5ページ目: トランジスタ

SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。

汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

高電圧トランジスタ、Diodes Inc

小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.6 W最小DC電流ゲイン = 16トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 20 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 2 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmPNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mmPNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2000 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 2 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2800 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 90 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大動作周波数 = 3 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ