制御機器 ：「1m 袋」の検索結果

ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 8.51mm高さ = 2.6mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 V ac論理出力 = ありシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = シュミットトリガー最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SMT標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 10 mA絶縁電圧 = 4.17 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsシリーズ = H11LH11LXM シリーズは、ガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されている高速集積回路検出器を備えています。出力には、ノイズ耐性及びパルス整形用のヒステリシスを提供するシュミットトリガが組み込まれています。この検出器回路は、操作の簡素化に最適化されており、用途の柔軟性を最大限に高めるためにオープンコレクタ出力を採用しています。高データ転送速度、標準1 MHz (NRZ) ラッチアップや電圧範囲及び温度範囲全体にわたるオシロスコープを離してください。 マイクロプロセッサ対応ドライブ ロジック互換出力シンク： 16 mA @ 0.4 V (最大) オン / オフしきい値ヒステリシスを保証 幅広い電圧を供給でき、一般的なあらゆるロジックシステムに対応します 用途 家庭用電化製品 産業用モータ

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトライアックチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrmsシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 4170Vrms 交流シリーズ = MOC

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 4170 V ac論理出力 = ありシリーズ = MOC特殊機能 = 115 V ac電源、静的電源スイッチ、ゼロ電圧クロスのロジック制御を単純化オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs絶縁電圧 = 7.5 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsシリーズ = H11Lオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V幅 = 6.1mm高さ = 2.3mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35最大連続 順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション直径 = 1.91mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmPowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 7.3 A、8.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ， 21 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1600 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmPowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mm自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm高さ = 0.94mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

論理回路 = FXLP実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70ピン数 = 5寸法 = 2 x 1.25 x 1mm低レベル出力電流 Max = 2.6mA高レベル出力電流 Max = -2.6mA伝播遅延テスト条件 = 30pF動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1 V動作温度 Min = -40 ℃電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 37Ω最大逆漏れ電流 = 900nA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vシリーズ = MegaFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V長さ = 6.73mm高さ = 2.39mmMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm高さ = 0.94mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 4000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA幅 = 1.3mmダーリントントランジスタ、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 5 kVrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 50%最小電流伝送率 = 7%シリーズ = 6N1356N135M 、 6N136M 、 HCPL4503M 、 HCPL2530M 、 HCPL2531M オプトカプラは、高速光検出器トランジスタに光学的に結合された AlGaAs LED から構成されています。フォトダイオードのバイアス用に別々に接続することで、入力トランジスタのベース - コレクタ静電容量を低減することで、従来のフォトトランジスタオプトカプラよりも速度を桁違いに向上させています。HCPL4503M は、フォトトランジスタベースへの内部接続がないため、ノイズ耐性が向上しています。内部ノイズシールドにより、最高 50 、 000 V/ μ s の優れたコモンモード除去性能を発揮します。高速 - 1 MBit/s デュアルチャンネル： HCPL2530M 、 HCPL2531M CTR 保証温度： 0 → 70 ° C ベース接続なしでノイズ耐性を向上( HCPL4503M ) 最小 15，000 V/ μ s の優れた CMR (HCPL4503M) 最終製品 エネルギーの生成と分配 産業用モータ 無停電電源 用途 ラインレシーバ パルストランス交換 CMOS-TTL-TTL への出力インターフェイス 広帯域アナログカップリング

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアックチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrmsシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrmsシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrms最小電流伝送率 = 20%シリーズ = H11AAオプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3.2μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 2500 V ac標準降下時間 = 4.7μsシリーズ = MOCオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 Vrms論理出力 = ありシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3.2μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 2.5 kVrms最大電流変換率 = 200%標準降下時間 = 4.7μsシリーズ = MOCオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 69 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mm自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204AH最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 125Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 400ns直径 = 1.91mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm高さ = 0.94mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

標準ツェナー電圧 = 3.9V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 3 Wパッケージタイプ = SMBツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 96.1mA最大ツェナーインピーダンス = 7.5Ω最大逆漏れ電流 = 25μA寸法 = 4.32 x 3.56 x 2.13mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.6 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmPowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 107 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 38 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 3000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.56mm動作温度 Min = -65 ℃mm拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 3000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.56mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 12.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 105 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1600 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3mm高さ = 1mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.1mm高さ = 2.3mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。