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onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 15 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピン
onsemi￥549税込￥6041個7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：15 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：48.5 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)38.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)650最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)440最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 900 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥449税込￥4941箱(10個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)900最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)220最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル最大パワー消費350 mW
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥629税込￥6921箱(10個)7日以内出荷仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.6最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)115最大ゲートしきい値電圧(V)1.5最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成シングル最大パワー消費500 mW
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.3 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
onsemi￥1,198税込￥1,3181箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：3.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.1 nC @ 10 V高さ(mm)1.7ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2.2チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)189最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 6.9 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi￥1,098税込￥1,2081箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：6.9 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：29 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造をパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)1600チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成絶縁型
onsemi MOSFETゲートドライバ 0.18 A SOIC 2 8-Pin ハイ/ローサイド 非反転 表面実装
onsemi￥1,498税込￥1,6481箱(10個)7日以内出荷仕様ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductorタイプロジック：TTLピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応出力電流0.18 A供給電圧(V)20実装タイプ表面実装ブリッジタイプハーフブリッジドライバ数2トポロジーハイ/ローサイド高/低サイド依存性シンクロナス出力数2
onsemi Pチャンネル MOSFET40 V 6.7 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥1,198税込￥1,3181箱(10個)7日以内出荷仕様自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)6.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)69最小ゲートしきい値電圧(V)1.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費42 W
onsemi スイッチングダイオード スルーホール， シングル，エレメント数 1 DO-35， 2-Pin 1V
onsemi￥1,598税込￥1,7581セット(100個)7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)4.06直径(Φmm)1.91寸法1.91 (Dia.) x 4.06mmピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65 、(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi￥979税込￥1,0771箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：13 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：21 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル IGBT 600 V 80 A， 3-Pin TO-247 シングル
onsemi￥919税込￥1,0111個7日以内出荷仕様最大連続コレクタ電流：80 A寸法(mm)15.6×4.7×20.6ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorパッケージTO-247実装タイプスルーホール最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプN最大パワー消費(W)349トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 13.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi￥1,798税込￥1,9781箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：13.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：86 nC @ 4.5 Vピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 30 A 表面実装 パッケージPower 33 8 ピン
onsemi￥629税込￥6921箱(2個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：30 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：15 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージPower 33実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)41チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi MOSFETゲートドライバ 350 mA 、 650 mA SOIC 6 20-Pin ハイ/ローサイド 反転 表面実装
onsemi￥849税込￥9341箱(2個)7日以内出荷仕様3相ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor出力電流(mA)350 、 650ピン数(ピン)20極性反転RoHS指令(10物質対応)対応供給電圧(V)20パッケージSOIC実装タイプ表面実装ブリッジタイプハーフブリッジドライバ数3トポロジーハイ/ローサイド高/低サイド依存性独立出力数6onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 36 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥729税込￥8021箱(2個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：36 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：13.4 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)62チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)44最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 6.3A 表面実装 パッケージSSOT-6 6 ピン
onsemi￥679税込￥7471箱(10個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A高さ(mm)1ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)6.3最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.6 W
onsemi Nチャンネル MOSFET250 V 44 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
onsemi￥839税込￥9231箱(2個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：44 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：47 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)307チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)250最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)69トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 57 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥999税込￥1,0991箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：57 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：37 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)44チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi PWMコントローラ IC， 8-Pin SOP
onsemi￥639税込￥7031箱(5個)7日以内出荷仕様●上昇時間：200ns●最大スイッチング周波数：190 kHz長さ(mm)5幅(mm)4寸法(mm)5×4×1.5高さ(mm)1.5出力電圧(V)7.5コントロール電流RoHS指令(10物質対応)対応特性フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor実装タイプ表面実装トポロジーフライバック最小動作温度(℃)-40onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥119,800税込￥131,7801リール(3000個)7日以内出荷仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)80最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングルonsemi Pチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi￥1,298税込￥1,4281箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：13 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 61 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥639税込￥7031個7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：61 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：58 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)417000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)41最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi￥969税込￥1,0661箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：26 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 7 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.2916666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：15 nC @ 5 V高さ(mm)1.5ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造をパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成絶縁型
onsemi Nチャンネル IGBT 600 V 80 A， 3-Pin TO-247 シングル
onsemi￥679税込￥7471個7日以内出荷仕様最大連続コレクタ電流：80 A寸法(mm)15.6×4.7×20.6ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorパッケージTO-247実装タイプスルーホール最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプN最大パワー消費(W)290トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi スイッチングダイオード 表面実装， シングル，エレメント数 1 DO-214AB (SMC)， 2-Pin 1.7V
onsemi￥529税込￥5821箱(10個)7日以内出荷仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor長さ(mm)7.11幅(mm)6.22寸法(mm)7.11×6.22×2.62高さ(mm)2.62ピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)-50～+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装
onsemi MOSFETゲートドライバ 3 A SOT-23 1 5-Pin ローサイド 反転， 非反転 表面実装
onsemi￥699税込￥7691箱(5個)7日以内出荷仕様ロジックタイプ：TTLピン数(ピン)5極性反転， 非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor出力電流0.125供給電圧(V)18パッケージSOT-23実装タイプ表面実装ドライバ数1トポロジーローサイド出力数1
onsemi N， Pチャンネル MOSFET20 V 1.9 A、2.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(10個)7日以内出荷仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているピン数(ピン)6動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， Pチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.9 、2.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)130270最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成絶縁型標準ゲートチャージ2.85 nC @ 4.5 V、3.25 nC @ 4.5 V最大パワー消費960 mWonsemi Nチャンネル MOSFET40 V 145 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥599税込￥6591箱(2個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：145 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：89 nC @ 10 V高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)153チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi 汎用 整流ダイオード， 300mA， 100V 表面実装， 2-Pin SOD-80 シリコンジャンクション 1V
onsemi￥1,698税込￥1,8681セット(250個)7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.5ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)300
onsemi 整流ダイオード， 1A， 200V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 920mV
onsemi￥419税込￥4611箱(10個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)920ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)15
onsemi ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 300V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.3V
onsemi￥2,298税込￥2,5281セット(100個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.3ピーク逆繰返し電圧(V)300ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)35
onsemi MOSFETゲートドライバ 2.5 A 、 2.5 A SOP 2 8-Pin ハイ/ローサイド 非反転 表面実装
onsemi￥1,798税込￥1,9781箱(5個)7日以内出荷仕様ロジックタイプ：CMOS， TTL出力電流(A)2.5 、 2.5ピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ハイ / ローサイドゲートドライバ、Fairchild Semiconductor供給電圧(V)20パッケージSOP実装タイプ表面実装ブリッジタイプハーフブリッジドライバ数2トポロジーハイ/ローサイド出力数2onsemi Nチャンネル MOSFET300 V 28 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
onsemi￥879税込￥9671箱(2個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：28 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：39 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)250Wチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)129最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.5 A、6.4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi￥1,898税込￥2,0881箱(10個)欠品中仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している幅(mm)3.9高さ(mm)1.575ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， Pチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)4.5、6.4最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)3980最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、-20、+20、+25トランジスタ構成絶縁型最大パワー消費1.6 W、2 Wonsemi Nチャンネル MOSFET30 V 12.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi￥999税込￥1,0991箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：12.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：16 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 62 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
onsemi￥759税込￥8351個7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：62 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：76 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)260チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)27最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 14 A 表面実装 パッケージPower 33 8 ピン
onsemi￥939税込￥1,0331箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージPower 33実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)30チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)150
onsemi ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 100V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 920mV
onsemi￥3,298税込￥3,6281箱(100個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)920ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)15
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 94 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥1,298税込￥1,4281箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：94 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)80材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングルonsemi Nチャンネル MOSFET100 V 2.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥759税込￥8351箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：2.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：3 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)183最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
