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エコロジープロダクト

周辺器コントローラ AEC-Q100 onsemi, 8ピン SOIC
onsemi¥1,298税込¥1,4281袋(10個)7日以内出荷実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。動作供給電圧 Max = 51 V。動作温度 Max = +150 ℃。動作供給電圧 Min = 42 V。動作温度 Min = -55 ℃。自動車規格 = AEC-Q100。NCV8402 は、 3 Terminal Protection を備えた 2 チャンネルのローサイドスマートディスクリートデバイスです。保護機能には、過電流、過熱、 ESD 、過電圧保護用のドレイン - ゲート間クランプの機能が内蔵されています。このデバイスは保護機能を備え、過酷な車載環境に適しています。短絡保護 自動再起動によるサーマルシャットダウン 誘導型スイッチング用の一体型クランプ ESD保護 dV/dt 耐久性 アナログドライブ機能(ロジックレベル入力) 工場及び変更管理を必要とする車載などの用途には先頭に「 NCV 」の文字を使用します 最終製品 自動車 用途 さまざまな抵抗負荷、誘導負荷、静電容量負荷を切り替えます 電気機械式リレーとディスクリート回路を交換可能 ランプドライバ リレードライバRoHS指令(10物質対応)対応
電圧レベルシフタ onsemi
onsemi¥999税込¥1,0991袋(25個)7日以内出荷論理回路 = HC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。伝播遅延テスト条件 = 45pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 45 pF。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
周辺器コントローラ onsemi, 6ピン WLCSP
onsemi¥939税込¥1,0331袋(10個)7日以内出荷実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = WLCSP。ピン数 = 6。寸法 = 1.5 x 1 x 0.33mm。長さ = 1.5mm。幅 = 1mm。高さ = 0.33mm。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.5 V。動作温度 Min = -40 ℃。DISO ロードスイッチ 入力電源動作電圧範囲: 1.5 → 5.5 V RON 50 m Ω @ VIN = 3.3 V / チャンネル(標準) 真の逆流防止( TRCB ) 1< μ F の出力で 130 μ s に制御される固定スルーレート ISW :チャネルあたり 1.5 A (最大) FPF1321 の急速放電機能 ESD 保護: 人体モデル>: 6 kV 充電済みデバイスモデル>: 1.5 kV IEC 61000-4-2 空中放電:> 15 kV IEC 61000-4-2 接触放電:> 8 kV 用途 スマートフォン / タブレット PC 携帯機器 近距離無線通信( NFC )に対応しています SIM カード電源RoHS指令(10物質対応)対応
電圧レベルシフタ onsemi
onsemi¥2,498税込¥2,7481袋(25個)7日以内出荷論理回路 = AC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃。AC/ACT244 は、メモリアドレスドライバ、クロックドライバ、バス指向トランスミッタ / レシーバとして使用されるように設計されたオクタルバッファ / ラインドライバで、基板密度を改善します。ICC と IOZ は 50% 削減されました 3-STATE はドライブバスラインまたはバッファメモリアドレスレジスタを出力する 出力ソース / シンク: 24 mA ACT244 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
電圧レベルシフタ onsemi
onsemi¥349税込¥3841袋(5個)7日以内出荷論理回路 = FXL。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MicroPak。ピン数 = 10。寸法 = 2.1 x 1.6 x 0.5mm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝播遅延テスト条件 = 15pF。動作供給電圧 Max = 3.6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.1 V。動作温度 Min = -40 ℃。電圧レベルトランスレータ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi MOSFETゲートドライバ 350 mA 、 650 mA SOP 2 14-Pin ハイ/ローサイド 非反転 表面実装
onsemi¥1,498税込¥1,6481箱(5個)7日以内出荷仕様ロジックタイプ:TTL出力電流(mA)350 、 650ピン数(ピン)14極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor供給電圧(V)20パッケージSOP実装タイプ表面実装ブリッジタイプハーフブリッジドライバ数2トポロジーハイ/ローサイド高/低サイド依存性独立出力数2
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi¥489税込¥5381箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:0.6V●最大連続ドレイン電流:2.4 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:9 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)55最大ゲート-ソース間電圧(V)-12 , +12トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 39 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピン
onsemi¥2,298税込¥2,5281箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:39 A幅(mm)4.9シリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)37チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)66最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 11.2 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi¥1,298税込¥1,4281箱(2個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:11.2 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)5材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)17最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET12 V 10 A 表面実装 パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピン
onsemi¥969税込¥1,0661箱(10個)7日以内出荷仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷幅(mm)2シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)10最大ドレイン-ソース間電圧(V)12最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)82最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8トランジスタ構成シングル最大パワー消費2.4 W
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
onsemi¥919税込¥1,0111箱(2個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:80 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorパッケージTO-220実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)242チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi¥2,798税込¥3,0781箱(100個)7日以内出荷仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。長さ(mm)2.92ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)680最大ドレイン-ソース間電圧(V)25最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450最小ゲートしきい値電圧(V)0.65最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成シングル
onsemi 電源スイッチIC
onsemi¥1,698税込¥1,8681セット(20個)7日以内出荷仕様統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor寸法(mm)3×1.7×1ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)8パワーレーティング(W)0.7電源スイッチの種類内蔵負荷動作電流(A)最大2.5
onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 4.7 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi¥1,898税込¥2,0881箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:4.7 A高さ(mm)1.575ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電パッケージSOIC実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.6、2チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)82最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成絶縁型
onsemi Nチャンネル MOSFET150 V 79 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
onsemi¥779税込¥8571個7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:79 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)310チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)150最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)48最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 8 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi¥1,898税込¥2,0881箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs:18 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)54チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi ファストリカバリー 整流ダイオード, 1A, 50V 表面実装, 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 920mV
onsemi¥2,298税込¥2,5281箱(100個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)920ピーク逆繰返し電圧(V)50ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)15
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 58 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi¥889税込¥9781箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:1.2V●最大連続ドレイン電流:58 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)55チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)175
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 11 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi¥2,298税込¥2,5281箱(10個)7日以内出荷仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプP最大パワー消費(W)2.5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)11最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET600 V 7 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi¥2,298税込¥2,5281箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:0.2916666667長さ(mm)6.73高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮しますパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)83チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)600最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 16 A 表面実装 パッケージPower 33 8 ピン
onsemi¥899税込¥9891箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:16 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージPower 33実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)35材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)212最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 76 A 表面実装 パッケージPQFN8 8 ピン
onsemi¥1,898税込¥2,0881箱(3個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:2.5V●最大連続ドレイン電流:76 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:72 nC @ 10 V高さ(mm)1.05ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorパッケージPQFN8実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)125チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi¥949税込¥1,0441箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:0.25●標準ゲートチャージ @ Vgs:7.7 nC @ 5 Vピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)29最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成絶縁型最小動作温度(℃)-55
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 15 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi¥869税込¥9561箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:1.2V●最大連続ドレイン電流:15 A幅(mm)4シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi¥719税込¥7911箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:0.4V●最大連続ドレイン電流:2.4 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:12 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)52最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 , +8トランジスタ構成シングル
onsemi N, Pチャンネル MOSFET20 V 3.1 A、3.7 A 表面実装 パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピン
onsemi¥119,800税込¥131,7801リール(3000個)7日以内出荷仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している幅(mm)2シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN, P最大パワー消費(W)1.4チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.1 、3.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6895最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成絶縁型
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 5.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
onsemi¥559税込¥6151箱(10個)7日以内出荷仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)5.8最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)43最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.6 W
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 160 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi¥1,998税込¥2,1981箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:1.2V●最大連続ドレイン電流:160 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)160チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FDS8958A
onsemi¥1,898税込¥2,0881箱(10個)7日以内出荷仕様このデュアル N / P チャンネル拡張モード電界効果トランジスタは、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産されており、特にオン状態抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するようにカスタマイズされています。これらのデバイスは、低インライン電力損失及び高速スイッチングが必要な低電圧用途やバッテリ駆動用途に最適です。Q1 : N チャネル 7.0 A 、 30 V RDS ( ON )-4.5 V 高速スイッチング速度 幅広く使用されている表面実装パッケージピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOIC実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大パワー消費(W)2最大動作温度(℃)150
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi¥1,798税込¥1,9781箱(10個)7日以内出荷仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)11最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)30最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、+25トランジスタ構成シングル最大パワー消費52 W
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 18 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi¥3,298税込¥3,6281箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:18 A幅(mm)3.9高さ(mm)1.575ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
onsemi¥1,698税込¥1,8681箱(20個)7日以内出荷仕様自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.6チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)4最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12トランジスタ構成シングル
onsemi PWMコントローラ IC, 8-Pin SOP
onsemi¥1,198税込¥1,3181箱(10個)7日以内出荷仕様●PWM コントローラタイプ:電流モード●コントロール方法:電流●フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor幅(mm)3.9寸法(mm)4.9×3.9×1.75高さ(mm)1.75出力電圧(V)4.5出力電流(mA)150ピン数(ピン)8動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応スイッチング周波数(kHz)最大190降下時間(ns)120
onsemi Pチャンネル MOSFET25 V 460 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi¥64税込¥701個7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:0.65V●最大連続ドレイン電流:460 mAピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチングパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)350材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)25最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.1最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi MOSFETゲートドライバ ±10.6 A, ±11.4 A SOIC 2 8-Pin ローサイド 非反転 表面実装
onsemi¥1,298税込¥1,4281箱(5個)7日以内出荷仕様ロジックタイプ:CMOS出力電流(A)±10.6 , ±11.4ピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor供給電圧(V)18パッケージSOIC実装タイプ表面実装ブリッジタイプフルブリッジドライバ数1トポロジーローサイド高/低サイド依存性シンクロナス出力数2
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi¥579税込¥6371箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:1.9 A幅(mm)1.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)600最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
onsemi¥109税込¥1201個7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:0.65V●最大連続ドレイン電流:680 mA●標準ゲートチャージ @ Vgs:1.64 nC @ 4.5 Vピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性デジタルFET、Fairchild SemiconductorパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)900チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)25最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成絶縁型最小動作温度(℃)-55
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi¥2,498税込¥2,7481箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:20 A幅(mm)4シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 , +25トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル IGBT 600 V 120 A, 3-Pin TO-247AB シングル
onsemi¥969税込¥1,0661個7日以内出荷仕様最大連続コレクタ電流:120 A寸法(mm)15.6×4.7×20.6ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorパッケージTO-247AB実装タイプスルーホール最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプN最大パワー消費(W)600トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi¥749税込¥8241箱(10個)7日以内出荷仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.3最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、 +25トランジスタ構成シングル最大パワー消費500 mW





























