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ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 40Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm。標準電圧温度係数 = -2mV/K。ツェナーダイオード200 mW、MM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm。標準電圧温度係数 = 6mV/K。ツェナーダイオード200 mW、MM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 60Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 x 1.25 x 0.9mm。標準電圧温度係数 = -0.75mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm。標準電圧温度係数 = 0.2mV/K。ツェナーダイオード200 mW、MM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 → 32 V。動作温度 Min = 0 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。LM324、LM224、LM2902、NCV2902、シングル電源、クワッドオペアンプ、ON Semiconductor. 真の差動入力のON Semiconductor LM324 / LM224 / LM2902 / NCV2902クワッドオペアンプは、3 Vから32 Vまでの供給電圧で動作します。 コモンモード入力範囲には負の電源が含まれるため、多くのアプリケーションで外部バイアスコンポーネントが不要になります。 出力電圧範囲にも負の電源電圧が含まれます。. パッケージあたり4個のアンプ 短絡保護出力 真の差動入力段 シングル電源動作: 3 → 32 V 低入力バイアス電流: 100 nA最大(LM324A) 内部補償 入力のESDクランプにより、デバイスの動作に影響を与えることなく安定性が向上

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = デュアル電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準デュアル供給電圧 = ±5 → ±20V。標準スルーレート = 10V/μs。動作温度 Max = +105 ℃。レール to レール = No。幅 = 4mm。LM201A(V) / LM301A、非補償オペアンプ、ON Semiconductor. 低入力オフセット電流: 20 nA 柔軟性をもたらす外付け周波数補償 クラスAB出力が優れた直線性を実現 ショート出力保護

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = デュアル電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準デュアル供給電圧 = ±3 → ±18V。標準スルーレート = 10V/μs。動作温度 Max = +70 ℃。標準電圧ゲイン = 104 dB。幅 = 4mm。LM201A(V) / LM301A、非補償オペアンプ、ON Semiconductor. 低入力オフセット電流: 20 nA 柔軟性をもたらす外付け周波数補償 クラスAB出力が優れた直線性を実現 ショート出力保護

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 1.2 → 37 V。ラインレギュレーション = 0.07 %/V。ロードレギュレーション = 1.5 %/V、70 mV%。極性 = 正。パッケージタイプ = TO-220。基準電圧 = 1.25V。出力タイプ = 可変。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 4.82mm。1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 1.2 → 37 V。ラインレギュレーション = 0.07 %/V。ロードレギュレーション = 0.5 %%。極性 = 正。パッケージタイプ = SOIC。基準電圧 = 1.3V。出力タイプ = 可変。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4mm。1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作

標準ツェナー電圧 = 7.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 75Ω。最大逆漏れ電流 = 2.7μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 84Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 84Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 1.2 → 37 V。ラインレギュレーション = 0.07 %/V。ロードレギュレーション = 1.5 %%。極性 = 正。パッケージタイプ = DPAK。基準電圧 = 1.3V。出力タイプ = 可変。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 6.22mm。1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = 1.2 → 37 V。ラインレギュレーション = 0.04 %/V。ロードレギュレーション = 0.5 %。極性 = 正。パッケージタイプ = D2PAK。基準電圧 = 1.3V。出力タイプ = 可変。寸法 = 10.24 x 9.35 x 4.57mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 9.35mm。1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 37Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 94Ω。最大逆漏れ電流 = 45μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 28Ω。最大逆漏れ電流 = 45nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 56Ω。最大逆漏れ電流 = 1.8μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 89Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = Mini-Flat。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。シリーズ = FODM。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = -37 → -1.2 V。ラインレギュレーション = 0.04 %/V。ロードレギュレーション = 1 %。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-220。基準電圧 = -1.25V。出力タイプ = 可変。寸法 = 10.28 x 4.82 x 9.28mm。高さ = 9.28mm。長さ = 10.28mm。可変リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor

公称電圧 = 2.5 - 36V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。出力電圧 Min = 2.5 (カソード) V。出力電圧 Max = 36 V。ピン数 = 3。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。電圧リファレンス、調節可能、Fairchild Semiconductor. このFairchild Semiconductorの低電力、低電流用途向けシャントレギュレータは、調整可能 / プログラム可能な出力電圧と優れた熱安定性を特長としています。 このシャントレギュレータは、低ダイナミック出力インピーダンスと高速ターンオン応答特性を備え、産業用使用温度範囲で動作します。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 2。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 3 → 32 V。動作温度 Max = +125 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4mm。LM258、LM358、LM2904、NCV2904、シングル電源、デュアルオペアンプ、ON Semiconductor. ON Semiconductor のデュアルオペアンプシリーズは鮮やかです。真の差動入力を備え、 3 → 32 V のシングル供給電圧で動作できます。このオペアンプには、静止電流( MC1741 の 5 分の 1 )など、他のシングルオペアンプと比べて多くの利点があります。ESD クランプは、すべての入力ピンにも取り付けられます。 コモンモード入力範囲に負電源が含まれているため、他の用途でコンポーネントのバイアスが不要になります。出力電圧には、負の電源電圧が含まれます。. 特長と利点:. シングル電源動作： 3V ～ 32V コモンモード範囲は負電源まで拡張されます シングルおよびスプリット電源動作 低入力バイアス電流 内部補償 真の差動入力段 入力に ESD クランプを装備. 用途:. インテグレータ コンパレータ 電圧クランプ 電流レギュレータ リニア電圧レギュレータ