onsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 3.5 A、3.9 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
- 仕様
- 強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
- ピン数(ピン)
- 8
- 動作温度(℃)
- -55 (Min)
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N， P
- 材質(トランジスタ)
- Si
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 3.5、3.9
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 30
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 95190
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 1
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、+20
- トランジスタ構成
- 絶縁型
- 最大パワー消費
- 2 W
- 内容量
- 1箱(10個)
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