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チャンネルタイプ N<br />最大連続ドレイン電流 18 A<br />最大ドレイン-ソース間電圧 500 V<br />シリーズ UniFET<br />実装タイプ スルーホール<br />ピン数 3<br />最大ドレイン-ソース間抵抗 265 mΩ<br />チャンネルモード エンハンスメント型<br />最低ゲートしきい値電圧 3V<br />最大パワー消費 38.5 W<br />トランジスタ構成 シングル<br />最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V<br />長さ 10.16mm<br />高さ 9.19mm<br />UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。