20ページ目: トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 385 mW。トランジスタ構成 = デュアル。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。標準抵抗比 = 1kΩ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SC-59。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ

トランジスタタイプ = PNP。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -200 V。パッケージタイプ = SOT-93。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ、低周波数スイッチング、モータ制御用途として使用するように設計されています。MJH11017 、 MJH11019 、 MJH11021 ( PNP )、 MJH11018 、 MJH11020 、 MJH11022 ( NPN )は、コンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン @ 10 ADC - hFE = 400 分(すべてのタイプ) コレクタ - エミッタ維持電圧 VCEO ( sus ) = 150 V dc (最小) MJH11018 、 17 VCEO ( sus ) = 200 V dc (最小) - MJH11020 、 19 VCEO ( sus ) = 250 V dc (最小) - MJH11022 、 21 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 VCE (飽和) = 1.2 V (標準) @ IC = 5.0 A VCE (飽和) = 1.8 V (標準) @ IC = 10 A モノリシック構造 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 200 W。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm

トランジスタタイプ = NPN。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = WDFN。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2 x 2 x 0.75mm

トランジスタタイプ = PNP。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 65 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.53 x 4.83 x 9.28mm。6 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。BD243B 、 BD243C ( NPN )、 BD244B 、 BD244C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) = 1.5 V dc (最大) @ IC = ADC コレクタエミッタ持続電圧 - VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) BD243B 、 BD244B VCEO ( us ) = 100 V dc (最小) - BD243C 、 BD244C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -25 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -260 V。パッケージタイプ = TO-264。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 200 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 260 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 5。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220F。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 40 W。最小DC電流ゲイン = 15， 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 1100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 15 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 56 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 29.5 A 低ゲート電荷量(標準) 77 nC ) 低 CRSs (標準) 80 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -30 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -250 V。パッケージタイプ = TO-204AA。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 250 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 39.37 x 26.67 x 8.51mm。MJ21195G および MJ21196G は、穴あきエミッタ技術を採用しており、高出力オーディオ出力、ディスクヘッドポジショナー、リニア用途向けに特別に設計されています。全高調波歪みの特性を示しました 高 DC 電流利得 - HFE = 25 分 @ IC = 8 ADC 優れた利得直線性 高 SOA ： 3A 、 80V 、 1 秒

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 25 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 260 V。パッケージタイプ = TO-264。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 200 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 260 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 5。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.69 W。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。この小型表面実装 MOSFET の低 RDS ( on )は、電力損失を最小限に抑え、消費電力を節約し、小型の電力管理回路での使用に最適です。主な用途は、 dc コンバータ、ポータブル及びバッテリ駆動製品(コンピュータ、プリンタ、 PCMCIA カード、携帯電話、コードレス電話など)の電源管理などです。低 RDS ( on )：高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します 基板スペースを節約する小型 SOT-23 表面実装パッケージ 鉛フリーパッケージを用意 用途 DC-DC コンバータ 電力管理

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 140 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.9 x 2 x 1.25mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 30 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-204AA。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 250 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm。MJ21195G および MJ21196G は、穴あきエミッタ技術を採用しており、高出力オーディオ出力、ディスクヘッドポジショナー、リニア用途向けに特別に設計されています。全高調波歪みの特性を示しました 高 DC 電流利得 - HFE = 25 分 @ IC = 8 ADC 優れた利得直線性 高 SOA ： 3A 、 80V 、 1 秒

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 420。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -30 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計され、デバイスの取り付け面をヒートシンク又はシャーシから電気的に絶縁する必要があります。電気的に普及した TIP122 および TIP127 に類似しています 100 VCEO ( sus ) 定格コレクタ電流： 5 A 分離ワッシャは不要です システムコストの削減 高 DC 電流ゲイン： 2000 (最小) @ IC = 3 ADC 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 40 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-204AA。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 160 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V dc。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 75 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 kHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.53 x 4.83 x 15.75mm。15 A 、 80 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。2N6487 、 2N6488 ( NPN )、及び 2N6490 、 2N6491 ( PNP )は、コンプリメンタリデバイスです。DC 電流ゲインは 15 A に指定 --hFE = 20-150 @ IC = 5.0 ADC 、 hFE = 5.0 (最小) @ IC = 15 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 -- VCEO ( sus ) = 60 V dc (最小) - 2N6487 、 2N6490 、 VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) - 2N6488 、 2N6491 高電流ゲイン -- 帯域幅積フィート = 5.0 MHz (最小) @ IC = 1.0 ADC TO-220AB コンパクトパッケージ 鉛フリーパッケージを用意 用途 汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 110。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V dc。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 40 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このバイポーラトランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途で使用するように設計されています。TIP31 、 TIP31A 、 TIP31B 、 TIP31C 、( NPN )、 TIP32 、 TIP32A 、 TIP32B 、 TIP32C 、( PNP )は相補的な装置ですコレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE ( sat ) = 1.2 V dc (最大) @ IC = 3.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - VCEO (調査) = 60 V dc (最小) - TIP31A 、 TIP32A = 80 V dc (最小) - TIP31B 、 TIP32B = 100 V dc (最小) - TIP31C 、 TIP32C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

パッケージタイプ = D2PAK。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 158 W。ピン数 = 2 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.0 A RDS ( ON ) = 50 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 4.5 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ： MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル>： 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2 x 2 x 0.72mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 30 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.7 A RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 5.0 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル： 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = TSOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm

パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。パワー MOSFET 170 mA 、 100 V 、 N チャンネル SOT-23品番の先頭が「 BVSS 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 500 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc