「nsd」の検索結果

方向性タイプ = 単方向。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-88。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 75W。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 4。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.35mm

ダイオード構成 = コンプレックスアレイ。最大クランピング電圧 = 20V。最小ブレークダウン電圧 = 6.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 8。ピークパルスパワー消費 = 2000W。最大ピークパルス電流 = 100A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 5。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 4mm。高電流落雷保護、ON Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8.1V。最小ブレークダウン電圧 = 5.5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = UDFN。ピン数 = 14。最大ピークパルス電流 = 16A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 8。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 5.5 x 1.5 x 0.5mm。自動車規格 = AEC-Q101pF。ESD8008 は、 4 つの高速差動ペアを保護できるようになっています。超低静電容量及び低 ESD クランプ電圧により、電圧の影響を受けやすい高速データラインの保護に最適なソリューションになります。フロースルースタイルパッケージにより、基板レイアウトが簡単で、トレース長を揃えて高速ラインのインピーダンスを一定にすることができます。最大静電容量： 0.35 pF 深型スナップバック SCR 技術 最大6 Gbpsのデータ転送速度に対応 ESD イベント用の超低クランプ電圧 コンピューティング LCD TV 用途 V-by-One HS LVDS DisplayPort

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-74。最大逆スタンドオフ電圧 = 5.5V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 0.22W。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 13。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃mm。幅 = 1.7mm。低静電容量ESD保護アレイ

ピーク感度波長 = 880nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 700nm。最大検出波長 = 1100nm。標準降下時間 = 5ns。長さ = 4.95mm。高さ = 8.77mm。直径 = 6.1mm。標準上昇時間 = 5ns。QSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。 標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ 広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ 高感度 波長: 880 nm 検出面積: 1.245 x 1.245 mm

電圧範囲 = 5.25 V。許容入力 = 225 mW。長さ = 3.1mm。奥行き = 1mm。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1 mm。ESD保護付きEMIフィルタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220F。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 25 W。最小DC電流ゲイン = 150。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.16 x 2.54 x 15.87mm。パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 25V。最小ブレークダウン電圧 = 14.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 240W。最大ピークパルス電流 = 9.6A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。テスト電流 = 1mA。240 W過渡電圧サプレッサダイオード、ESD保護用. ON Semiconductor ESD5Z シリーズは、電圧の影響を受けやすいコンポーネントを ESD や過渡電圧イベントから保護できるようになっているマイクロ過渡電圧サプレッサです。このデバイスは、優れたクランプ機能を備え、高速な応答時間と低漏洩電流が特長で、 ESD 保護に最適です。コンパクトなサイズで、基板スペースが限られている場所の省スペースに最適です。. 用途. 携帯機器 - 携帯電話 - デジタルカメラ - 電源. 規格. - IEC61000-4-2 レベル 4 ESD 保護 -IEC61000-4-4 レベル 4 EFT 保護 - クラス 3 の ESD 定格

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 750 mW。最小DC電流ゲイン = 135， 200。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 750 mW。最小DC電流ゲイン = 340。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 7μs。標準上昇時間 = 7μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = ±12°。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = T-1 3/4。寸法 = 6.1 Dia. x 8.77mm。コレクター電流 = 39mA。感度スペクトルレンジ = 880 nmnm。コレクタエミッタ電圧 = 30V。QSD122 、 QSD123 、 QSD124 は、赤外線透明、黒色 T-1 3/4 パッケージに収められたシリコンフォトトランジスタです。NPNシリコンフォトトランジスタ パッケージタイプ： T-1 3/4 ノッチ付きエミッタ： QED12X/QED22X/QED23X 狭い受信角度： 24 ° C 昼光フィルタ パッケージの材質と色: 黒エポキシ 高感度 用途: この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

検出スペクトル = 赤外線。標準降下時間 = 7μs。標準上昇時間 = 7μs。チャンネル数 = 1。最大暗電流 = 100nA。半値幅感度角度 = ±12°。ピン数 = 2。実装タイプ = スルーホール実装。パッケージタイプ = T-1 3/4。寸法 = 6.1 Dia. x 8.77mm。コレクター電流 = 16mA。感度スペクトルレンジ = 880 nmnm。飽和電圧 = 0.4V。QSD122 、 QSD123 、 QSD124 は、赤外線透明、黒色 T-1 3/4 パッケージに収められたシリコンフォトトランジスタです。NPNシリコンフォトトランジスタ パッケージタイプ： T-1 3/4 ノッチ付きエミッタ： QED12X/QED22X/QED23X 狭い受信角度： 24 ° C 昼光フィルタ パッケージの材質と色: 黒エポキシ 高感度 用途: この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 14.1V。最小ブレークダウン電圧 = 5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 200W。最大ピークパルス電流 = 11.2A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 0.6mm。ESD保護用過渡電圧サプレッサ、ESD5Zシリーズ. ON Semiconductor ESD5Z シリーズは、電圧の影響を受けやすいコンポーネントを ESD や過渡電圧イベントから保護できるようになっているマイクロ過渡電圧サプレッサです。このデバイスは、優れたクランプ機能を備え、高速な応答時間と低漏洩電流が特長で、 ESD 保護に最適です。コンパクトなサイズで、基板スペースが限られている場所の省スペースに最適です。. 用途. - ポータブルデバイス - 携帯電話 - デジタルカメラ - 電源. 規格. - IEC61000-4-2 レベル 4 ESD 保護 -IEC61000-4-4 レベル 4 EFT 保護 - クラス 3 の ESD 定格

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 10.9V。最小ブレークダウン電圧 = 4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大逆スタンドオフ電圧 = 2.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 120W。最大ピークパルス電流 = 11A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。幅 = 0.9mm。240 W過渡電圧サプレッサダイオード、ESD保護用. ON Semiconductor ESD5Z シリーズは、電圧の影響を受けやすいコンポーネントを ESD や過渡電圧イベントから保護できるようになっているマイクロ過渡電圧サプレッサです。このデバイスは、優れたクランプ機能を備え、高速な応答時間と低漏洩電流が特長で、 ESD 保護に最適です。コンパクトなサイズで、基板スペースが限られている場所の省スペースに最適です。. 用途. 携帯機器 - 携帯電話 - デジタルカメラ - 電源. 規格. - IEC61000-4-2 レベル 4 ESD 保護 -IEC61000-4-4 レベル 4 EFT 保護 - クラス 3 の ESD 定格

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 12.5V。最小ブレークダウン電圧 = 5.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 0.3W。最大ピークパルス電流 = 12.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。自動車規格 = AEC-Q101pF。低静電容量ESD保護アレイ

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 10.4V。最小ブレークダウン電圧 = 5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 102W。最大ピークパルス電流 = 9.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 0.85 x 0.65 x 0.43mm。自動車規格 = AEC-Q101pF。低静電容量ESD保護アレイ

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 10.5V。最小ブレークダウン電圧 = 5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 0.3W。最大ピークパルス電流 = 10.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 0.65mm。低静電容量ESD保護アレイ

ダイオード構成 = コモンアノード。最大クランピング電圧 = 10V。最小ブレークダウン電圧 = 5.5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = U-DFN3310。ピン数 = 8。最大ピークパルス電流 = 8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3.3 x 1 x 0.5mm。幅 = 1mm。ESD保護用過渡電圧サプレッサダイオード、ESDシリーズ. 電圧に敏感なコンポーネントをESD (静電気放電)から保護するように設計されています。 優れたクランプ機能、低リーク、高速レスポンスにより、ESDに晒される製品としては、クラス内最高の保護機能を実現します。

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。標準上昇時間 = 2.4μs。最大入力電流 = 20 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最小電流伝送率 = 20%。シリーズ = MCT

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SMT。標準上昇時間 = 2.4μs。最大入力電流 = 20 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = MCT

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 200 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 50%。シリーズ = 6N136。特殊機能 = パルストランス代替品、広帯域幅アナログカップリング。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトダーリントン。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMT。入力電流タイプ = AC/DC。標準上昇時間 = 100μs。最大入力電流 = 10 mA。絶縁電圧 = 5000Vrms 交流。最大電流変換率 = 15000%。標準降下時間 = 20μs。シリーズ = FOD

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMT。入力電流タイプ = AC/DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000Vrms 交流。最大電流変換率 = 600%。最小電流伝送率 = 50%。シリーズ = FOD817。4 ピンデュアルインラインパッケージでシリコンフォトトランジスタを駆動するガリウム砒素赤外発光ダイオード (FOD817) を採用しています。AC 入力応答( FOD814 ) 現在のトランスファー比 FOD817:50-600% 保証最低 BVCEO ： 70V 安全性および規制に関する承認 用途 AC-DC マーチャント電源 家庭用電化製品 産業用モータ