絞り込み
ブランド
- IXYS
- MICROCHIP(603)
- onsemi(266)
- 東芝(167)
- HIROSE(ヒロセ電機)(167)
- TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))(61)
- CHINO(チノー)(53)
- シュナイダーエレクトリック(51)
- RS PRO(42)
- SIEMENS(26)
- WURTH ELEKTRONIK(22)
- TAIWAN SEMICONDUCTOR(20)
- ニチコン(18)
- KEMET(17)
- VISHAY(15)
- SCHURTER(13)
- TRACO POWER(10)
- Delphi(10)
- オムロンヘルスケア(9)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(11)
商品レビュー
- 以上(0)
- 以上(0)
- 以上(0)
- 以上(0)
価格
- 1,500円以下(2)
- 1,500-10,000円(9)
価格で絞り込む
出荷目安
- 当日
- 翌日以内
- 翌々日以内
- 3日以内
- 4日以内
当日・翌日以内・翌々日以内・3日以内・4日以内
その他
- 取扱い終了商品を除く
- 個人購入不可商品を除く
の全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 150 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピンIXYS￥3,298税込￥3,628
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)150最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.3kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 48 A スルーホール パッケージTO-264AA 3 ピンIXYS￥4,198税込￥4,618
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
高さ(mm)26.16ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)48最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲートしきい値電圧(V)4最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費500W
IXYS Nチャンネル IGBT 1200 V 200 A， 3-Pin TO-247 シングルIXYS￥3,298税込￥3,628
1個
5日以内出荷
IGBTディスクリート、IXYSXPTシリーズ.IXYSのXPT(TM)シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。.高電力密度及び低VCE(sat)逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成10μsの短絡耐量オン状態電圧の正温度係数オプションのSonic-FRD(TM)又はHiPerFRED(TM)ダイオード付属国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
寸法(mm)16.26×5.3×21.46ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大連続コレクタ電流(A)200最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプNトランジスタ構成シングルスイッチングスピード50kHz最大パワー消費1250W
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 200 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥4,498税込￥4,948
1個
6日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)200最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5最大ゲートしきい値電圧(V)5最小ゲートしきい値電圧(V)3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20最大パワー消費680W
IXYS Nチャンネル MOSFET1000 V 24 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥7,998税込￥8,798
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
シリーズHiperFETピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウント1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)24最大ドレイン-ソース間電圧(V)1000最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)390最大ゲートしきい値電圧(V)5.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費568000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 110 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,298税込￥1,428
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polarピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)110最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費480000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 115 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥4,798税込￥5,278
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)115最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ185nC@10V最大パワー消費700000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 75 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンIXYS￥789税込￥868
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polarピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)75最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25最大ゲートしきい値電圧(V)5.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ74nC@10V最大パワー消費360000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 70 A スルーホール パッケージISOPLUS247 3 ピンIXYS￥3,298税込￥3,628
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズPolarHiPerFETピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)70最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26最大ゲートしきい値電圧(V)5最小ゲートしきい値電圧(V)3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20最大パワー消費300W
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 94 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,898税込￥2,088
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3シリーズHiperFET，Polar3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)94最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 210 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピンIXYS￥4,598税込￥5,058
1個
12日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)210最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.89kW
『制御機器/はんだ・静電気対策用品』には他にこんなカテゴリがあります
- 制御機器
- はんだ関連・静電気対策用品
