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標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 225 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。最大ツェナーインピーダンス = 24Ω。最大逆漏れ電流 = 15μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 84Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 84Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 7.5μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 89Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 2.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 100Ω。最大逆漏れ電流 = 20μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = -3.5 → 0mV/K。ツェナーダイオード225 mW、BZX84BxxxLT、BZX84CxxxLTシリーズ、ON Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 2.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 75μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 100μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 100Ω。最大逆漏れ電流 = 50μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.35mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 94Ω。最大逆漏れ電流 = 45μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 1.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2。最大逆漏れ電流 = 7.5μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃V

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -40 ℃。74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -40 ℃。MC74ACTシリーズ，オン・セミコンダクター

標準ツェナー電圧 = 62V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 225 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 215Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 71.6mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 43V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 225 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 150Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 46.6mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 33V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 3.8mA。最大ツェナーインピーダンス = 58Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 30V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 225 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.5 W。パッケージタイプ = SMA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 104.2mA。最大ツェナーインピーダンス = 9Ω。最大逆漏れ電流 = 35.5μA。寸法 = 4.57 x 2.92 x 2.05mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 28V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 4.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 44Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 27V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 27V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 7%。ピン数 = 3。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。標準電圧温度係数 = 23.35mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 70Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 22mV/K。このシリーズのツェナーダイオードは、便利な表面実装プラスチック SOT-23 パッケージで提供されています。これらのデバイスは、最小スペース要件で電圧調整を行うように設計されています。携帯電話、ハンドヘルドポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。FR-4 または FR-5 ボードの定格出力 257mW ツェナー故障電圧範囲 - 2.4V ～ 75V 最適な自動基板アセンブリ用に設計されたパッケージです 高密度アプリケーション用の小型パッケージサイズ 人体>モデルごとのクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格 機械的な特性

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 3。テスト電流 = 5.2mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 250nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。自動車規格 = AEC-Q101mA

標準ツェナー電圧 = 22V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 225 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 55Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 20mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 19V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 6.6mA。最大ツェナーインピーダンス = 23Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 40Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.5mm。標準電圧温度係数 = 14mV/K。ツェナーダイオード500 mW、MM5ZxxxT1G / SZMM5ZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 7.8mA。最大ツェナーインピーダンス = 17Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 8.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 16Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 8.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 16Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 200Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 9.2 → 13mV/K。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 11V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MM5ZxxxT1G / SZMM5ZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 10V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 160 Ω @ 1 mA， 20 Ω @ 5 mA。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。自動車規格 = AEC-Q101mA。このツェナーダイオード電圧レギュレータは、 SOD-523 表面実装パッケージに収められています。電圧調整保護を提供するように設計されており、スペースが限られている場合に特に魅力的です。携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。標準ツェナー降伏電圧範囲： 2.4 → 75 V 定格安定状態： 500 mW 小型ボディ外形寸法： 0.047 インチ x 0.032 インチ( 1.20 mm x 0.80 mm ) 低いボディ高： 0.028 インチ( 0.7 mm ) クラス 3 (> 16 kV )人体モデルの ESD 定格 エポキシは UL94 、 VO に適合 極性バンドでカソードを表示 リード仕上げ： 100 % つや消しスズ 認定最大リフロー温度： 260C デバイスは MSL 1 の要件に適合します 鉛フリーパッケージを用意 用途 携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなど、スペースが限られている用途に適しています。

標準ツェナー電圧 = 10V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 10V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 225 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。最大ツェナーインピーダンス = 17Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 0.05mA。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.35mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123