制御機器 ：「1m 袋」の検索結果

標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 50nA寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、DDZ9シリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧範囲で厳格な精度要件を実現 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

アンプタイプ = 低電圧実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353電源タイプ = 単一電源回路数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 2.7 → 5.5 V標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz標準スルーレート = 1V/μs動作温度 Max = +85 ℃標準電圧ゲイン = 100 dB幅 = 1.35mmオペアンプ、最大供給電圧5 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 750 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 13V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.35mm標準電圧温度係数 = 7 → 11mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZT52シリーズ、Diodes Inc. ツェナーダイオード500 mW 表面実装ケース: SOD-123

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 270 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm高さ = 4.01mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 130 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 175 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 850 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 270 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm高さ = 4.01mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2パッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 600 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 700 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 500最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.8 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 140 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA寸法 = 4.77 x 2.41 x 4.01mmDiodes Inc ダーリントントランジスタ

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmデュアルPチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

電圧管理タイプ = マイクロプロセッサリセットモニタ管理数 = 1出力ドライバ = アクティブ ロー， プッシュプル実装タイプ = 表面実装msパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 3 x 1.4 x 1mm最大リセット閾値電圧 = 4.72V動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Min = -40 ℃Vマイクロプロセッサ監視 / リセット回路、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大パワー消費 = 700 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm高さ = 4.01mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -400 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1000 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mm高電圧トランジスタ、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 330 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm高さ = 1mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V最大パワー消費 = 750 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

DiodesZetex 高効率 40 V 車載グレードバック LED ドライバは、ヒステリシスモード DC/DC ステップダウン LED ドライバで、LED 電圧よりも高い電圧源から 1 つ又は複数の直列接続 LED を効率的に駆動するように設計されています。外部で調整可能な出力電流は、MSOP 8EP パッケージで最大 1.5 A です。スイッチング周波数: 最大1MHz LED 短絡保護

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 5000最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.25 V最大コレクタカットオフ電流 = 100nA寸法 = 4.77 x 2.41 x 4.01mmDiodes Inc ダーリントントランジスタ

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc