2ページ目: トランジスタ


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onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -4 A, MJE15035G onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -4 A, MJE15035Gonsemi
1セット(50個)
取扱停止中
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -350 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.28 x 10.28 x 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT2222LT1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT2222LT1Gonsemi
1,798税込1,978
1袋(200個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT3904T-7-F DiodesZetexDiodesZetex トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MMBT3904T-7-FDiodesZetex
899税込989
1袋(50個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
PNP トランジスタ 表面実装 3-Pin DiodesZetexPNP トランジスタ 表面実装 3-PinDiodesZetex
559税込615
1袋(5個)ほか
7日以内出荷
PNP トランジスタ 表面実装 3+Tab-Pin DiodesZetexPNP トランジスタ 表面実装 3+Tab-PinDiodesZetex
959税込1,055
1袋(5個)ほか
7日以内出荷
NPN トランジスタ 表面実装 3+Tab-Pin DiodesZetexNPN トランジスタ 表面実装 3+Tab-PinDiodesZetex
249税込274
1個ほか
7日以内出荷
NPN トランジスタ 表面実装 3-Pin DiodesZetexNPN トランジスタ 表面実装 3-PinDiodesZetex
139税込153
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
Nexperia PNP トランジスタ nexperiaNexperia PNP トランジスタnexperia
339税込373
1袋(20個)ほか
7日以内出荷
Toshiba PNP トランジスタ 東芝Toshiba PNP トランジスタ東芝
899税込989
1袋(25個)
翌々日出荷
トランジスタタイプPNPトランジスタ構成シングル最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1
ROHM PNP トランジスタ ROHMROHM PNP トランジスタROHM
439税込483
1袋(10個)
翌々日出荷
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ スルーホール ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ スルーホールON SEMICONDUCTOR
1,598税込1,758
1袋(2個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
NXP NPN 抵抗内蔵トランジスタ  50 V nexperiaNXP NPN 抵抗内蔵トランジスタ 50 Vnexperia
549税込604
1袋(50個)
7日以内出荷
ROHM PNP トランジスタ, 80 V, 500mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) ROHMROHM PNP トランジスタ, 80 V, 500mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)ROHM
849税込934
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 180 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.5 VPNP小信号トランジスタ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3P 東芝Toshiba PNP パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3P東芝
2,998税込3,298
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiPNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN 高電圧 パワートランジスタ, 400 V, 2 A, 3-Pin DPAK (TO-252) 東芝Toshiba NPN 高電圧 パワートランジスタ, 400 V, 2 A, 3-Pin DPAK (TO-252)東芝
739税込813
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 5.5 x 2.3mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin ESM 東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin ESM東芝
139税込153
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM 東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM東芝
149税込164
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics PNP パワートランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin SOT-32 STMicroSTMicroelectronics PNP パワートランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin SOT-32STMicro
889税込978
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 20.8 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 2.7mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN トランジスタ, 400 V, 1 A, 3-Pin TO-220 STMicroSTMicroelectronics NPN トランジスタ, 400 V, 1 A, 3-Pin TO-220STMicro
999税込1,099
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN トランジスタ, 60 V, 3 A, 3-Pin TO-220 STMicroSTMicroelectronics NPN トランジスタ, 60 V, 3 A, 3-Pin TO-220STMicro
899税込989
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃NPNパワートランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
1,998税込2,198
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲート オンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm長さ = 5.2mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
1,698税込1,868
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 800 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
1,598税込1,758
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
299税込329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 400 V, 4 A, 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 400 V, 4 A, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR
1,598税込1,758
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.83mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 60 V, 15 A, 3-Pin TO-204 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 60 V, 15 A, 3-Pin TO-204ON SEMICONDUCTOR
919税込1,011
1個
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 115 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 2.5 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 400 V, 8 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 400 V, 8 A, 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR
659税込725
1個
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 450 V, 5 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 450 V, 5 A, 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR
329税込362
1個
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 13 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
519税込571
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
TRANS NPN 32V 2A SOT-428 ROHMTRANS NPN 32V 2A SOT-428ROHM
169税込186
1個
5日以内出荷
トランジスタ 2SD1758TLR RohmSemiconductor製を販売します。
その他【Vce飽和(最大)@lb、Ic】800mV@200mA、2A、電流:【コレクタ遮断】最大1μA(ICBO)、【Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)】最小180 @500mA、3V最大電流(A)【コレクタ(Ic)】2周波数【トランジション】100MHz動作温度(℃)150(TJ)RoHS指令(10物質対応)対応最大電圧(V)【コレクタエミッタブレークダウン】32実装タイプ面実装パッケージ/ケースTO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63トランジスタタイプNPN最大電力(W)10
トランジスタ PNP 80V 4A TO220F サンケン電気トランジスタ PNP 80V 4A TO220Fサンケン電気
169税込186
1個
5日以内出荷
用途一般増幅用やオーディオ用仕様コンプリメンタリ:2SC3851電流(A)Ic:-4時間ton:0.25μs、t-stg:0.75μs、tf:0.25μs損失(W)25(Ta=25℃)RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220F最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-60最大コレクタ-ベース間電圧(V)-60
トランジスタ PNP DARL 120V 10A TO220F サンケン電気トランジスタ PNP DARL 120V 10A TO220Fサンケン電気
359税込395
1個
5日以内出荷
ダーリントン接続なので、直流電流増幅率が高い ソレノイド、リレー、モータ駆動用のドライバーとして最適です。 一般増幅用として最適です。
仕様コンプリ:2SD2081電流(A)Ic:-10損失(W)30(Ta=25℃)RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220F最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-120
トランジスタ 東芝トランジスタ東芝
27税込30
1個
5日以内出荷
東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形(PCT方式) 低周波小電力増幅用 電力スイッチング用 直流電流増幅率が高い。:hFE(1)=120~400 コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い・:VCE(sat)=-0.2V(最大)(IC=-400mA,IB=-8mA) 小型モータのドライブ様に適します。
電圧(V)Vceo:-15周波数帯域(MHz)fT(typ):120電流(mA)Ic:-800hFE120~240パッケージS-Mini電力(mW)Pc(Ta=25℃):200
NPNエピタキシャルシリコントランジスター 3MHz フェアチャイルドNPNエピタキシャルシリコントランジスター 3MHzフェアチャイルド
90税込99
1個
5日以内出荷
中電力リニアスイッチング用
最大電流(A)コレクタ(Ic):3周波数(MHz)トランジション:3RoHS指令(10物質対応)対応最大電圧(V)コレクタエミッタブレークダウン:100パッケージTO-220最大電力(W)2
ローム 汎用 整流ダイオード, 1A, 600V 表面実装, 2-Pin SOD-123FL シリコンジャンクション ROHMローム 汎用 整流ダイオード, 1A, 600V 表面実装, 2-Pin SOD-123FL シリコンジャンクションROHM
2,998税込3,298
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOD-123FL●最大連続 順方向電流 : 1A●ピーク逆繰返し電圧 : 600V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : 汎用●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 25A●小型モールドタイプ(PMDE) 高い信頼性RoHS指令(10物質対応)対応
ローム トランジスタ, NPN, 表面実装, 700 mA, 2SCR514P5T100 ROHMローム トランジスタ, NPN, 表面実装, 700 mA, 2SCR514P5T100ROHM
1,898税込2,088
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 700 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 80 V●パッケージタイプ: SOT-89●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 500 mW●最小DC電流ゲイン: 120●トランジスタ構成: コモンエミッタ●最大コレクタ-ベース間電圧: 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧: 6 V●最大動作周波数: 100 MHz●ピン数: 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数: 1●寸法: 4.7×2.7×1.4mm●NPNパワートランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ローム トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, 2SD1484KT146Q ROHMローム トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, 2SD1484KT146QROHM
1,998税込2,198
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 50 V●パッケージタイプ: SOT-346●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 120●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1RoHS指令(10物質対応)対応
ローム トランジスタ, PNP, 表面実装, -150 mA, 2SA1037AKT146Q ROHMローム トランジスタ, PNP, 表面実装, -150 mA, 2SA1037AKT146QROHM
1,198税込1,318
1袋(150個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ: PNP●最大DCコレクタ電流: -150 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: -50 V●パッケージタイプ: SOT-346●実装タイプ: 表面実装●最大パワー消費: 200 mW●最小DC電流ゲイン: 120●トランジスタ構成: シングル●最大コレクタ-ベース間電圧: -60 V●最大エミッタ-ベース間電圧: -6 V●最大動作周波数: 140 MHz●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●寸法: 3×1.8×1.2mm●ローム PNP小信号トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, SST4401HZGT116 ROHMローム トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, SST4401HZGT116ROHM
859税込945
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 600 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧: 40 V●パッケージタイプ: SOT-23●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 20●1チップ当たりのエレメント数: 3RoHS指令(10物質対応)対応

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