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ピーク感度波長 = 880nmパッケージタイプ = T-1 3/4実装タイプ = スルーホール実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 700nm最大検出波長 = 1100nm標準降下時間 = 5ns長さ = 4.95mm高さ = 8.77mm直径 = 6.1mm標準上昇時間 = 5nsQSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。 標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ 広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ 高感度 波長: 880 nm 検出面積: 1.245 x 1.245 mm

検出スペクトル = 赤外線ピーク感度波長 = 940nmパッケージタイプ = PLCC 2L増幅機能 = なしピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 400nm最大検出波長 = 1100nm長さ = 4.5mm幅 = 4mm高さ = 1.2mmQSB34 PINフォトダイオード. Fairchild Semiconductor QSB34シリーズのシリコンPINフォトダイオードファミリです。 上取り付け又は下取り付けの表面実装(SMD)パッケージ入りです。 QSB34フォトダイオードには、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタ付き又はなしのものがあります。. QSB34の特長: QSB34GR / QSB34ZR / QSB34CGR / QSB34CZR 高速PINフォトダイオード レセプション角度: 120 ° 検出面積: 2.55 x 2.55 mm チップ寸法: 3 x 3 mm 高感度 低静電容量

論理回路 = FXLP実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70ピン数 = 5寸法 = 2 x 1.25 x 1mm低レベル出力電流 Max = 2.6mA高レベル出力電流 Max = -2.6mA伝播遅延テスト条件 = 30pF動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1 V動作温度 Min = -40 ℃電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = FXMA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMLPピン数 = 8寸法 = 1.4 x 1.2 x 0.525mm低レベル出力電流 Max = 50mA高レベル出力電流 Max = -50mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.65 V動作温度 Min = -40 ℃電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = ACT実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC出力タイプ = 3ステート寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = 24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 4.5 V動作温度 Min = -40 ℃

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mm長さ = 5mm幅 = 4mm高さ = 1.5mm動作供給電圧 Max = 51 V動作温度 Max = +150 ℃動作供給電圧 Min = 42 V動作温度 Min = -55 ℃自動車規格 = AEC-Q100NCV8402 は、 3 Terminal Protection を備えた 2 チャンネルのローサイドスマートディスクリートデバイスです。保護機能には、過電流、過熱、 ESD 、過電圧保護用のドレイン - ゲート間クランプの機能が内蔵されています。このデバイスは保護機能を備え、過酷な車載環境に適しています。短絡保護 自動再起動によるサーマルシャットダウン 誘導型スイッチング用の一体型クランプ ESD保護 dV/dt 耐久性 アナログドライブ機能(ロジックレベル入力) 工場及び変更管理を必要とする車載などの用途には先頭に「 NCV 」の文字を使用します 最終製品 自動車 用途 さまざまな抵抗負荷、誘導負荷、静電容量負荷を切り替えます 電気機械式リレーとディスクリート回路を交換可能 ランプドライバ リレードライバ

論理回路 = HC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14ロジックタイプ = バッファmm低レベル出力電流 Max = 7.8mA高レベル出力電流 Max = 7.8mA伝播遅延テスト条件 = 45pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 45 pF動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 16ロジックタイプ = レベルシフタmm低レベル出力電流 Max = 2.4mA高レベル出力電流 Max = -2.4mA伝送 = CMOS， TTL to CMOS伝播遅延テスト条件 = 50pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 550 ns @ 50 pF動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -55 ℃4000シリーズロジックレベルトランスレータ、電圧トランスレータ、ON Semiconductor

論理回路 = LCX実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20ロジックタイプ = バッファmm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝送 = CMOS伝播遅延テスト条件 = 50pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = WLCSPピン数 = 6寸法 = 1.5 x 1 x 0.33mm長さ = 1.5mm幅 = 1mm高さ = 0.33mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.5 V動作温度 Min = -40 ℃DISO ロードスイッチ 入力電源動作電圧範囲： 1.5 → 5.5 V RON 50 m Ω @ VIN = 3.3 V / チャンネル(標準) 真の逆流防止( TRCB ) 1< μ F の出力で 130 μ s に制御される固定スルーレート ISW ：チャネルあたり 1.5 A (最大) FPF1321 の急速放電機能 ESD 保護： 人体モデル>： 6 kV 充電済みデバイスモデル>： 1.5 kV IEC 61000-4-2 空中放電：> 15 kV IEC 61000-4-2 接触放電：> 8 kV 用途 スマートフォン / タブレット PC 携帯機器 近距離無線通信( NFC )に対応しています SIM カード電源

論理回路 = AC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃AC/ACT244 は、メモリアドレスドライバ、クロックドライバ、バス指向トランスミッタ / レシーバとして使用されるように設計されたオクタルバッファ / ラインドライバで、基板密度を改善します。ICC と IOZ は 50% 削減されました 3-STATE はドライブバスラインまたはバッファメモリアドレスレジスタを出力する 出力ソース / シンク： 24 mA ACT244 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

論理回路 = FXL実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroPakピン数 = 10寸法 = 2.1 x 1.6 x 0.5mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 15pF動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.1 V動作温度 Min = -40 ℃電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor