視野角で、オン / オフのコントラストがはっきりしています。TLHx4xxxの最適な用途には、ステータスライト、オン / オフインジケータ、バックグラウンド照明、読み取りライト、メンテナンスライト、マーキングライトなどがあります。. TLHx4xxx LEDの特長: 標準3 mmパッケージ(T-1) 小さい機械公差 DC及び高ピーク電流に最適 広視野角 光度による分類 色分類: 赤色、黄色、緑色、青色

LED色 = 赤パッケージタイプ = 3 mm (T-1)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 3 V光度 = 15 mcdピン数 = 2ビュー角 = 60 °レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 630 nm寸法 = 3mmVishay TLUx24xx (1.8 mm) / TLUx44xx (3 mm) / TLUx53xx (5 mm) / TLUx54xx (5 mm) / TLUx64xx (5 mm)シリーズLED

LED色 = 赤パッケージタイプ = 3 mm (T-1)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 2.4 V光度 = 2 mcdピン数 = 2ビュー角 = 50 °レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 625 nmレンズ色 = 赤mmVishay TLLG/R/Y440x、TLLG/Y540xシリーズLED. VishayのTLLG/R/Y440xシリーズ及びTLLG/Y540xシリーズは、着色拡散パッケージに収められた低電流LEDです。 低い消費電力で高輝度出力を提供します。. 標準3 mmパッケージ(TLLG/R/Y440x)、5 mmパッケージ(TLLG/Y540x) 低電流 低消費電力 視野角: 50 ° CMOS/MOS対応 輝度カテゴリ化済み 赤、黄、緑色