エコ商品
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)1.2
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)350
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)300
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
1箱(100個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65
最大ゲートしきい値電圧(V)1
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ7 nC @ 4.5 V
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥699
税込￥769
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)500
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5
最大ゲートしきい値電圧(V)3
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費830 mW
1箱(10個)
￥329
税込￥362
5日以内出荷
仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)2.5
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)130
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
1箱(25個)
￥3,398
税込￥3,738
5日以内出荷
仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)130
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)10
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費360 mW
1箱(10個)
￥489
税込￥538
5日以内出荷
仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
高さ(mm)0.93
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)360
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)120
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)10
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ1.8 nC @ 10 V
1箱(20個)
￥849
税込￥934
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.65V●最大連続ドレイン電流：460 mA
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)350
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)25
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.1
最大ゲート-ソース間電圧(V)8
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1個
￥63
税込￥69
5日以内出荷
仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
高さ(mm)0.94
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)300
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥679
税込￥747
7日以内出荷
仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
幅(mm)1.4
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)900
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)300
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥629
税込￥692
5日以内出荷
仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
長さ(mm)2.92
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)180
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費360 mW
1箱(10個)
￥229
税込￥252
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.2083333333
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
パッケージSOT-223
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)3000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-65
1箱(5個)
￥1,098
税込￥1,208
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：2.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：11 nC @ 10 V
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
パッケージSOT-223
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)3000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)300
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥589
税込￥648
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：5.7 A
高さ(mm)2.3
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)2500
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)690
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
長さ(mm)2.92
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)350
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)680
最大ドレイン-ソース間電圧(V)25
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450
最小ゲートしきい値電圧(V)0.65
最大ゲート-ソース間電圧(V)8
トランジスタ構成シングル
1箱(100個)
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)0.93
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)350
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)220
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2.5
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12
トランジスタ構成シングル
1箱(100個)
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)625
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)400
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
1箱(50個)
￥2,898
税込￥3,188
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)500
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費300 mW
1箱(10個)
￥239
税込￥263
5日以内出荷
仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN， P
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.5、3.9
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)95190
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成絶縁型
最大パワー消費2 W
1箱(10個)
￥1,798
税込￥1,978
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
幅(mm)1.3
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-65 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)280
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費300 mW
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 500 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： TO-92●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.8V●最大パワー消費 ： 830 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は●Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは●オンステート抵抗を最小限に抑え●頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥329
税込￥362
翌々日出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：1.9 A
幅(mm)1.4
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)600
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥619
税込￥681
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：40 nC @ 5 V
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージTO-220
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)110
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)250
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)280
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)13.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成絶縁型
1セット(50個)
￥3,500
税込￥3,850
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)60
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)200
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1個
￥239
税込￥263
5日以内出荷
仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)200
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)115
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)13.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成絶縁型
1箱(50個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：120 nC @ 20 V
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)150
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1個
￥419
税込￥461
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)340
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)210
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)6
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
1箱(100個)
￥1,498
税込￥1,648
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0
高さ(mm)16.51
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージTO-220
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)48
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180
最大ゲート-ソース間電圧(V)-15 ， +15
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)1.2
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)350
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)300
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8
最小ゲートしきい値電圧(V)1.1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
1セット(100個)
￥1,498
税込￥1,648
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.65V●最大連続ドレイン電流：500 mA
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージSOT-363
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)300
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)25
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)770
最大ゲート-ソース間電圧(V)8
トランジスタ構成絶縁型
最大動作温度(℃)150
最小動作温度(℃)-55
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：7.2 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：19 nC @ 10 V
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージSOT-223
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)3
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)90
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-65
1箱(5個)
￥1,298
税込￥1,428
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)14
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、 +10
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費48 W
1箱(10個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.5V●最大連続ドレイン電流：1.3 A
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)500
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)160
最大ゲート-ソース間電圧(V)8
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥399
税込￥439
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：25 nC @ 5 V、40 nC @ 10 V
高さ(mm)2.39
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)48000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10
トランジスタ構成シングル
1個
￥219
税込￥241
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)2.39
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+175
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)11
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)107
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-16、+16
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費38 W
1箱(10個)
￥919
税込￥1,011
5日以内出荷
仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN， P
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)340510
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)410
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成絶縁型
最大パワー消費960 mW
1箱(10個)
￥639
税込￥703
7日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)2.39
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+175
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)14
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費48 W
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)220
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3.5
最大ゲートしきい値電圧(V)1.5
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費360 mW
1箱(10個)
￥199
税込￥219
5日以内出荷
仕様AC/ACT244 は、メモリアドレスドライバ、クロックドライバ、バス指向トランスミッタ / レシーバとして使用されるように設計されたオクタルバッファ / ラインドライバで、基板密度を改善します。ICC と IOZ は 50% 削減されました 3-STATE はドライブバスラインまたはバッファメモリアドレスレジスタを出力する 出力ソース / シンク： 24 mA ACT244 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。、伝播遅延テスト条件：50pF、論理回路
タイプロジック：バッファ
動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)2 → 6
低レベル出力電流(mA)(Max)24
高レベル出力電流(mA)(Max)-24
出力タイプ3ステート
1箱(25個)
￥2,998
税込￥3,298
7日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：13 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)2500
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
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