電子部品(オンボード) ：「安全管理」の検索結果

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 120 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.56mm。動作温度 Min = -65 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。高さ = 1.7mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 900 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.56mm。高さ = 1.6mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 690 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 6.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 180 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 9.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 185 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 6.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 130 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 0.9 nC @ 5 Vmm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 10 Vmm。高さ = 2.39mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

抵抗 10mΩ。テクノロジー ニクロム。パッケージ/ケース 2818。許容差 ±1%。定格電力 7W。温度係数 ±75ppm/℃。シリーズ WSHM。動作温度 Min -65℃。動作温度 Max +170℃。2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

抵抗 100mΩ。テクノロジー ニクロム。パッケージ/ケース 2818。許容差 ±1%。定格電力 7W。温度係数 ±75ppm/℃。シリーズ WSHM。動作温度 Min -65℃。動作温度 Max +170℃。2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

抵抗 20mΩ。テクノロジー ニクロム。パッケージ/ケース 2818。許容差 ±1%。定格電力 7W。温度係数 ±75ppm/℃。シリーズ WSHM。動作温度 Min -65℃。動作温度 Max +170℃。2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

高速、安全、及びコスト効果の高い対称認証。Microchip SHAベースのCryptoAuthentication暗号化エレメントデバイスは、幅広い認証モデルを実現する柔軟性の高いユーザー設定セキュリティを提供できるように設計されています。ATSHA204Aは、SHAデバイスグループの初めてのデバイスです。ATECC108AとATECC508AはATSHA204Aの上位セットであるため、ATSHA204Aはこれらと上位互換性があります。すべてのCryptoAuthenticationデバイスと同様、ATSHA204Aは暗号化の専門知識なしで簡単に設計できます。Secure Hash Algorithm (SHA)アルゴリズムは、ほとんどの暗号システムで広く使用されていて、最新の認証プロトコルで重要な要素であり続けています。これらのデバイスはSHA-256規格をサポートしています。対称認証ソリューション 高速認証 容易なキー管理 偽造防止に最適 保護されたハードウェアベースのキーストレージを備えた暗号化エレメント セキュア対称認証デバイスのホスト / クライアント操作

極数 8。行数 2。ピッチ 2.5mm。オス/メス メス。実装タイプ ケーブルマウント。シリーズ Dynamic 2000。併用可能製品 電線対基板コネクタ。接続方向 ストレート。長さ 11.4mm。幅 15.78mm。ハウジング材質 PET。. TE Connectivity DYNAMIC D-2100S D-2100D 2.5 mmタブ及びレセプタクルハウジング. Dynamic D-2100シリーズの2.5 mmタブとレセプタクルコネクタハウジングは、コンパクトで省スペースの設計になっています。D-2100Sバージョンは標準的な1列構成で、D-2100Dは2列構成になっています。D-2100コネクタハウジングは、コンタクトを所定の位置に固定し、かん合時の損傷を防止するロッキングランスを備えています。コンタクトがハウジング内に完全に固定されるとカチっと音がします。D-2100圧着ハウジングには、誤かん合を防止し、かん合時のハウジング間のずれや捩れを防ぐキーイングリブが付いています。ハウジング上面にセンターロックがあるので、確実にかん合接続できます。また、カチッと音がするので、かん合したことがわかります。このセンターロックは基板のスペースも節約するので、高密度実装が実現します。Dynamic D-2100コネクタハウジングの圧着レセプタクルとタブコンタクトは別売りです。. 特長と利点:. コンパクトな省スペース設計 しっかりとコンタクトを保持するロッキングランス 誤かん合を防ぐリブ センターロックラッチで、確実なかん合と基板スペースの節約 確実にかん合すると、クリック音が聞こえる 視覚的にかん合を確認できる取り付けライン. 用途:. これらのコネクタは、自動車業界で使用するように設計されています。具体的には、次のような用途があります ミラー マルチメディアアプリケーション 画面を表示します エアバッグ ECU /安全アプリケーション スイッチ ハンズフリースマートフォン エンジンイモビライザ ダッシュボード 安全用途 トランク LID ラッチの電気制御 タイヤ空気圧監視システム ボディコントローラの管理

抵抗 0Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±0%。定格電力 0.5W。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.33 W. パルス防止の高出力厚膜チップ抵抗器シリーズは、信頼性、安定性、高い出力定格、優れたパルス負荷性能が重要視される電力測定電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途には、車載機器のバッテリ管理システムなどがあります。. 特長. 優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応 はんだ付けプロセスを含む. 用途. 自動化 産業用

RS Pro の Vitreous エナメル塗装調整式抵抗 RS Pro の調整可能抵抗器製品をご紹介します。さまざまな抵抗値で設定する必要がある用途に最適なソリューションです。この信頼性の高い巻線型抵抗器は、ホウロウ構造により簡単に取り付けられ耐久性が Durable になっているため、劣悪な条件や困難な条件が標準調整可能な抵抗器に影響を与える可能性のある幅広い環境での使用に適しています。 特長と利点: RS Pro の調整式抵抗器は、幅広い用途での抵抗管理に最適 この抵抗器は、ニッケルクロム巻線をいくつかのホウロウエナメル塗装で完全に保護しているため、信頼性の高い抵抗器を形成できるため、劣悪な条件に耐えることができます また、熱衝撃や熱漏れに対する特に優れた耐性があり、全温度範囲で高い絶縁耐性及び高い機械耐性を発揮します この調整可能なホウロウエナメル抵抗器には、 90 Watts ～ 750 Watts の範囲があり、選択したサイズのねじまたは「 Fast On 」端子に適した Terminal Tag が付属しています 取り付けブラケットが付属しています 用途: 可変巻線型抵抗器又は可変巻線型抵抗器は、電気回路の作業時に電気抵抗を削減、制限、及び調整するために使用される受動部品です。このタイプの抵抗器の主な利点は、高い精度と信頼性を備えながら、低コストで広範な抵抗値の製品を取り揃えていることです。そのため、次のようなさまざまな用途で非常に汎用性の高い製品となっています。 オーディオ及びビジュアル機器 コンピュータと通信 航空宇宙、防衛、軍事 医療機器 RS Pro を選ぶ理由 RS PROはメーカー独自のブランドで、選択肢を増やすために、高品質で価値の高い製品を幅広く提供しています。世界中のエンジニアから信頼を得ており、すべての RS Pro 製品は厳しい業界標準に対して厳しくテストされています RS Pro の優れた品質が自信を持ってお届けできるの

RS Pro の Vitreous エナメル塗装調整式抵抗 RS Pro の調整可能抵抗器製品をご紹介します。さまざまな抵抗値で設定する必要がある用途に最適なソリューションです。この信頼性の高い巻線型抵抗器は、ホウロウ構造により簡単に取り付けられ耐久性が Durable になっているため、劣悪な条件や困難な条件が標準調整可能な抵抗器に影響を与える可能性のある幅広い環境での使用に適しています。 特長と利点: RS Pro の調整式抵抗器は、幅広い用途での抵抗管理に最適 この抵抗器は、ニッケルクロム巻線をいくつかのホウロウエナメル塗装で完全に保護しているため、信頼性の高い抵抗器を形成できるため、劣悪な条件に耐えることができます また、熱衝撃や熱漏れに対する特に優れた耐性があり、全温度範囲で高い絶縁耐性及び高い機械耐性を発揮します この調整可能なホウロウエナメル抵抗器には、 90 Watts ～ 750 Watts の範囲があり、選択したサイズのねじまたは「 Fast On 」端子に適した Terminal Tag が付属しています 取り付けブラケットが付属しています 用途: 可変巻線型抵抗器又は可変巻線型抵抗器は、電気回路の作業時に電気抵抗を削減、制限、及び調整するために使用される受動部品です。このタイプの抵抗器の主な利点は、高い精度と信頼性を備えながら、低コストで広範な抵抗値の製品を取り揃えていることです。そのため、次のようなさまざまな用途で非常に汎用性の高い製品となっています。 オーディオ及びビジュアル機器 コンピュータと通信 航空宇宙、防衛、軍事 医療機器 RS Pro を選ぶ理由 RS PROはメーカー独自のブランドで、選択肢を増やすために、高品質で価値の高い製品を幅広く提供しています。世界中のエンジニアから信頼を得ており、すべての RS Pro 製品は厳しい業界標準に対して厳しくテストされています RS Pro の優れた品質が自信を持ってお届けできるの

RS Pro の Vitreous エナメル塗装調整式抵抗 RS Pro の調整可能抵抗器製品をご紹介します。さまざまな抵抗値で設定する必要がある用途に最適なソリューションです。この信頼性の高い巻線型抵抗器は、ホウロウ構造により簡単に取り付けられ耐久性が Durable になっているため、劣悪な条件や困難な条件が標準調整可能な抵抗器に影響を与える可能性のある幅広い環境での使用に適しています。 特長と利点: RS Pro の調整式抵抗器は、幅広い用途での抵抗管理に最適 この抵抗器は、ニッケルクロム巻線をいくつかのホウロウエナメル塗装で完全に保護しているため、信頼性の高い抵抗器を形成できるため、劣悪な条件に耐えることができます また、熱衝撃や熱漏れに対する特に優れた耐性があり、全温度範囲で高い絶縁耐性及び高い機械耐性を発揮します この調整可能なホウロウエナメル抵抗器には、 90 Watts ～ 750 Watts の範囲があり、選択したサイズのねじまたは「 Fast On 」端子に適した Terminal Tag が付属しています 取り付けブラケットが付属しています 用途: 可変巻線型抵抗器又は可変巻線型抵抗器は、電気回路の作業時に電気抵抗を削減、制限、及び調整するために使用される受動部品です。このタイプの抵抗器の主な利点は、高い精度と信頼性を備えながら、低コストで広範な抵抗値の製品を取り揃えていることです。そのため、次のようなさまざまな用途で非常に汎用性の高い製品となっています。 オーディオ及びビジュアル機器 コンピュータと通信 航空宇宙、防衛、軍事 医療機器 RS Pro を選ぶ理由 RS PROはメーカー独自のブランドで、選択肢を増やすために、高品質で価値の高い製品を幅広く提供しています。世界中のエンジニアから信頼を得ており、すべての RS Pro 製品は厳しい業界標準に対して厳しくテストされています RS Pro の優れた品質が自信を持ってお届けできるの

RS Pro の Vitreous エナメル塗装調整式抵抗 RS Pro の調整可能抵抗器製品をご紹介します。さまざまな抵抗値で設定する必要がある用途に最適なソリューションです。この信頼性の高い巻線型抵抗器は、ホウロウ構造により簡単に取り付けられ耐久性が Durable になっているため、劣悪な条件や困難な条件が標準調整可能な抵抗器に影響を与える可能性のある幅広い環境での使用に適しています。 特長と利点: RS Pro の調整式抵抗器は、幅広い用途での抵抗管理に最適 この抵抗器は、ニッケルクロム巻線をいくつかのホウロウエナメル塗装で完全に保護しているため、信頼性の高い抵抗器を形成できるため、劣悪な条件に耐えることができます また、熱衝撃や熱漏れに対する特に優れた耐性があり、全温度範囲で高い絶縁耐性及び高い機械耐性を発揮します この調整可能なホウロウエナメル抵抗器には、 90 Watts ～ 750 Watts の範囲があり、選択したサイズのねじまたは「 Fast On 」端子に適した Terminal Tag が付属しています 取り付けブラケットが付属しています 用途: 可変巻線型抵抗器又は可変巻線型抵抗器は、電気回路の作業時に電気抵抗を削減、制限、及び調整するために使用される受動部品です。このタイプの抵抗器の主な利点は、高い精度と信頼性を備えながら、低コストで広範な抵抗値の製品を取り揃えていることです。そのため、次のようなさまざまな用途で非常に汎用性の高い製品となっています。 オーディオ及びビジュアル機器 コンピュータと通信 航空宇宙、防衛、軍事 医療機器 RS Pro を選ぶ理由 RS PROはメーカー独自のブランドで、選択肢を増やすために、高品質で価値の高い製品を幅広く提供しています。世界中のエンジニアから信頼を得ており、すべての RS Pro 製品は厳しい業界標準に対して厳しくテストされています RS Pro の優れた品質が自信を持ってお届けできるの

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。動作供給電圧 Max = 51 V。動作温度 Max = +150 ℃。動作供給電圧 Min = 42 V。動作温度 Min = -55 ℃。自動車規格 = AEC-Q100。NCV8402 は、 3 Terminal Protection を備えた 2 チャンネルのローサイドスマートディスクリートデバイスです。保護機能には、過電流、過熱、 ESD 、過電圧保護用のドレイン - ゲート間クランプの機能が内蔵されています。このデバイスは保護機能を備え、過酷な車載環境に適しています。短絡保護 自動再起動によるサーマルシャットダウン 誘導型スイッチング用の一体型クランプ ESD保護 dV/dt 耐久性 アナログドライブ機能(ロジックレベル入力) 工場及び変更管理を必要とする車載などの用途には先頭に「 NCV 」の文字を使用します 最終製品 自動車 用途 さまざまな抵抗負荷、誘導負荷、静電容量負荷を切り替えます 電気機械式リレーとディスクリート回路を交換可能 ランプドライバ リレードライバ

極数 6。行数 2。ピッチ 2.5mm。オス/メス メス。実装タイプ ケーブルマウント。シリーズ Dynamic 2000。併用可能製品 電線対基板コネクタ。接続方向 ストレート。長さ 8.9mm。幅 15.78mm。ハウジング材質 PET。. TE Connectivity DYNAMIC D-2100S D-2100D 2.5 mmタブ及びレセプタクルハウジング. Dynamic D-2100シリーズの2.5 mmタブとレセプタクルコネクタハウジングは、コンパクトで省スペースの設計になっています。D-2100Sバージョンは標準的な1列構成で、D-2100Dは2列構成になっています。D-2100コネクタハウジングは、コンタクトを所定の位置に固定し、かん合時の損傷を防止するロッキングランスを備えています。コンタクトがハウジング内に完全に固定されるとカチっと音がします。D-2100圧着ハウジングには、誤かん合を防止し、かん合時のハウジング間のずれや捩れを防ぐキーイングリブが付いています。ハウジング上面にセンターロックがあるので、確実にかん合接続できます。また、カチッと音がするので、かん合したことがわかります。このセンターロックは基板のスペースも節約するので、高密度実装が実現します。Dynamic D-2100コネクタハウジングの圧着レセプタクルとタブコンタクトは別売りです。. 特長と利点:. コンパクトな省スペース設計 しっかりとコンタクトを保持するロッキングランス 誤かん合を防ぐリブ センターロックラッチで、確実なかん合と基板スペースの節約 確実にかん合すると、クリック音が聞こえる 視覚的にかん合を確認できる取り付けライン. 用途:. これらのコネクタは、自動車業界で使用するように設計されています。具体的には、次のような用途があります ミラー マルチメディアアプリケーション 画面を表示します エアバッグ ECU /安全アプリケーション スイッチ ハンズフリースマートフォン エンジンイモビライザ ダッシュボード 安全用途 トランク LID ラッチの電気制御 タイヤ空気圧監視システム ボディコントローラの管理

抵抗 2.2kΩ。テクノロジー 薄膜。パッケージ/ケース 0805。許容差 ±1%。定格電力 0.125W。0805高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.33 W. パルス防止の高出力厚膜チップ抵抗器シリーズは、信頼性、安定性、高い出力定格、優れたパルス負荷性能が重要視される電力測定電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途には、車載機器のバッテリ管理システムなどがあります。. 特長. 優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応 はんだ付けプロセスを含む. 用途. 自動化 産業用

抵抗 15kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±1%。定格電力 0.5W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.33 W. パルス防止の高出力厚膜チップ抵抗器シリーズは、信頼性、安定性、高い出力定格、優れたパルス負荷性能が重要視される電力測定電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途には、車載機器のバッテリ管理システムなどがあります。. 特長. 優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応 はんだ付けプロセスを含む. 用途. 自動化 産業用

抵抗 1kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±1%。定格電力 0.5W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.33 W. パルス防止の高出力厚膜チップ抵抗器シリーズは、信頼性、安定性、高い出力定格、優れたパルス負荷性能が重要視される電力測定電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途には、車載機器のバッテリ管理システムなどがあります。. 特長. 優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応 はんだ付けプロセスを含む. 用途. 自動化 産業用

抵抗 560Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±1%。定格電力 0.5W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.33 W. パルス防止の高出力厚膜チップ抵抗器シリーズは、信頼性、安定性、高い出力定格、優れたパルス負荷性能が重要視される電力測定電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途には、車載機器のバッテリ管理システムなどがあります。. 特長. 優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応 はんだ付けプロセスを含む. 用途. 自動化 産業用