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ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 6.86mm。幅 = 5.84mm。高さ = 2.13mm。寸法 = 2.13 x 6.86 x 5.84mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
86,980 税込95,678
7日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor 長さ(mm)7.11 幅(mm)6.22 寸法(mm)7.11×6.22×2.62 高さ(mm)2.62 ピン数(ピン)2 ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 動作温度(℃)-50~+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装
1箱(10個)
819 税込901
5日以内出荷

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 950mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
729 税込802
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 高電圧。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,298 税込3,628
5日以内出荷

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 4A。ピーク逆繰返し電圧 40V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 500mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 80A。ON Semiショットキーバリア整流器、3 A、20 30 40 V. このシリーズのON Semiconductor ショットキーパワー整流器 は、パワーダイオード内でショットキーバリア技術を採用しています。これらの3 A整流器は、さまざまな電圧オプションが用意されているコンパクトなデバイスです。 これらのショットキーパワー整流器は、J字形リード付きのSMC表面実装パッケージで提供されます。ケースは成形エポキシ製で、寸法は7.94 5.84 2.13 mmです。パッケージの外面には、腐食性に対する耐性が備わっています。 特長: 安定した酸化物不動態化ジャンクション 低順方向電圧降下 逆アバランシェエネルギー過渡に対する優れた耐性 ガードリングによりストレス保護 何に使用しますか? これらのショットキーパワー整流器は、低電圧、高周波の整流に最適です。また、還流ダイオード及び極性保護ダイオードとして使用することもできます。これらの製品は、サイズと重量が重要とされる用途に最適です。角型パッケージは、自動処理に適しています。 ジャンクション動作温度 -65 +150 整流順方向電流 A (110 ℃)又は4 (105 ℃) 種類: MBRS320T3G 20 SBRS8320T3G 20 MBRS330T3G 30 NRVBS330T3G 30 MBRS340T3G 40 SBRS8340T3G 40 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
3,898 税込4,288
7日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式スイッチング RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(mV)950 ピーク逆繰返し電圧(V)200 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100 最大連続順方向電流(A)3 ピーク逆回復時間(ns)20
1箱(10個)
729 税込802
5日以内出荷

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
2,998 税込3,298
5日以内出荷

仕様ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)シングル 整流方式ショットキー整流器 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(mV)750 ピーク逆繰返し電圧(V)60 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100 最大連続順方向電流(A)3
1箱(25個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷

仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AB (SMC)●最大連続 順方向電流 : 5A●ピーク逆繰返し電圧 : 40V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 500mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 190A●メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
599 税込659
欠品中

仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AB (SMC)●最大連続 順方向電流 : 4A●ピーク逆繰返し電圧 : 60V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 740mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 125A●メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
139 税込153
5日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式汎用 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(V)1.2 ピーク逆繰返し電圧(V)400 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100 最大連続順方向電流(A)3 ピーク逆回復時間(μs)2.5
1セット(50個)
2,998 税込3,298
5日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式高電圧 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(V)1.2 ピーク逆繰返し電圧(V)1200 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100 最大連続順方向電流(A)3 ピーク逆回復時間(μs)2.5
1セット(50個)
3,298 税込3,628
5日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式ファストリカバリー RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(mV)950 ピーク逆繰返し電圧(V)50 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100 最大連続順方向電流(A)3 ピーク逆回復時間(ns)30
1セット(25個)
1,798 税込1,978
5日以内出荷

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 25.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様ダイオード構成:シングル 寸法(mm)7.15×6.25×2.45 高さ(mm)2.45 ピン数(ピン)2 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0 パッケージDO-214AB (SMC) 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大逆スタンドオフ電圧(V)33 最大クランピング電圧(V)53.3 最小ブレークダウン電圧(V)36.7 ピークパルスパワー消費(W)1500 最大ピークパルス電流(A)28.1 最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
529 税込582
5日以内出荷

過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 58.1V最小ブレークダウン電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 36Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 25.8A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μA RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様●ロジックタイプ : バッファ●インバータ●入力タイプ : CMOS●1チップ当たりのエレメント数 : 6●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL : 120ns●高レベル出力電流 Max : -4.7mA●低レベル出力電流 Max : 30mA●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 16●寸法 : 10 x 4 x 1.5mm●高さ : 1.5mm●幅 : 4mm●MC14049UB 六角インバータバッファは● 1 つのモノリシック構造に MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスが組み込まれています。この相補型 MOS デバイスは●低消費電力と高ノイズ耐性が求められる一次的用途を見つけます。このデバイスは● 1 つの電源電圧 VDD のみを使用したロジックレベル変換を提供します。 入力信号の高レベル VIH は●ロジックレベル変換のための VDD 供給電圧を超えることができます。 2 つの TTL DTL DTL 負荷は●デバイスを CMOS/TTL DTL コンバータとして使用する場合に駆動できます VDD : 5.0 V ● VOL 0.4 V IOL 3.2 mA です。ピン 13 とピン 16 はこのデバイスの内部で接続されていないため●これらの端子への接続は回路の動作に影響しません。高ソース電流及びシンク電流 高 - 低レベルコンバータ 供給電圧範囲: 3.0 → 18 V VIN は VDD を超えることがあります 全入力の ESD 保護が向上しています 鉛フリーパッケージを用意 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(48個)
3,798 税込4,178
7日以内出荷