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  • ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    279税込307
    1袋(10個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホール ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ スルーホール

    ON SEMICONDUCTOR
    329税込362
    1袋(10個)ほか
    当日出荷から7日以内出荷
  • Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝

    Toshiba NPN トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS

    東芝
    1,998税込2,198
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    2,298税込2,528
    1袋(200個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 800 mA, 3-Pin TO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    299税込329
    1袋(10個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • トランジスタ(2SA1015-Y相当品) KEC

    トランジスタ(2SA1015-Y相当品)

    KEC
    27税込30
    1個
    3日以内出荷
    汎用PNPトランジスタ hFEのリニアリティが優れています。 低雑音です。 KTC3198とコンプリメンタリです。 廃品種となった東芝製の2SA1015-Yと互換性があります。
    仕様【VCBO】-50V、【VCEO】-50V【VEBO】-5V【IC】-150mA【IB】-50mA【Tj】150℃【Tstg】-55~+150℃極性PNPトランジスタhFE120~240RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-92
  • ON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    329税込362
    1袋(10個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • Nexperia NPN トランジスタ nexperia

    Nexperia NPN トランジスタ

    nexperia
    469税込516
    1袋(50個)
    翌々日出荷から8日以内出荷
  • ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    229税込252
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • トランジスタセット(17種×各10個) DFRobot

    トランジスタセット(17種×各10個)

    DFRobot
    2,198税込2,418
    1セット
    3日以内出荷
    一般的によく使われる17種類のトランジスタがパッケージされています。 ちょっとした回路を製作するのに便利です。 ※手作業で梱包しておりますので、1個か2個の数量の違いはあるかと思います。ご容赦ください。 ※2種類のリード(ストレートとベント)がパッケージに混在しています。
    内容S9012×10、S9013×10、S9014×10、S9015×10、S9018×10、A1015×10、C1815×10、A42×10、A92×10、2N5401×10、2N5551×10、A733×10、C945×10、S8050×10、S8550×10、2N3906×10、2N3904×10
  • ROHM LED, 赤, スルーホール実装, 5 mm (T-1 3/4), SLI-570UT3F ROHM

    ROHM LED, 赤, スルーホール実装, 5 mm (T-1 3/4), SLI-570UT3F

    ROHM
    199税込219
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様●LED色 : 赤●パッケージタイプ : 5 mm (T-1 3/4)●実装タイプ : スルーホール実装●LED数 : 1●順方向電圧 : 1.9 V●光度 : 3 cd●ピン数 : 2●ビュー角 : 25°●レンズ形状 : 砲弾型●主波長 : 630 nm●寸法 : 5mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC114EKAT146 ROHM

    ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC114EKAT146

    ROHM
    179税込197
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●パッケージタイプ: SMT●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 30●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●ベースエミッタ抵抗器: 10kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
  • ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC143EKAT146 ROHM

    ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, DTC143EKAT146

    ROHM
    199税込219
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 100 mA●パッケージタイプ: SMT●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 20●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●ベースエミッタ抵抗器: 4.7kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATA onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATA

    onsemi
    299税込329
    1袋(10個)
    当日出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba NPN パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3P 東芝

    Toshiba NPN パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3P

    東芝
    2,498税込2,748
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝

    Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

    東芝
    229税込252
    1袋(10個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin TO-92

    ON SEMICONDUCTOR
    169税込186
    1袋(10個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • STMicroelectronics トランジスタ, PNP, スルーホール, -3 A, BD140 STMicro

    STMicroelectronics トランジスタ, PNP, スルーホール, -3 A, BD140

    STMicro
    119税込131
    1個
    翌々日出荷
    トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.25 W。最小DC電流ゲイン = 100, 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTA onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTA

    onsemi
    1,798税込1,978
    1袋(100個)
    欠品中
    トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • ROHM PNP トランジスタ, 80 V, 500mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) ROHM

    ROHM PNP トランジスタ, 80 V, 500mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

    ROHM
    849税込934
    1袋(25個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 180 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.5 VPNP小信号トランジスタ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM 東芝

    Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM

    東芝
    149税込164
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝

    Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)

    東芝(2件のレビュー)
    229税込252
    1袋(10個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba PNP トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS 東芝

    Toshiba PNP トランジスタ, 80 V, 12 A, 3-Pin TO-220SIS

    東芝
    2,298税込2,528
    1袋(5個)
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • STMicroelectronics PNP トランジスタ, 80 V, 3 A, 3-Pin SOT-32 STMicro

    STMicroelectronics PNP トランジスタ, 80 V, 3 A, 3-Pin SOT-32

    STMicro
    119税込131
    1個
    当日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.25 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
  • トランジスタ NPN 80V 6A TO220F サンケン電気

    トランジスタ NPN 80V 6A TO220F

    サンケン電気
    239税込263
    1個
    3日以内出荷
    仕様コンプリメンタリ:2SA1725電流(A)IC:6電圧(V)VCEO:80電力(W)PC:30hFEmin50/max180、条件VCE:4V/条件IC:2ARoHS指令(10物質対応)対応最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)max0.5
  • ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, DTD123YKT146 ROHM

    ローム 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, DTD123YKT146

    ROHM
    159税込175
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様●トランジスタタイプ: NPN●最大DCコレクタ電流: 500 mA●パッケージタイプ: SMT●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 56●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●動作温度 Max: +150 ℃kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, BC817-25LT3G onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, BC817-25LT3G

    onsemi
    389税込428
    1袋(25個)
    翌々日出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • NPN トランジスタ 表面実装 3-Pin DiodesZetex

    NPN トランジスタ 表面実装 3-Pin

    DiodesZetex
    899税込989
    1袋(10個)
    翌々日出荷から9日以内出荷
  • Toshiba PNP トランジスタ 東芝

    Toshiba PNP トランジスタ

    東芝
    899税込989
    1袋(25個)
    翌々日出荷
    トランジスタタイプPNPトランジスタ構成シングル最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1
  • Toshiba NPN トランジスタ 東芝

    Toshiba NPN トランジスタ

    東芝
    1,498税込1,648
    1袋(25個)
    翌々日出荷
    実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN
  • Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-236MOD 東芝

    Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-236MOD

    東芝
    859税込945
    1袋(50個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-236MOD実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1長さ = 2.9mm小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ, 50 V, 150mA, 6-Pin US 東芝

    Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ, 50 V, 150mA, 6-Pin US

    東芝
    299税込329
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba NPN パワートランジスタ, 50 V, 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252) 東芝

    Toshiba NPN パワートランジスタ, 50 V, 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    東芝
    1,698税込1,868
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.18 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba PNP 高電圧 パワートランジスタ, 600 V, 500mA, 3-Pin DPAK (TO-252) 東芝

    Toshiba PNP 高電圧 パワートランジスタ, 600 V, 500mA, 3-Pin DPAK (TO-252)

    東芝
    449税込494
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba PNP バイポーラトランジスタ, 20 V, 1.5 A, 3-Pin TSM 東芝

    Toshiba PNP バイポーラトランジスタ, 20 V, 1.5 A, 3-Pin TSM

    東芝
    299税込329
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mm汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin ESM 東芝

    Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin ESM

    東芝
    139税込153
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba PNP デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM 東芝

    Toshiba PNP デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM

    東芝
    139税込153
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin ESM 東芝

    Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin ESM

    東芝
    149税込164
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin USM 東芝

    Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin USM

    東芝
    229税込252
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

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