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1N4733ATR オンセミ，ツェナーダイオード， 5.1V， 1 W， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ツェナーダイオード， 5.1V， 1 W， 2-Pin DO-41

RoHS

仕様標準ツェナー電圧 = 5.1V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 49mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

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￥839 税込￥923

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EGP10G オンセミ，整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V高さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(50個)

￥2,598 税込￥2,858

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BC550CTA ON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(200個)

￥2,998 税込￥3,298

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NSI50350AST3G ON Semiconductor LEDドライバ IC， 350 mA， 50 V， 2-Pin SMC ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor LEDドライバ IC， 350 mA， 50 V， 2-Pin SMC

RoHS

仕様セグメント数 = 1最大供給電流 = 350 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMCピン数 = 2標準動作供給電圧 = 50 V寸法 = 7.11 x 6.1 x 2.41mm高さ = 2.41mm長さ = 7.11mm動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃幅 = 6.1mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,398 税込￥1,538

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TIP29CG ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-220

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥1,598 税込￥1,758

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2N6491G ON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 80 V， 15 A， 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 80 V， 15 A， 3-Pin TO-220

RoHS

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 90 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥1,098 税込￥1,208

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D44VH10G ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 80 V， 15 A， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 80 V， 15 A， 3-Pin TO-220AB

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 83 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 20 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥679 税込￥747

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1N4148WT オンセミ，スイッチングダイオード， 300mA， 75V， 2-Pin SOD-523，エレメント数 1，シングル ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，スイッチングダイオード， 300mA， 75V， 2-Pin SOD-523，エレメント数 1，シングル

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm小信号スイッチングダイオード、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(100個)

￥579 税込￥637

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BZX85C16 オンセミ，ツェナーダイオード， 16V， 1 W， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ツェナーダイオード， 16V， 1 W， 2-Pin DO-41

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(100個)

￥629 税込￥692

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BZX85C10 オンセミ，ツェナーダイオード， 10V， 1 W， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ツェナーダイオード， 10V， 1 W， 2-Pin DO-41

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(100個)

￥679 税込￥747

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NCV4274AST33T3G ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 400mA， 3.3 V 固定出力， 3+Tab-Pin SOT-223 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 400mA， 3.3 V 固定出力， 3+Tab-Pin SOT-223

RoHS

仕様出力電圧 = 3.3 V出力電流 Max = 400mAパッケージタイプ = SOT-223出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 4.5 V入力電圧 Max = 40 Vピン数 = 3+Tab動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +150 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 0.15mA低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、400 mA、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(2個)

￥659 税込￥725

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PN2222ABU ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin TO-92

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥299 税込￥329

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SS14 オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 1A， 40V， 2-Pin DO-214AC (SMA) ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ショットキーバリアダイオード， 1A， 40V， 2-Pin DO-214AC (SMA)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV長さ = 4.75mm幅 = 2.95mm高さ = 2.2mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥239 税込￥263

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MMBF170 ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 500 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 500 mA， 3 ピンパッケージSOT-23

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 300 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥259 税込￥285

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SS8050DTA ON Semiconductor NPN トランジスタ， 25 V， 1.5 A， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 25 V， 1.5 A， 3-Pin TO-92

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥289 税込￥318

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SS8550DBU ON Semiconductor PNP トランジスタ， 25 V， 1.5 A， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ， 25 V， 1.5 A， 3-Pin TO-92

RoHS

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.5 V小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥349 税込￥384

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1N914ATR オンセミ，整流ダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin DO-35 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，整流ダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin DO-35

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 4.56mm幅 = 1.91mm高さ = 1.91mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク逆電流 = 5μA小信号スイッチングダイオード、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(50個)

￥569 税込￥626

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MMUN2211LT3G ON Semiconductor NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(25個)

￥319 税込￥351

7日以内出荷

BSS84 ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 130 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 130 mA， 3 ピンパッケージSOT-23

RoHS

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 130 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW長さ = 2.92mm強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥499 税込￥549

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FDLL4148 オンセミ，整流ダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin SOD-80 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，整流ダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin SOD-80

RoHS

仕様最大連続順方向電流 = 300mA整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 3.6mm幅 = 1.5mm高さ = 1.5mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(25個)

￥179 税込￥197

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2N3055G ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 60 V， 15 A， 3-Pin TO-204 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 60 V， 15 A， 3-Pin TO-204

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 115 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 2.5 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥859 税込￥945

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MMBT3906LT1G ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 200 mA， 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 200 mA， 3-Pin SOT-23

RoHS

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(50個)

￥399 税込￥439

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MJF15030G ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 150 V， 8 A， 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 150 V， 8 A， 3-Pin TO-220

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2000 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥289 税込￥318

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P6KE33A ON Semiconductor 単方向 TVSダイオード， 600W， 45.7V， 2-Pin DO-15 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 単方向 TVSダイオード， 600W， 45.7V， 2-Pin DO-15

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 45.7V最小ブレークダウン電圧 = 31.4V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 28.2Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 13.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃最大逆漏れ電流 = 5μAアキシャル単方向600 W TVSダイオード、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor

1袋(5個)

￥299 税込￥329

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P6KE15CA ON Semiconductor 双方向 TVSダイオード， 600W， 21.2V， 2-Pin DO-15 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 双方向 TVSダイオード， 600W， 21.2V， 2-Pin DO-15

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 21.2V最小ブレークダウン電圧 = 14.3V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 12.8Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 28A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃最大逆漏れ電流 = 5μATVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor

1袋(5個)

￥349 税込￥384

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MC7915CTG ON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ， 1A， -15 V 固定出力， 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ， 1A， -15 V 固定出力， 3-Pin TO-220

RoHS

仕様出力電圧 = -15 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負精度 = ±4%負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。さまざまな用途に適しています。 RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥109 税込￥120

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UC3842BNG ON Semiconductor電流モード PWMコントローラ，ブースト，フライバック，フォワード， 500 kHz， 8-Pin ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor電流モード PWMコントローラ，ブースト，フライバック，フォワード， 500 kHz， 8-Pin

RoHS

仕様PWM出力数 = 1コントロール方法 = 電流トポロジー = ブースト，フライバック，フォワード上昇時間 = 50ns降下時間 = 50ns最大デューティサイクル = 96%最大スイッチング周波数 = 500 kHz実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 8出力電流 = 1 A動作温度 Min = 0 ℃AC-DCオフラインコントローラ、UCシリーズ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥319 税込￥351

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MC34063AP1G ON Semiconductor 昇圧 / 降圧 DC-DCコンバータ，出力電圧(Min):1.25 V PDIP ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 昇圧 / 降圧 DC-DCコンバータ，出力電圧(Min):1.25 V PDIP

RoHS

仕様出力電圧 Min = 1.25 V出力電圧 Max = 40 V入力電圧 Min = 3 V入力電圧 Max = 40 V出力電流 Max = 1.5Aコンバータタイプ = ステップダウン，ステップアップ出力数 = 1実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 8動作温度 Max = +70 ℃動作温度 Min = 0 ℃幅 = 6.6mmスイッチングレギュレータ、ステップアップ / ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥109 税込￥120

7日以内出荷

1N4004G オンセミ，整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V高さ = 5.2mm直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(1000個)

￥6,798 税込￥7,478

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RFP70N06 ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 70 A， 3 ピンパッケージTO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 70 A， 3 ピンパッケージTO-220AB

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2250 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥449 税込￥494

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NUP2105LT1G ON Semiconductor 2チャンネル双方向 TVSダイオード， 350W， 44V， 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 2チャンネル双方向 TVSダイオード， 350W， 44V， 3-Pin SOT-23

RoHS

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 44V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 350W最大ピークパルス電流 = 8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 100nANUP2105L、NUP3105LデュアルラインCAN保護機能. NUP2105L / NUP3105Lは、高速のフォルトトレランスネットワークにおいてCANトランシーバを、ESD及びその他の危険な過渡電圧事故から保護する目的で設計されています。. ライン当たりのピーク電力消失: 350 W 逆漏洩電流が低い(< 100 nA) 低静電容量高速CANデータ転送速度 IEC対応: IEC61000-4-2 (ESD): レベル4 IEC61000-4-4 (EFT): 40 A - 5/50 ns (NUP3105Lは50 A - 5/50 ns) IEC61000-4-5 (照明) 8 A (8/20 μs) RoHS指令(10物質対応)対応

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￥699 税込￥769

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1N4742A，113 Nexperia ツェナーダイオード， 12V， 1 W， 2-Pin SOD-66 nexperia

nexperiaNexperia ツェナーダイオード， 12V， 1 W， 2-Pin SOD-66

RoHS

仕様標準ツェナー電圧 = 12V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = SOD-66ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 21mA最大逆漏れ電流 = 5μA直径 = 2.6mm寸法 = 2.6 (Dia.) x 4.8mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥999 税込￥1,099

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74LVC1T45GW，125 NXP 74 LVCシリーズバッファ / コンバータ， 3ステート非反転， 1.2～5.5 V， 6-Pin SC-88 nexperia

nexperiaNXP 74 LVCシリーズバッファ / コンバータ， 3ステート非反転， 1.2～5.5 V， 6-Pin SC-88

RoHS

仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = トランシーバ1チップ当たりのチャンネル数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-88ピン数 = 6高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 31.8ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作供給電圧 Min = 1.2 V RoHS指令(10物質対応)対応

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BZV55-C5V1，115 Nexperia ツェナーダイオード， 5.1V， 500 mW， 2-Pin MiniMELF nexperia

nexperiaNexperia ツェナーダイオード， 5.1V， 500 mW， 2-Pin MiniMELF

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA長さ = 3.7mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥109 税込￥120

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BZX79-C4V7，113 Nexperia ツェナーダイオード， 4.7V， 500 mW， 2-Pin DO-35 nexperia

nexperiaNexperia ツェナーダイオード， 4.7V， 500 mW， 2-Pin DO-35

RoHS

仕様標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm標準電圧温度係数 = -1.4mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥219 税込￥241

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BZX79-C3V0，113 Nexperia ツェナーダイオード， 3V， 500 mW， 2-Pin DO-35 nexperia

nexperiaNexperia ツェナーダイオード， 3V， 500 mW， 2-Pin DO-35

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仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia

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￥279 税込￥307

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BZX79-C30，113 Nexperia ツェナーダイオード， 30V， 500 mW， 2-Pin DO-35 nexperia

nexperiaNexperia ツェナーダイオード， 30V， 500 mW， 2-Pin DO-35

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm幅 = 1.85mmツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥399 税込￥439

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BZX79-B6V2，113 Nexperia ツェナーダイオード， 6.2V， 500 mW， 2-Pin DO-35 nexperia

nexperiaNexperia ツェナーダイオード， 6.2V， 500 mW， 2-Pin DO-35

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥599 税込￥659

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PESD5V0S1BA，115 Nexperia 双方向 TVSダイオード， 130W， 14V， 2-Pin SOD-323 nexperia

nexperiaNexperia 双方向 TVSダイオード， 130W， 14V， 2-Pin SOD-323

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 14V最小ブレークダウン電圧 = 5.5V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 130W最大ピークパルス電流 = 12AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 1mAPESDxxxS1シリーズ、過渡電圧抑制用双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 双方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、1本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥659 税込￥725

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BAS45A，113 Nexperia スイッチングダイオード， 250mA， 125V， 2-Pin DO-34，エレメント数 1，シングル nexperia

nexperiaNexperia スイッチングダイオード， 250mA， 125V， 2-Pin DO-34，エレメント数 1，シングル

RoHS

仕様最大順方向電流 = 250mA実装タイプ = スルーホール最大逆電圧 = 125Vパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 3.04 x 1.6 x 1.6mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応低漏洩及び高電圧のタイプを用意高スイッチング速度低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応

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