「ダイオード 10a」の検索結果

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 10A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DFN。最大連続 順方向電流 = 10A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 5。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = TO-220AC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 10.29mm。幅 = 4.82mm。高さ = 9.27mm。寸法 = 9.27 x 10.29 x 4.82mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = -277 へ。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 520mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 280A。FSV1060V ショットキー整流器は、ブレークスルーのサイズと性能を備えています。このデバイスは、モバイル充電器用途向けに最適化されています。高温でわずか 13 mA の逆電流をシンクし、充電器設計で動作電流 1 A で 0.2 V の順方向電圧降下を実現します。この機能はすべて、スペースに制約のある用途に最適化された小型フラットリードの TO-277 パッケージに収容されています。FSV1060V は、標準 Z 高さ 1.1 mm をサポートしています。ハロゲンフリーです。また、ウェーブはんだ付けプロセスにも適しています。超低順方向電圧降下： -0.47 V (標準) @ 10 A 、 TA = 25 ° C → 0.52 V (最大) @ 10 A 、 TA = 25 ° C 低熱抵抗 超低プロファイル：標準高さ 1.1 mm ハロゲンフリー

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = ケース 59-10。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 20V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Ultrafast 整流器は、スイッチング電源、インバータ、還流ダイオードとして使用するように設計されています。超高速 35 ナノ秒回復時間 動作ジャンクション温度： 175 C 一般的な TO-220 パッケージ @1/8 インチ 耐熱ガラス不動態化ジャンクション 600 V までの高電圧に対応 低漏洩電流仕様 @ 150 C ケース温度 現在のディレーティングは、ケースと周囲温度の両方で行われます 機械的特性： ケース：エポキシ、成形 重量：約 1.9 グラム 仕上げ：すべての外面に耐腐食性、 Terminal Leads は容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度：最大 260 ° C ( 10 秒間) プラスチックチューブ 1 個につき 50 個出荷 マーキング： UH860

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 16A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 20A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON Semiconductor

ダイオード構成 = コモンカソード。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3mV。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 10.29mm。幅 = 9.65mm。高さ = 4.83mm。寸法 = 4.83 x 10.29 x 9.65mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 120mA。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 20A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 800mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 350A。メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 250V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 970mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = POWERMITE。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 550mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = Power Mite。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = ケース 267-05。最大連続 順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ピーク逆回復時間 = 100ns。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 70A。スイッチング電源、インバータ、フリーホイーリングダイオードとして使用するように設計された、超高速「 E 」シリーズは、最先端のデバイスです20 mジュール アバランシェエネルギーを保証 誘導負荷回路のスイッチングにおける電圧トランジェントに対する優れた保護 超高速 75 ナノ秒の回復時間 動作ジャンクション温度： 175 ° C 低順方向電圧 低漏洩電流 耐熱ガラス不動態化ジャンクション 逆電圧：最大 1000 V 機械的特性： ケース：エポキシ、成形 重量：約 1.1 グラム 仕上げ：すべての外面に耐腐食性、 Terminal Leads は容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度：最大 260 ° C ( 10 秒間) 極性：極性バンドでカソードを表示 マーキング： MUR480E 、 MUR4100E

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 250V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-41。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 250V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 970mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 16A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 975mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 100ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 550mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 140A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MicroDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 4.55mm。幅 = 5.15mm。UL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mm2のみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MicroDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 5.15 x 4.55 x 1.45mm。高さ = 1.45mm。UL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mm2のみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DSN - 0402。最大連続 順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = -420mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 10A

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MicroDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 4.55mm。高さ = 1.45mm。UL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mm2のみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 30A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 880mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 250A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 440mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123FL。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 840mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123FL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 550mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

ピーク平均順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 8.51mm。高さ = 2.6mm。ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流