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エコロジープロダクト

onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 600 mA, 2N5551TA
onsemi¥19,980税込¥21,9781セット(2000個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 3 A, KSD2012GTU
onsemi¥4,498税込¥4,9481セット(50個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220F。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 25 W。最小DC電流ゲイン = 150。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.16 x 2.54 x 15.87mm。パワーNPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, BC817-25LT3G
onsemi¥429税込¥4721袋(25個)翌々日出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -1 A, BC640TA
onsemi¥2,998税込¥3,2981袋(50個)7日以内出荷トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ, NPN, 表面実装, 2 A, FCX690BTA
DiodesZetex¥2,198税込¥2,4181袋(25個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 500。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 45 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.5 x 2.5 x 1.5mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT5551-7-F
DiodesZetex¥16,980税込¥18,6781セット(3000個)7日以内出荷トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
トランジスタ
東芝¥29税込¥321個5日以内出荷仕様●パッケージ:USM●Vceo:12V●Ic:30mA●Pc(Ta=25℃):100mW●hFE:35~130●fT(typ):4●コンプリメンタリ:2SC4247アズワン品番67-0400-65
Toshiba NPN トランジスタ
東芝¥1,898税込¥2,0881袋(25個)翌々日出荷実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN
ROHM PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
ROHM¥209税込¥2301袋(10個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 140 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1.1mmPNP小信号トランジスタ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3PL
東芝¥11,980税込¥13,1781袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3PN
東芝¥2,998税込¥3,2981袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -3 VPNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ, 50 V, 150mA, 6-Pin US
東芝¥299税込¥3291袋(10個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN バイポーラトランジスタ, 30 V, 3 A, 3-Pin TSM
東芝¥1,298税込¥1,4281袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.14 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP 高電圧 パワートランジスタ, 600 V, 500mA, 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝¥709税込¥7801袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP バイポーラトランジスタ, 20 V, 1.5 A, 3-Pin TSM
東芝¥299税込¥3291袋(10個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mm汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝(1件のレビュー)¥209税込¥2301袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM
東芝¥169税込¥1861袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin ESM
東芝¥169税込¥1861袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin USM
東芝¥259税込¥2851袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝(2件のレビュー)¥259税込¥2851袋(10個)当日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS
東芝¥2,898税込¥3,1881袋(5個)当日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin SOT-23 (TO-236)
東芝¥2,298税込¥2,5281袋(200個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 50最大パワー消費 = 200 mW最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1構成 = シングル高さ = 1.1mmRNシリーズシングルデジタルトランジスタ. 東芝のシングルデジタルトランジスタです。バイアス抵抗器を内蔵し、デジタルソースから直接駆動できます。NPNタイプとPNPタイプの両タイプが用意されています。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 5-Pin SSOP
東芝¥1,498税込¥1,6481袋(25個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、2-in-1 SMV、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics PNP トランジスタ, 80 V, 3 A, 3-Pin SOT-32
STMicro¥139税込¥1531個当日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.25 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 90 V, 30 A, 2-Pin TO-204AA
ON SEMICONDUCTOR¥2,998税込¥3,2981袋(2個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 90 Vパッケージタイプ = TO-204AA実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 Vピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin SOT-23
ON SEMICONDUCTOR¥359税込¥3951袋(25個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ, 30 V, 3-Pin SOT-23
ON SEMICONDUCTOR¥359税込¥3951袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 50 → 150mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm長さ = 2.9mmNチャンネルJFET、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 450 V, 5 A, 3-Pin TO-220AB
ON SEMICONDUCTOR¥389税込¥4281個翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 13 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia¥799税込¥8791袋(25個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応
TRANS NPN 32V 2A SOT-428
ROHM¥169税込¥1861個3日以内出荷トランジスタ 2SD1758TLR RohmSemiconductor製を販売します。その他【Vce飽和(最大)@lb、Ic】800mV@200mA、2A、電流:【コレクタ遮断】最大1μA(ICBO)、【Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)】最小180 @500mA、3V最大電流(A)【コレクタ(Ic)】2周波数【トランジション】100MHz動作温度(℃)150(TJ)RoHS指令(10物質対応)対応最大電圧(V)【コレクタエミッタブレークダウン】32実装タイプ面実装パッケージ/ケースTO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63トランジスタタイプNPN最大電力(W)10
トランジスタ PNP DARL 120V 10A TO220F
サンケン電気¥359税込¥3951個3日以内出荷ダーリントン接続なので、直流電流増幅率が高い ソレノイド、リレー、モータ駆動用のドライバーとして最適です。 一般増幅用として最適です。仕様コンプリ:2SD2081電流(A)Ic:-10損失(W)30(Ta=25℃)RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220F最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-120
NPNエピタキシャルシリコントランジスター 3MHz
フェアチャイルド¥90税込¥991個3日以内出荷中電力リニアスイッチング用最大電流(A)コレクタ(Ic):3周波数(MHz)トランジション:3RoHS指令(10物質対応)対応最大電圧(V)コレクタエミッタブレークダウン:100パッケージTO-220最大電力(W)2
ローム 汎用 整流ダイオード, 1A, 600V 表面実装, 2-Pin SOD-123FL シリコンジャンクション
ROHM¥3,598税込¥3,9581袋(100個)7日以内出荷仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOD-123FL●最大連続 順方向電流 : 1A●ピーク逆繰返し電圧 : 600V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : 汎用●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 25A●小型モールドタイプ(PMDE) 高い信頼性RoHS指令(10物質対応)対応
ローム トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, 2SD1484KT146Q
ROHM¥2,198税込¥2,4181袋(50個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 50 V●パッケージタイプ: SOT-346●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 120●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1RoHS指令(10物質対応)対応
『ディスクリート』には他にこんなカテゴリがあります
- ディスクリートその他関連用品
- トランジスタ
- ダイオード



















































