2件中 1~2件
並び替え
おすすめ順
単価の安い順
単価の高い順
レビュー評価の高い順
レビューの多い順
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 265 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 38.5 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。長さ 10.16mm。高さ 9.19mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
429 税込472
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:18 A シリーズUniFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ パッケージTO-220F 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)38.5 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)500 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)265 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30 トランジスタ構成シングル
1個
419 税込461
5日以内出荷

関連キーワード
関連カテゴリ