制御機器 ：「バイアス」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 250 mW。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 385 mW。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。標準抵抗比 = 0.047kΩ。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-563。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = デュアル。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ベースエミッタ抵抗器 = 10kΩ。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 → 32 V。動作温度 Min = 0 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。LM324、LM224、LM2902、NCV2902、シングル電源、クワッドオペアンプ、ON Semiconductor. 真の差動入力のON Semiconductor LM324 / LM224 / LM2902 / NCV2902クワッドオペアンプは、3 Vから32 Vまでの供給電圧で動作します。 コモンモード入力範囲には負の電源が含まれるため、多くのアプリケーションで外部バイアスコンポーネントが不要になります。 出力電圧範囲にも負の電源電圧が含まれます。. パッケージあたり4個のアンプ 短絡保護出力 真の差動入力段 シングル電源動作: 3 → 32 V 低入力バイアス電流: 100 nA最大(LM324A) 内部補償 入力のESDクランプにより、デバイスの動作に影響を与えることなく安定性が向上

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 2。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 3 → 32 V。動作温度 Max = +125 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4mm。LM258、LM358、LM2904、NCV2904、シングル電源、デュアルオペアンプ、ON Semiconductor. ON Semiconductor のデュアルオペアンプシリーズは鮮やかです。真の差動入力を備え、 3 → 32 V のシングル供給電圧で動作できます。このオペアンプには、静止電流( MC1741 の 5 分の 1 )など、他のシングルオペアンプと比べて多くの利点があります。ESD クランプは、すべての入力ピンにも取り付けられます。 コモンモード入力範囲に負電源が含まれているため、他の用途でコンポーネントのバイアスが不要になります。出力電圧には、負の電源電圧が含まれます。. 特長と利点:. シングル電源動作： 3V ～ 32V コモンモード範囲は負電源まで拡張されます シングルおよびスプリット電源動作 低入力バイアス電流 内部補償 真の差動入力段 入力に ESD クランプを装備. 用途:. インテグレータ コンパレータ 電圧クランプ 電流レギュレータ リニア電圧レギュレータ

出力電流 Max = 500mA。出力電圧 = 1.25 V。ラインレギュレーション = 0.04 mV/V。精度 = ±0.9%。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SO。基準電圧 = 1.26V。出力タイプ = 固定。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。NCP3334 は、高性能、低ドロップアウト( LDO )リニア電圧レギュレータです。ラインと負荷に対する +/-0.9 % の精度、超低静止電流とノイズにより、今日の家庭用電化製品に必要なすべての機能を搭載しています。このユニークなデバイスは、最小負荷電流要件なしで安定し、 1.0 μ F の小型コンデンサで安定します。NCP3334 は、逆バイアス保護機能を備えています。ライン及び負荷に対する高い精度(±0.9 % @ 25 ℃) 低ドロップアウト電圧： 340 mV (最大) @ 500 mA 38 μ Vrms の低ノイズ 低シャットダウン電流 (0.07 μ A) 逆バイアス保護 供給電圧範囲： 2.6 → 12 V サーマルシャットダウン保護 電流制限 安定性には 1.0 uF の出力静電容量のみが必要です MLCC を含むあらゆるタイプのコンデンサと安定します 安定性のための最小出力電流要件なし 鉛フリーデバイスです 用途 PCMCIAカード 携帯電話 カムコーダーとカメラ ネットワーキングシステム、DSL / ケーブルモデム ケーブルセットトップボックス MP3 / CDプレーヤー ディスプレイ及びモニタ

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 5 V。精度 = ±2.5%。極性 = 正。パッケージタイプ = T0-220。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。高さ = 15.75mm。幅 = 4.82mm。入力 - 出力電圧差<： 0.6 V @ 100 mA 出力電流は 100 mA 超です 低バイアス電流 60 V ロードダンプ保護 -50 V の逆過渡保護 サーマルシャットダウンによる内部電流制限 一時ミラー - イメージ保護 バッテリ駆動機器に最適です 2 つのオプションのリードフォームを備えた経済的な 5 リード TO-220 パッケージ 表面実装 SOP-8 、 D2PAK 、及び DPAK パッケージで提供されます 高精度( +/-2 % )リファレンス( LM2931AC )を用意しています 用途 消費者向けバッテリ駆動製品 ハンドヘルド機器 自動車

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 16 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 50%。最小電流伝送率 = 7%。シリーズ = 6N135。6N135M 、 6N136M 、 HCPL4503M 、 HCPL2530M 、 HCPL2531M オプトカプラは、高速光検出器トランジスタに光学的に結合された AlGaAs LED から構成されています。フォトダイオードのバイアス用に別々に接続することで、入力トランジスタのベース - コレクタ静電容量を低減することで、従来のフォトトランジスタオプトカプラよりも速度を桁違いに向上させています。HCPL4503M は、フォトトランジスタベースへの内部接続がないため、ノイズ耐性が向上しています。内部ノイズシールドにより、最高 50 、 000 V/ μ s の優れたコモンモード除去性能を発揮します。高速 - 1 MBit/s デュアルチャンネル： HCPL2530M 、 HCPL2531M CTR 保証温度： 0 → 70 ° C ベース接続なしでノイズ耐性を向上( HCPL4503M ) 最小 15，000 V/ μ s の優れた CMR (HCPL4503M) 最終製品 エネルギーの生成と分配 産業用モータ 無停電電源 用途 ラインレシーバ パルストランス交換 CMOS-TTL-TTL への出力インターフェイス 広帯域アナログカップリング