制御機器/はんだ・静電気対策用品 ：「安全管理」の検索結果

柔軟性のあるゴムバンドを採用。 金属アレルギーを起こしにくい素材※を使用しています。 ※金属アレルギーの原因・反応には個人差があるため、完全に防ぐことは困難です。 使用前にテストすることをお勧めします。 バナナプラグ、わに口クリップ兼用タイプ。 金属アレルギー解消!人体に接するところはすべて金属以外の素材を使用

照明の反射が少ないツヤ消し仕様。

安価で使いやすいリストストラップです。 手首にソフトにフィットする柔軟性のあるベルトを採用しています。 人体をつねに0電位に保ちます。

卓上サイズの導電性カラーマット。 フタル酸系4物質を含むRoHS規制10物質に対応。 既設の導電性カラーマット上に敷くことで汚れの防止にもなります。 ハサミやカッターで自分好みの形状にカットすることができます。 アースをとることで一時的な静電気対策スペースを確保できます。 作業スペース、対象物にあわせて選べる3サイズ。

フタル酸系4物質を含むRoHS規制10物質に対応。 壁面や扉に貼り、触れることで静電気の除去が可能。 導電性カラーマットを使用した静電気除去パッド。 機能が一目で分かる印刷付き。 EPAの入り口に設置することで静電気対策の意識付けに効果的です。 半分にカットし、2枚にして使用することもできます。

作業台に合わせてカットしやすい導電性カラーマット 棚板やセル台の幅に合わせた寸法のため、現場でカットする手間を最小限に抑えられます。 照明の反射が少ないツヤ消し仕様。

高耐久メタルタイプ。 リストバンドは高耐久なステンレス(SUS304)仕様。外周はキズに強いプラスチックコーティングによりデバイスからの放電を防止します。 金属アレルギーを起こしにくく、汗を吸わないので清潔です。 リストバンドは伸縮性があり長さ調節が可能。サイズ選定の必要がありません。また、毛を挟みにくい独自のバンド機構を採用。 洗浄もできるのでクリーンルームでの使用も可能です。

劣化接点出力対応劣化接点出力機能を搭載し、交換推奨時期およひ?劣化時期を遠隔監視することが可能です。 ※外部電源DC5Vが必要です(別売品 電源制御ユニット 形式：CS-205S) SPD機能表示付き交換推奨時期およひ?劣化時期にSPD機能表示LEDか?が点灯します。 ※外部電源DC5Vが必要です(別売品 電源制御ユニット 形式：CS-205S) 優れた高周波特性。 外部導体の特殊メッキ採用による高品質、高性能接触性能、高周波特性の向上と優れた耐候性。 確実な締め付け可能なカッフ?リンク?構造カッフ?リンク?ナットのスハ?ナか?け構造により工具を用い確実な締め付け管理が可能です。 RoHS規制物質対応

品質と価格のバランスがとれたリストストラップ。

400Wのウルトラパワー、高熱容量はんだこて 高熱容量ながら優れた操作性を実現 新設計のこて台と安全なこて先交換 ヒューマンエラーゼロの温度管理 オプションでN2はんだこてが接続可能(こて部を付属のFX-8004からN2はんだこて FX-8005に変更すると、N2はんだ付けができます。)

リストストラップの手元コードを足元へ。 足首に装着するタイプのストラップ。バックル式で着脱が簡単です。 リストストラップの代わりに使うことで、手元にコードがない自由な作業環境が得られます。 着座作業でも使用できます。

WindowsおよびLinux用リReal COM/TTYドライバをサポート 標準のTCP/IPインタフェースと多彩な動作モードをサポート 多数のデバイス・サーバの設定に便利なWindowsユーティリティをサポート すべてのシリアル信号に対応した15 KV ESD保護機能を内蔵 SNMP MIB-IIによるネットワーク管理をサポート TelnetまたはWebブラウザによる設定

バックルが直接肌に触れず、優しくフィット 抗菌・消臭機能をプラス 肌に触れるのがバンドのみのため、しっかりと装着しても手首に違和感が無く、バックルの跡形が残りません。 金属アレルギーを起こしにくい素材を使用しています。 バンドに織り込んだ消臭繊維が、バンドに染み付く汗のニオイを消し去ります※。 導電素材は菌の増殖を防ぐ効果があり、毎日気持ち良く装着いただけます。(定期的な洗濯で導電性能含め抗菌・消臭機能がさらに長持ちします。) ※ボーケン品質評価機構の消臭性試験で実証。(汗臭の原因となるアンモニア、酢酸、イソ吉草酸の臭気減少を確認。) ■1MΩの抵抗入り ■抗菌・消臭効果付き

照明の反射が少ないツヤ消し仕様。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 120 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.56mm。動作温度 Min = -65 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。高さ = 1.7mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

2つの素材による美しさと機能性が優れたケース

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 900 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.56mm。高さ = 1.6mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 690 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 6.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 180 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 9.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 185 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 6.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

本製品は、製品や管理ボックスへの収容に適した小型VPN ルーターです。さまざまな機器が混在するネットワーク環境において、ご利用の装置へAT-AR2010Vを組み合わせることで管理者とのVPNを構築し、管理者がデバイスとデータを安全に運用することができます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 130 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 0.9 nC @ 5 Vmm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 10 Vmm。高さ = 2.39mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

400Wのウルトラパワー、高熱容量はんだこて 高熱容量ながら優れた操作性を実現 新設計のこて台と安全なこて先交換 ヒューマンエラーゼロの温度管理 オプションでN2はんだこてが接続可能(こて部を付属のFX-8004からN2はんだこて FX-8005に変更すると、N2はんだ付けができます。)

抵抗 10mΩ。テクノロジー ニクロム。パッケージ/ケース 2818。許容差 ±1%。定格電力 7W。温度係数 ±75ppm/℃。シリーズ WSHM。動作温度 Min -65℃。動作温度 Max +170℃。2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

抵抗 100mΩ。テクノロジー ニクロム。パッケージ/ケース 2818。許容差 ±1%。定格電力 7W。温度係数 ±75ppm/℃。シリーズ WSHM。動作温度 Min -65℃。動作温度 Max +170℃。2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

タッチパネル等を用いた、データのビジュアル化を意識したデザインのプラスチックケース

抵抗 20mΩ。テクノロジー ニクロム。パッケージ/ケース 2818。許容差 ±1%。定格電力 7W。温度係数 ±75ppm/℃。シリーズ WSHM。動作温度 Min -65℃。動作温度 Max +170℃。2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

電力量計の集中管理をするのに適した集合計器盤キャビネット。水切、防塵・防水パッキン付。検針窓はオリーブ色でネームシールを付属しています。

タッチパネル等を用いた、データのビジュアル化を意識したデザインのプラスチックケースのパーツ

静電気による損傷から精密機器を保護。優れた技術仕様で、IBMおよび米国軍の静電気管理基準を超えた性能。静電気放散を確実にする最高品質の静電素材使用。伸縮性のあるリストバンド。1.8m アースコード付属。サービスアプリケーションに理想的

電力量計の集中管理をするのに適した屋外用集合計器盤キャビネット。水切、防塵・防水パッキン付。検針窓はオリーブ色でネームシールを付属しています。

電力量計の集中管理をするのに適した屋外用集合計器盤キャビネット。水切、防塵・防水パッキン付。検針窓はオリーブ色でネームシールを付属しています。

電力量計の集中管理をするのに適した屋外用集合計器盤キャビネット。水切、防塵・防水パッキン付。検針窓はオリーブ色でネームシールを付属しています。