「8v1」の検索結果

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8V。最小ブレークダウン電圧 = 5.32V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 3V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 24W。最大ピークパルス電流 = 3A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。24 Wデュアルツェナートランジェント電圧サプレッサ、ON Semiconductor. ESD保護のためのSOT-23デュアルコモンアノードツェナー。 コンピュータ、プリンタ、ビジネスマシン、通信システム、医療機器など、電圧や静電気放電に敏感な機器で使用。

管理数 = 1。最大リセット閾値電圧 = 1.29V。最小リセット閾値電圧 = 1.24V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = マイクロ。ピン数 = 8。寸法 = 3.1 x 3.1 x 0.95mm。最大リセット閾値電圧 = 4V。動作供給電圧 Max = 40 V。自動車規格 = AEC-Q100V。自動車用 NCV バージョン 一意のモード選択入力により、チャネルプログラミングが可能です 過電圧、低電圧、窓電圧検出 正 / 負電圧検出 2.0 V で完全に機能し、正の電圧検出に使用し、負の電圧検出には 4.0 V を使用します 電流制限保護付き 2.54 V リファレンスをピン配列しています 低待機電流 オープンコレクタ出力により、デバイスの柔軟性が向上 鉛フリーパッケージを用意 用途 電子ボディ 制動 インフォテイメント インストルメントクラスタ ナギブーター 乗員の快適性 乗員保護 パワートレイン

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8V。最小ブレークダウン電圧 = 5.32V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-74。最大逆スタンドオフ電圧 = 3V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 150W。最大ピークパルス電流 = 3A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 4。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 1mm。24 Wクワッドコモンアノード過渡電圧サプレッサ(ESD保護用)

電圧管理タイプ = 電圧モニター。管理数 = 1。最大リセット閾値電圧 = 1.295V。最小リセット閾値電圧 = 1.245V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 40 V。動作供給電圧 Min = 2 V。マイクロプロセッサ監視/リセット回路、On Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MicroDIP。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 5.15 x 4.55 x 1.45mm。高さ = 1.45mm。UL、E352360. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MDBxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. 低パッケージプロファイル: 1.45 mm(最大) 必要な基板スペース: 35 mm2のみ 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適

メモリサイズ = 8kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 1 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 1Kns。EEPROMシリアルI2C、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA， 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω， 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor

メモリサイズ = 4kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 512 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 512ns

メモリサイズ = 256kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 32 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 32k。SPIシリアルEEPROM、ON Semiconductor

メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 8Kns。EEPROMシリアルI2C、ON Semiconductor

メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 8 k x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 8k。SPIシリアルEEPROM、ON Semiconductor

メモリサイズ = 128kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 16 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 16Kμs。EEPROMシリアルI2C、ON Semiconductor

メモリサイズ = 2kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = TSOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 5。構成 = 256 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 2.9 x 1.6 x 0.9mm。自動車規格 = AEC-Q100年。EEPROMシリアルI2C、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 128 m Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 50ns。最大入力電流 = 15 mA。絶縁電圧 = 3750 V ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 12ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 30ns。最大入力電流 = 30 mA。絶縁電圧 = 5000 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = 6N137。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 60ns。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 60ns。シリーズ = FOD。オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 22ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 3ns。シリーズ = FOD。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5ns。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 2500 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 50%。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3.2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 2500 V ac。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = MOC。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-126。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 12.5 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 8 x 3.25 x 11mm。小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 50ns。最大入力電流 = 15 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 12ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 30ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = 6N137。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3.2μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 2.5 kVrms。最大電流変換率 = 200%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = MOC。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 4 A。供給電圧 = 20V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOP。出力数 = 1。トポロジー = ハイサイド。ドライバ数 = 1。ブリッジタイプ = ハーフブリッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。ハイサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 200 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 50%。シリーズ = 6N136。特殊機能 = パルストランス代替品、広帯域幅アナログカップリング。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 0.3μs。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 2.5 kVrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 50%。標準降下時間 = 0.45μs。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトダーリントン。最大順方向電圧 = 1.7V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 20 mA。絶縁電圧 = 2500 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 2600%。シリーズ = HCPL。特殊機能 = 電流ループレシーバ、デジタルロジックアース絶縁、電話機の鳴動検出器。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = 光電センサ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 30ns。最大入力電流 = 200 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = 6N137。特殊機能 = コンピュータ周辺機器インターフェイス、データ多重化、パルストランス代替品。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Ultrafast 整流器は、スイッチング電源、インバータ、還流ダイオードとして使用するように設計されています。超高速 35 ナノ秒回復時間 動作ジャンクション温度： 175 C 一般的な TO-220 パッケージ @1/8 インチ 耐熱ガラス不動態化ジャンクション 600 V までの高電圧に対応 低漏洩電流仕様 @ 150 C ケース温度 現在のディレーティングは、ケースと周囲温度の両方で行われます 機械的特性： ケース：エポキシ、成形 重量：約 1.9 グラム 仕上げ：すべての外面に耐腐食性、 Terminal Leads は容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度：最大 260 ° C ( 10 秒間) プラスチックチューブ 1 個につき 50 個出荷 マーキング： UH860

メモリサイズ = 16kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 2 k x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。自動車規格 = AEC-Q100年。CAT25160 は、 2048 x 8 ビットとして内部で構成された EEPROM シリアル 16 Kb SPI デバイスです。32 バイトのページ書き込みバッファを備え、シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )プロトコルをサポートしています。このデバイスは、チップ選択( CS )入力によって有効になります。さらに、必要なバス信号は、クロック入力( SCK )、データ入力( SI )、データ出力( SO )の各ラインです。HOLD 入力は、 CAT25160 デバイスとのあらゆるシリアル通信を一時停止するために使用できます。これらのデバイスは、部分的なアレイ保護と完全なアレイ保護を含む、ソフトウェアとハードウェアの書き込み保護を備えています。10 MHz SPI 互換 供給電圧範囲： 1.8 → 5.5 V SPI モード( 0 、 0 、 1 ) 32 バイトのページ書き込みバッファ 自己タイミング書き込みサイクル ハードウェアとソフトウェアの保護 ブロック書き込み保護 - 保護 1/4 、 1/2 、又はすべての EEPROM アレイ 低電力CMOS技術 プログラム / 消去回数： 1 、 000 、 000 回 データ保持期間： 100 年間 工業用及び拡張温度範囲 8 リード PDIP 、 SOIC 、 TSSOP 、及び 8 パッド TDFN 、 UDFN パッケージです 用途 自動車システム 通信システム コンピュータシステム コンシューマシステム 産業システム

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 5 Vmm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = デュアル電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準デュアル供給電圧 = ±3 → ±18V。標準スルーレート = 10V/μs。動作温度 Max = +70 ℃。標準電圧ゲイン = 104 dB。幅 = 4mm。LM201A(V) / LM301A、非補償オペアンプ、ON Semiconductor. 低入力オフセット電流: 20 nA 柔軟性をもたらす外付け周波数補償 クラスAB出力が優れた直線性を実現 ショート出力保護

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = デュアル電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準デュアル供給電圧 = ±5 → ±20V。標準スルーレート = 10V/μs。動作温度 Max = +105 ℃。レール to レール = No。幅 = 4mm。LM201A(V) / LM301A、非補償オペアンプ、ON Semiconductor. 低入力オフセット電流: 20 nA 柔軟性をもたらす外付け周波数補償 クラスAB出力が優れた直線性を実現 ショート出力保護

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = TO-126。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 20 W。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 8 x 3.25 x 11mm。パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

電源スイッチトポロジ = ハイサイド。オン抵抗 = 22.5mΩ。チャンネル数 = 1。動作供給電圧 Max = 5.5 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DFN。ピン数 = 8。動作温度 Max = +85 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。寸法 = 2 x 2 x 0.95mm。シリーズ = NCP45521

実装タイプ = 表面実装。タイマータイプ = 規格。パッケージタイプ = SOIC。内部タイマー数 = 1。ピン数 = 8。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 16 V。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃。最大静止電流 = 15mA。高レベル出力電流 Max = 200mA。幅 = 4mm。555タイマ、ON Semiconductor. ON Semiconductorの業界標準の555タイマは、正確なタイミングのパルスを発生させることが可能な非常に安定したコントローラです。 単安定動作では、外部抵抗器1個とコンデンサ1個で時間遅延を制御します。 無安定動作では、周波数及びデューティーサイクルは外部抵抗器2個とコンデンサ1個で正確に制御されます。

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -30 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -250 V。パッケージタイプ = TO-204AA。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 250 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 39.37 x 26.67 x 8.51mm。MJ21195G および MJ21196G は、穴あきエミッタ技術を採用しており、高出力オーディオ出力、ディスクヘッドポジショナー、リニア用途向けに特別に設計されています。全高調波歪みの特性を示しました 高 DC 電流利得 - HFE = 25 分 @ IC = 8 ADC 優れた利得直線性 高 SOA ： 3A 、 80V 、 1 秒