「電圧」の検索結果

バリスタ電圧 = 100V。最大AC定格電圧 = 60V。最大直流定格電圧 = 85V。制限電圧 = 165V。クランプ電流 = 10A。材料 = ZnOセラミックJ。シリーズ = VDRS。直径 = 9mm。最大サージ電流 = 1200A。静電容量 = 700pF。長さ = 35mm。厚さ = 4.1mm。寸法 = 9 Dia. x 4.1mm。リード間隔 = 5mm

バリスタ電圧 = 430V。最大AC定格電圧 = 275V。最大直流定格電圧 = 350V。制限電圧 = 710V。クランプ電流 = 50A。エネルギー = 104J。シリーズ = VDRS。直径 = 16.5mm。最大サージ電流 = 4500A。静電容量 = 440pF。長さ = 35mm。厚さ = 5.4mm。寸法 = 16.5 Dia. x 5.4mm。リード間隔 = 7.5mm。VDR金属酸化物バリスタ(標準)特長 低β高純度酸化亜鉛ディスク ハロゲンフリー絶縁エポキシコーティング 酸化亜鉛ディスク、HFエポキシコーティング

バリスタ電圧 = 430V。最大AC定格電圧 = 275V。最大直流定格電圧 = 350V。制限電圧 = 710V。クランプ電流 = 10A。材料 = ZnOセラミックJ。シリーズ = VDRS。直径 = 9mm。最大サージ電流 = 1200A。静電容量 = 140pF。長さ = 35mm。厚さ = 4.9mm。寸法 = 9 Dia. x 4.9mm。リード間隔 = 5mm。VDR金属酸化物バリスタ(標準)特長 低β高純度酸化亜鉛ディスク ハロゲンフリー絶縁エポキシコーティング 酸化亜鉛ディスク、HFエポキシコーティング

バリスタ電圧 = 31 → 38V。最大AC定格電圧 = 20V。最大直流定格電圧 = 26V。制限電圧 = 58V。クランプ電流 = 1A。材料 = 金属J。シリーズ = MLV - E3 - 3T。最大サージ電流 = 30A。静電容量 = 160pF。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.8mm。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。SMD多層Varistor MLVxxxxE3xxx3Tシリーズ. 双方向クランピングループ特性 優れたエネルギー / ボリューム比 リフローはんだ付けに最適 データ回線及びI/Oポート保護、ESDトランジェント保護、IC及びトランジスタのオンボード保護、モデム保護、LCD保護など、過電圧及びトランジェント電圧保護の用途を想定しています。

最大負荷電流 = 0.1 A。取り付けタイプ = 基板実装。最大負荷電圧 = 60 V。最大電圧制御 = 1.4 V。スイッチングタイプ = AC。ターミナルタイプ = 表面実装。出力装置 = MOSFET。リレータイプ = ソリッドステートリレー。定格電圧範囲 = 60V ac。寸法 = 4.7 x 4.39 x 2.3mm。動作温度範囲 = -40 → +85℃。Solid State Relay - Vishay

最大負荷電流 = 200 mA。取り付けタイプ = 表面実装。最大負荷電圧 = 200 V。接点構成 = SPST-NO。出力装置 = MOSFET

最大負荷電流 = 0.25 A。取り付けタイプ = 基板実装。最大負荷電圧 = 350 V。最大電圧制御 = 1.5 V。ターミナルタイプ = 表面実装。出力装置 = MOSFET。定格電圧範囲 = 350V ac。寸法 = 8.7 x 6.5 x 3.81mm。奥行き = 6.5mm。オプトカプラ、ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、Vishay Semiconductor

最大負荷電流 = 150 mA。取り付けタイプ = 表面実装。最大負荷電圧 = 350 V。接点構成 = SPDT， SPST。出力装置 = MOSFET

逆方向の電圧を加えたときに定電圧を発生するダイオードです。定電圧回路およびサージ電流や静電気からICなどを守る保護デバイスとして使用します。

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 40000 V dc高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 20000 V dc で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 50Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。標準電圧温度係数 = 0.07%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC 及び DC ディスクコンデンサは、30000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC 及び DC ディスクコンデンサは、30000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC 及び DC ディスクコンデンサは、30000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 40000 V dc高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 40000 V dc高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 20000 V dc で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、50000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

標準ツェナー電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-64。ツェナータイプ = アバランシェ。ツェナー電圧許容性 = ± 2 %，± 5%。ピン数 = 3

高電圧クラス2セラミックDCディスクコンデンサ、10→40kVdc/3.5→14kVac、ねじ止めTerminal取り付けクラス2セラミック(Y5U)低インダクタンス高い絶縁抵抗用途高電圧電源CO2レーザーX線機器

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 45mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.015%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 35mA。最大ツェナーインピーダンス = 4Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.033%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 3.1 x 1.43 x 1.05mm。標準電圧温度係数 = -0.015%/℃。ツェナーダイオード300 mW、BZX84シリーズ、Vishay Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 7.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 209V。最小ブレークダウン電圧 = 144V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 130V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 7.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor