DiodesZetex Nチャンネル MOSFET30 V 5.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥29,980税込¥32,978
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チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 720 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET30 V 3.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥42,980税込¥47,278
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チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 1.08 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET30 V 4.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンDiodesZetex¥77,980税込¥85,778
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チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm高さ = 1.12mmNチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc
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