「igbt」の検索結果

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 290 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm。動作温度 Max = +150 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 366 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、ON Semiconductor. モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 349 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm。動作温度 Max = +175 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

最大連続コレクタ電流 = 120 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 600 W。パッケージタイプ = TO-3PN。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm。動作温度 Min = -55 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = IGBT， MOSFET。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。標準上昇時間 = 60ns。最大入力電流 = 16 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 60ns。シリーズ = FOD。35kv/ μ s の最小コモンモード除去を特徴とする高ノイズ耐性 2.5 A Peak 出力電流駆動機能により、ほとんどの 800 V / 20 A IGBT に対応しています 出力段で P チャンネル MOSFET を使用することで、電源レールの近くで出力電圧スイングが可能になります 幅広い供給電圧範囲： 15 → 30 V 高速スイッチング速度 最大伝搬遅延： 400 ns 最大パルス幅歪み： 100 ns 低電圧ロックアウト( UVLO )(ヒステリシスあり 産業用拡張温度範囲： -40 → 100 ° C RDS ( ON )： 3 Ω (標準)の低消費電力を実現します >8.0 mm クリアランスおよび沿面距離 ( オプション「 T 」 ) 無停電電源 産業用インバータ 絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ 誘導加熱 用途 AC-DC 加盟店用電源 エネルギーの生成と分配 産業用モータ 無停電電源

最大連続コレクタ電流 = 120 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 600 W。パッケージタイプ = TO-247AB。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm。動作温度 Min = -55 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 15 mA。供給電圧 = 18V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。出力数 = 2。トポロジー = ハイ/ローサイド。ドライバ数 = 2。極性 = 非反転。実装タイプ = スルーホール。ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

出力電流 = 1.5 A。供給電圧 = 18V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ハイ/ローサイド。ドライバ数 = 2。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

パッケージタイプ = DIP。実装タイプ = 表面実装。オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 1.5 A。供給電圧 = 18V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ハイ/ローサイド。ドライバ数 = 2。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.75V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。論理出力 = あり。シリーズ = H11F。オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.75V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。論理出力 = あり。シリーズ = H11F。オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 60ns。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 60ns。シリーズ = FOD。オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor