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ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
279税込307
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホール ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホールON SEMICONDUCTOR
329税込362
1袋(10個)ほか
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Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS東芝
1,998税込2,198
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
2,298税込2,528
1袋(200個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 800 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
299税込329
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
329税込362
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ nexperiaNexperia NPN トランジスタnexperia
469税込516
1袋(50個)
翌々日出荷から8日以内出荷
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
229税込252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM LED, 赤, スルーホール実装, 5 mm (T-1 3/4), SLI-570UT3F ROHMROHM LED, 赤, スルーホール実装, 5 mm (T-1 3/4), SLI-570UT3FROHM
199税込219
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●LED色 : 赤●パッケージタイプ : 5 mm (T-1 3/4)●実装タイプ : スルーホール実装●LED数 : 1●順方向電圧 : 1.9 V●光度 : 3 cd●ピン数 : 2●ビュー角 : 25°●レンズ形状 : 砲弾型●主波長 : 630 nm●寸法 : 5mmRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC114EKAT146 ROHMローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC114EKAT146ROHM
179税込197
1袋(5個)
欠品中
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●パッケージタイプ: SMT●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 30●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●ベースエミッタ抵抗器: 10kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC143EKAT146 ROHMローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC143EKAT146ROHM
199税込219
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●パッケージタイプ: SMT●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 20●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●ベースエミッタ抵抗器: 4.7kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATAonsemi
299税込329
1袋(10個)
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トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3P 東芝Toshiba NPN パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3P東芝
2,498税込2,748
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝
229税込252
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
169税込186
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ, PNP, スルーホール, -3 A, BD140 STMicroSTMicroelectronics トランジスタ, PNP, スルーホール, -3 A, BD140STMicro
119税込131
1個
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トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.25 W。最小DC電流ゲイン = 100, 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
ROHM PNP トランジスタ, 80 V, 500mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) ROHMROHM PNP トランジスタ, 80 V, 500mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)ROHM
849税込934
1袋(25個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 180 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.5 VPNP小信号トランジスタ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM 東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM東芝
149税込164
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝(2件のレビュー)
229税込252
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝Toshiba PNP トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS東芝
2,298税込2,528
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics PNP トランジスタ, 80 V, 3 A, 3-Pin SOT-32 STMicroSTMicroelectronics PNP トランジスタ, 80 V, 3 A, 3-Pin SOT-32STMicro
119税込131
1個
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.25 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, DTD123YKT146 ROHMローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, DTD123YKT146ROHM
159税込175
1袋(5個)
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仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 500 mA●パッケージタイプ: SMT●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 56●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●動作温度 Max: +150 ℃kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, BC817-25LT3G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, BC817-25LT3Gonsemi
389税込428
1袋(25個)
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トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
NPN トランジスタ 表面実装 3-Pin DiodesZetexNPN トランジスタ 表面実装 3-PinDiodesZetex
899税込989
1袋(10個)
翌々日出荷から9日以内出荷
Toshiba PNP トランジスタ 東芝Toshiba PNP トランジスタ東芝
899税込989
1袋(25個)
翌々日出荷
トランジスタタイプPNPトランジスタ構成シングル最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1
Toshiba NPN トランジスタ 東芝Toshiba NPN トランジスタ東芝
1,498税込1,648
1袋(25個)
翌々日出荷
実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN
Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-236MOD 東芝Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-236MOD東芝
859税込945
1袋(50個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-236MOD実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1長さ = 2.9mm小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ, 50 V, 150mA, 6-Pin US 東芝Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ, 50 V, 150mA, 6-Pin US東芝
299税込329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ, 50 V, 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252) 東芝Toshiba NPN パワートランジスタ, 50 V, 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252)東芝
1,698税込1,868
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.18 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP 高電圧 パワートランジスタ, 600 V, 500mA, 3-Pin DPAK (TO-252) 東芝Toshiba PNP 高電圧 パワートランジスタ, 600 V, 500mA, 3-Pin DPAK (TO-252)東芝
449税込494
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP バイポーラトランジスタ, 20 V, 1.5 A, 3-Pin TSM 東芝Toshiba PNP バイポーラトランジスタ, 20 V, 1.5 A, 3-Pin TSM東芝
299税込329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mm汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin ESM 東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin ESM東芝
139税込153
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM 東芝Toshiba PNP デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM東芝
139税込153
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin ESM 東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin ESM東芝
149税込164
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin USM 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin USM東芝
229税込252
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin SOT-23 (TO-236) 東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin SOT-23 (TO-236)東芝
2,198税込2,418
1袋(200個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 50最大パワー消費 = 200 mW最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1構成 = シングル高さ = 1.1mmRNシリーズシングルデジタルトランジスタ. 東芝のシングルデジタルトランジスタです。バイアス抵抗器を内蔵し、デジタルソースから直接駆動できます。NPNタイプとPNPタイプの両タイプが用意されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN トランジスタ, 60 V, 3 A, 3-Pin TO-220 STMicroSTMicroelectronics NPN トランジスタ, 60 V, 3 A, 3-Pin TO-220STMicro
899税込989
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃NPNパワートランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
1,298税込1,428
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 5.33mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
289税込318
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

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