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仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:125 nC @ 20 V
シリーズMegaFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)131
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20
トランジスタ構成シングル
1個
¥379
税込¥417
5日以内出荷
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