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仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:125 nC @ 20 V シリーズMegaFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。 パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)131 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1個
379 税込417
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