電子部品(オンボード) ：「t5」の検索結果

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 5 V。ロードレギュレーション = 50 mV%。極性 = 正。パッケージタイプ = T0-220。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。高さ = 15.75mm。自動車規格 = AEC-Q100mm。低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、最大120 mA、ON Semiconductor

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SOD-923。ピン数 = 2。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 0.85mm。幅 = 0.65mm。高さ = 0.43mm。寸法 = 0.85 x 0.65 x 0.43mm。パワー消費 = 710mW。BAS16P2T5G スイッチング・ダイオードは、メーカーの代表的な 3 リード SOT-23 デバイスのスピン・オフです。アプリケーションの切り替え用に設計されており、 SOD-923 表面実装パッケージに収納されています。このデバイスは、基板スペースが限られている低消費電力の表面実装用途に最適です。超小型 SOD-923 パッケージ スペースに制約のあるボードに取り付けられます 用途 高速スイッチングアプリケーション 最終製品 ワイヤレスハンドセット

出力電流 Max = 3A。出力電圧 Max = 5.25 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 4.75 V。入力電圧 Min = 8 V。入力電圧 Max = 40 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = D2PAK。スイッチングレギュレータ = あり。寸法 = 10.236 x 9.347 x 4.572mm。スイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 1.2 to 3mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-883。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 4pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 4pF。寸法 = 1.08 x 0.68 x 0.41mm。高さ = 0.41mm。NチャンネルJFET、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-323。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 800mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = コモンアノード。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 240mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧A。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 6 mV。ロードレギュレーション = 15 mV%。極性 = 正。静止電流 = 10mA。ピン数 = 3+Tab。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.69mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 3.7mm。NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは、 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが、固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には、調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で、 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して、 NCP1117 デバイスは、ドロップアウト電圧を大幅に低減し、出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 800mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 240mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 5 V。精度 = ±2.5%。極性 = 正。パッケージタイプ = T0-220。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。高さ = 15.75mm。幅 = 4.82mm。入力 - 出力電圧差<： 0.6 V @ 100 mA 出力電流は 100 mA 超です 低バイアス電流 60 V ロードダンプ保護 -50 V の逆過渡保護 サーマルシャットダウンによる内部電流制限 一時ミラー - イメージ保護 バッテリ駆動機器に最適です 2 つのオプションのリードフォームを備えた経済的な 5 リード TO-220 パッケージ 表面実装 SOP-8 、 D2PAK 、及び DPAK パッケージで提供されます 高精度( +/-2 % )リファレンス( LM2931AC )を用意しています 用途 消費者向けバッテリ駆動製品 ハンドヘルド機器 自動車

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 12.5V。最小ブレークダウン電圧 = 5.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 0.3W。最大ピークパルス電流 = 12.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。自動車規格 = AEC-Q101pF。低静電容量ESD保護アレイ

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 10.4V。最小ブレークダウン電圧 = 5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 102W。最大ピークパルス電流 = 9.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 0.85 x 0.65 x 0.43mm。自動車規格 = AEC-Q101pF。低静電容量ESD保護アレイ

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 10.5V。最小ブレークダウン電圧 = 5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 0.3W。最大ピークパルス電流 = 10.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 0.65mm。低静電容量ESD保護アレイ

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 30 mV。ロードレギュレーション = 50 mV%。極性 = 正。静止電流 = 30mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.22mm。低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、最大120 mA、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -50 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -3 V。最大動作周波数 = 20 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 50 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 4.5 V。最大動作周波数 = 20 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。低ノイズバイポーラトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 60。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大連続 順方向電流 = 100mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 525mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 140 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

論理回路 = 74HC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.2mA。低レベル出力電流 Max = 7.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 45 ns@ 150 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 7.59mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 11V。最小ブレークダウン電圧 = 6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 300W。最大ピークパルス電流 = 17A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。高速ライン保護のための300 W低静電容量TVS. 補償ダイオードにTVSダイオードを直列接続することで、静電容量を5 pF未満に抑制 ピーク定格出力: 300 W、8 x 20 μs

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 0.1 %。ロードレギュレーション = 0.1 %%。極性 = 正。静止電流 = 75μA。基準電圧 = 1.235V。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.22mm。低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、最大120 mA、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DSN - 0402。最大連続 順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = -420mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 10A