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論理回路 = LCXロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 1回路数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20入力レベル = LVTTL， TTL出力レベル = LVCMOS高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 2.7 V寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.05V1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35AUltrafast 整流器は、コンパクトなサイズと重量がシステムに不可欠な、表面実装用途の高電圧、高周波整流、又はフリーホイーリング / 保護ダイオードに最適です。J 字形リード付きの小型コンパクトな表面実装可能パッケージです 自動処理用の角形パッケージです 耐熱ガラス不動態化ジャンクション 低順方向電圧降下( 0.71 → 1.05 V 、最大 @ 1.0 A 、 TJ = 150 ° C ) 機械的特性： ケース：エポキシ、成形 重量：約 95 mg 仕上げ：すべての外面に耐腐食性、 Terminal Leads は容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード及び取り付け表面温度：最大 260 ° C ( 10 秒間) 極性：極性バンドでカソードリードを表示 鉛フリーパッケージです

論理回路 = HCロジックタイプ = バッファ， ラインドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC Wピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165 ns @ 2 V寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = ACロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ回路数 = 8入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns@ 50 pF寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 50pFMC74ACファミリ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = -277 へピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 520mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 280AFSV1060V ショットキー整流器は、ブレークスルーのサイズと性能を備えています。このデバイスは、モバイル充電器用途向けに最適化されています。高温でわずか 13 mA の逆電流をシンクし、充電器設計で動作電流 1 A で 0.2 V の順方向電圧降下を実現します。この機能はすべて、スペースに制約のある用途に最適化された小型フラットリードの TO-277 パッケージに収容されています。FSV1060V は、標準 Z 高さ 1.1 mm をサポートしています。ハロゲンフリーです。また、ウェーブはんだ付けプロセスにも適しています。超低順方向電圧降下： -0.47 V (標準) @ 10 A 、 TA = 25 ° C → 0.52 V (最大) @ 10 A 、 TA = 25 ° C 低熱抵抗 超低プロファイル：標準高さ 1.1 mm ハロゲンフリー

論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファ回路数 = 10出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF寸法 = 13 x 7.6 x 2.34mm動作供給電圧 Max = 3.6 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファ， ラインドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.5 ns @ 2.7 V寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

出力電流 Max = 1A出力電圧 Max = 37 Vレギュレータ機能 = バック コントローラ出力電圧 Min = 1.23 V入力電圧 Min = 4.75 V入力電圧 Max = 40 V出力タイプ = 可変実装タイプ = スルーホール出力数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = TO-220スイッチングレギュレータ = あり寸法 = 10.541 x 4.572 x 9.271mmスイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

論理回路 = ACロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ回路数 = 8入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC Wピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 3.3 V寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm動作供給電圧 Max = 6 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

出力電流 Max = 3A出力電圧 Max = 3.3 Vレギュレータ機能 = バック コントローラ入力電圧 Max = 40 V出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装出力数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = D2PAKスイッチングレギュレータ = あり寸法 = 10.236 x 4.572 x 9.347mmスイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

出力電流 Max = 3A出力電圧 Max = 37 Vレギュレータ機能 = バック コントローラ出力電圧 Min = 1.23 V入力電圧 Max = 40 V出力タイプ = 可変実装タイプ = 表面実装出力数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = D2PAKスイッチングレギュレータ = あり幅 = 4.572mmスイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアショットキーダイオードは、主に高効率 UHF / VHF 検出器用途向けに設計されています。他の多くの高速スイッチング RF 及びデジタル用途に容易に適応できます。ショットキーダイオードは、低コスト、大容量、産業 / 商業要件向けの安価なプラスチックパッケージに収められています。少数キャリアの寿命が極めて低い 非常に低い静電容量 低い逆漏洩電流 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC電源タイプ = ±2電源， 単一電源回路数 = 2ピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V標準ゲイン帯域幅積 = 1.8MHz標準デュアル供給電圧 = ±1.5 → ±22V標準スルーレート = 2.1V/μs最大動作周波数 = 100 kHz動作温度 Min = -40 ℃レール to レール = No幅 = 4mmMC33171/2/4、MCV33172、低電力、シングル電源、3 → 44 V、オペアンプ、ON Semiconductor. MC33171 (シングル)、MC33172 (デュアル)、MC33174 (クワッド) 低供給電流: アンプあたり180 μA 広帯域幅: 1.8 MHz 高スルーレート: 2.1 V/μs 低入力オフセット電圧: 2 mV 車載用途向けのNCV33172、AEC-Q100認定

出力電流 Max = 3A出力電圧 Max = 37 Vレギュレータ機能 = バック コントローラ出力電圧 Min = 1.23 V入力電圧 Min = 4.5 V入力電圧 Max = 40 V出力タイプ = 可変実装タイプ = 表面実装出力数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = D2PAKスイッチングレギュレータ = あり幅 = 4.572mmスイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

出力電圧 Min = 1.25 V出力電圧 Max = 40 V入力電圧 Min = 3 V入力電圧 Max = 40 V出力電流 Max = 1.5Aコンバータタイプ = 反転， ステップダウン， ステップアップ出力数 = 1実装タイプ = 表面実装効率 = 73%スイッチングレギュレータ、ステップアップ / ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 100V整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2AMMBD1205 ：高導電性超高速ダイオードプロセス 1P から取得。 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC電源タイプ = デュアル電源回路数 = 1ピン数 = 8標準デュアル供給電圧 = ±5 → ±20V標準スルーレート = 10V/μs動作温度 Max = +105 ℃レール to レール = No幅 = 4mmLM201A(V) / LM301A、非補償オペアンプ、ON Semiconductor. 低入力オフセット電流: 20 nA 柔軟性をもたらす外付け周波数補償 クラスAB出力が優れた直線性を実現 ショート出力保護

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC電源タイプ = デュアル電源回路数 = 1ピン数 = 8標準デュアル供給電圧 = ±3 → ±18V標準スルーレート = 10V/μs動作温度 Max = +70 ℃標準電圧ゲイン = 104 dB幅 = 4mmLM201A(V) / LM301A、非補償オペアンプ、ON Semiconductor. 低入力オフセット電流: 20 nA 柔軟性をもたらす外付け周波数補償 クラスAB出力が優れた直線性を実現 ショート出力保護

ロジックタイプ = トランシーバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 35mA低レベル出力電流 Max = -35mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165ns寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm動作供給電圧 Min = -0.5 V伝播遅延テスト条件 = 50pF高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC245A のピン配置は LS245 と同一です。デバイス入力は、標準 CMOS 出力と互換性があり、プルアップ抵抗器を備え、 LSTTL 出力と互換性があります。HC245A は、データバス間の双方向非同期通信に使用される 3 ステート非反転トランシーバです。このデバイスにはアクティブロー出力イネーブルピンがあり、 I/O ポートをハイインピーダンス状態にするために使用します。Direction コントロールは、データが A から B 、または B から A のどちらに流れるかを決定します出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷 CMOS 、 NMOS 、 TTL との直接インターフェイスで出力 動作電圧範囲： 2 ～ 6 V 低入力電流： 1 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 308 FET または 77 等価 Gates

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションFairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOP電源タイプ = 単一電源回路数 = 4ピン数 = 14標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz標準スルーレート = 13V/μs最大動作周波数 = 1 MHz動作温度 Min = -40 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB幅 = 4.5mmON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー入力タイプ = CMOS出力タイプ = CMOS1チップ当たりのエレメント数 = 6最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 188 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 4mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 74HC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 4mmMM74HC14 は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用することで、標準 CMOS の低電力損失と高ノイズ耐性を実現するだけでなく、 10 LS-TTL 負荷を駆動できます。74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的かつピン配列が互換性があります。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加することにより、すべての入力が静電気放電によって損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 13 ns 広い電源範囲： 2 → 6 V 低静止電流：最大 20 μ A (74HC シリーズ ) 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 標準ヒステリシス電圧： 0.9 V @ VCC = 4.5 V 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

論理回路 = 74ACTロジックタイプ = バッファ， ドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12.5 ns @ 50 pF寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 4.5 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOP電源タイプ = 単一電源回路数 = 4ピン数 = 14標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz標準スルーレート = 13V/μs最大動作周波数 = 1 MHz動作温度 Min = -40 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB幅 = 4.5mmON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ出力タイプ = シングルエンド1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 250 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -4.2mA低レベル出力電流 Max = 4.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 4000寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 4mm4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

アンプタイプ = オペアンプ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = マイクロ電源タイプ = 単一電源回路数 = 1ピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 13 V標準ゲイン帯域幅積 = 2.2MHz出力タイプ = レール ツー レール標準スルーレート = 1V/μs最大動作周波数 = 100 kHz動作温度 Min = -40 ℃標準電圧ゲイン = 300 kV/VmV寸法 = 3.1 x 3.1 x 0.95mmON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4、12 V 低ノイズ、レールツーレール入出力、高出力ドライブオペアンプ. ON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4 オペアンプは、入力と出力のいずれでもレールツーレール動作を実現します。入力は200mVの高さにまで駆動でき、出力で電源レールを越えても位相反転がなく、レールごとの出力振幅は50 mV以内です。レール・ツー・レール動作により、電源電圧範囲をフルに活用できます。 出力電流ブースト技術で高出力電流が可能になる一方でアンプのドレイン電流は最小に保たれます。ノイズと歪みが低くスルー・レートとドライブが高いという能力の組み合わせにより、オーディオ・アプリケーションに最適です。. 低電圧、単一電源動作(+1.8 V / アース → +12 V / アース) 両電源レールを含む入力電圧範囲 両レールとも50mV以内の出力電圧の振幅 過駆動入力信号の出力で位相反転なし 高出力電流(ISC = 80 mA、標準) 低供給電流(ID = 0.9 mA、標準) 出力駆動能力：600 W 標準ゲイン帯域幅積：2.2 MHz

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-563最大連続 順方向電流 = 200mA整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆回復時間 = 6nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mAメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC電源タイプ = 単一電源回路数 = 4ピン数 = 14標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz標準スルーレート = 13V/μs最大動作周波数 = 100 kHz動作温度 Max = +85 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB幅 = 4mmON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC電源タイプ = 単一電源回路数 = 4ピン数 = 14標準シングル供給電圧 = 3 → 32 V動作温度 Min = 0 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mmLM324、LM224、LM2902、NCV2902、シングル電源、クワッドオペアンプ、ON Semiconductor. 真の差動入力のON Semiconductor LM324 / LM224 / LM2902 / NCV2902クワッドオペアンプは、3 Vから32 Vまでの供給電圧で動作します。 コモンモード入力範囲には負の電源が含まれるため、多くのアプリケーションで外部バイアスコンポーネントが不要になります。 出力電圧範囲にも負の電源電圧が含まれます。. パッケージあたり4個のアンプ 短絡保護出力 真の差動入力段 シングル電源動作: 3 → 32 V 低入力バイアス電流: 100 nA最大(LM324A) 内部補償 入力のESDクランプにより、デバイスの動作に影響を与えることなく安定性が向上

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 2ゲートあたりの入力数 = 4パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 4000入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 300 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = -5 V低レベル出力電流 Max = 4.2mA自動車規格 = AEC-Q100mm4000シリーズロジックゲート、ON Semiconductors

ロジックタイプ = XOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -10mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 150ns動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 10mA幅 = 4mm4000シリーズロジックゲート、ON Semiconductors

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SC-70ピン数 = 5論理回路 = TinyLogic ULP-A入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 3.6 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.3 ns @ 30 pF動作供給電圧 Min = 0.9 V低レベル出力電流 Max = 24mA寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmTinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMLP寸法 = 1.8 x 2.6 x 0.5mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

ピン数 = 10実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMLP寸法 = 1.4 x 1.8 x 0.5mm動作温度 Min = -40 ℃USBスイッチ、Fairchild Semiconductor

ピン数 = 6実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70寸法 = 2 x 1.25 x 1mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

ピン数 = 6実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70寸法 = 2 x 1.25 x 1mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 5論理回路 = TinyLogic HS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 2.6mA幅 = 1.7mmTinyLogic HS、Fairchild Semiconductor. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 6.0 ESD保護ダイオード

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MLP寸法 = 3 x 3 x 0.75mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

ピン数 = 6実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm動作温度 Max = +85 ℃TinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 10 x 4 x 1.75mm動作温度 Min = -55 ℃MC14051B 、 MC14052B 、および MC14053B アナログマルチプレクサは、デジタル制御のアナログスイッチです。MC14051B は、 SP8T ソリッドステートスイッチ、 MC14052B DP4T 、および MC14053B トリプル SPDT を効果的に実装しています。3 つのデバイスはすべて、低オンインピーダンスと非常に低いオフ漏洩電流を特長としています。完全な供給電圧範囲までのアナログ信号を制御できます。制御入力のトリプルダイオード保護 スイッチ機能はブレークビフォアメイクです 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc アナログ電圧範囲( VDD - VEE ) = 3.0 → 18 V (注意)： VEE< は VSS にする必要があります 線形化された転送特性 低ノイズ - 12 nV/sqrt.Cycle， f< = 1.0 kHz 標準 CD4051 、 CD4052 、および CD4053 のピン間交換 4PDT スイッチについては、 MC14551B を参照してください 低 RON の場合は、 HC4051 、 HC4052 、または HC4053 高速 CMOS デバイスを使用します 鉛フリーパッケージを用意