研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
製造方法CZ法
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1~100Ω・cm
製造方法CZ法
位置【OF】110
方位【面】100
ベアシリコンウェハから半導体素子ができるまでの過程を体感できるセット内容です。教育現場での半導体についての説明などにご利用ください。
用途教育用
セット内容ベアウェハ(12インチ)、膜付きウェハ(12インチ) 、パターン付きウェハ(20mm角)、半導体素子(ダイオード/トランジスタ)
種類セット品
1セット
¥15,980
税込¥17,578
5日以内出荷
材質セミプラスト(R)P(PP)
寸法(mm)125.5×142.24×114.3
収納数25枚
アズワン品番7-177-07
適合ウェハー寸法(Φmm)100
1個
¥2,910
税込¥3,201
当日出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
進化を続ける半導体産業の基盤であるウエハをクリーンかつ安全に輸送する容器です。有機無機の汚染やパーティクルの発生がきわめて少なく、振動・衝撃にも強いです。サンプルキープ用としても活躍します。
材質ポリカーボネート、エラストマー
タイプ枚葉タイプ
ウェハーの出荷・保管用の容器です。ウェハーの表を下にして収納します。
ポケットの底は円錘状でウェハーエッジのみ接触します。スプリングでウェハーを固定します。
トレー同士またはトレーとカバーの積み重ねが可能で、トレーは互いに固定して積み重ねることもできます。
オールポリプロピレン製。
材質ナチュラルPP(ポリプロピレン)
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ6インチ
直径(Φmm)150±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)625±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
¥7,998
税込¥8,798
当日出荷
進化を続ける半導体産業の基盤であるウェハをクリーンかつ安全に輸送する容器です。有機無機の汚染やパーティクルの発生がきわめて少なく、振動・衝撃にも強いです。低有機汚染性能を追求したモデルです。
材質ポリカーボネート、エラストマー
収納枚数(枚)25
普通のピンセットでは取扱いにくい半導体・ウエハーや、雲母のような薄く壊れやすい物の移動やピックアップに適します。材質クロモスチール(硬度390VCおよび40RC)。エレクトリック関係パーツに適するようすべて非磁性。耐酸性で長寿命。スベリ止めに、ハンドル部にキザグリップをつけてあります。
取り出しやすく、積み重ねもできます。
材質透明PC(ポリカーボネート)
使用済みシリコンウェハを再生加工して、再度プロセスに使用できるレベルにまで再生したシリコンウェハです。実験用、教育用など様々な用途に、少量からご提供します。
用途製造プロセス用、研究開発用、実験用、教育用
抵抗値1-100Ω・cm
仕様パーティクル:不問
アウトガスを極力抑え、低有機汚染性を実現します。
独自のクッション構造により、落下・輸送・振動に強い構造となっております。
気密性に優れています。
収納数25枚
進化を続ける半導体産業の基盤であるウェハをクリーンかつ安全に輸送する容器です。有機無機の汚染やパーティクルの発生がきわめて少なく、振動・衝撃にも強いです。サンプルキープ用としても活躍します。
材質ポリカーボネート、エラストマー
材質(ハンドル)ステンレス(SUS316L)
材質(先端)PEEK(ポリエーテルエーテルケトン
耐熱温度(℃)350[瞬時]、180[常時]
タイプウェハ用制電タイプ
フタ・本体間の遮断を2重化し、パーティクルの進入を防止します。
主要部分には導電化材料を使用しています。
本体とトップフランジ部の取り付け部分を補強しています。
寸法D1(mm)44
アズワン品番2-5136-01
収納枚数(枚)26
溝ピッチ(mm)10
ウェハー径(Φmm)300
1個
¥151,200
税込¥166,320
63日以内出荷
耐薬品性・耐久性に優れ、強く丈夫です。
全長(mm)130
材質PEEK・CF(ポリエーテルエーテルケトン)カーボンファイバー補強
耐熱温度(℃)260~300
装置テスト用(成膜・レジスト・フォトリソ・エッチングの条件出し評価、パーティクル測定、搬送評価など)
仕様(パーティクル)0.3μm≦20、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ6インチ
直径(Φmm)150±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)625±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1箱(25枚)
¥109,800
税込¥120,780
当日出荷
粘着を利用した微小物ピックアップツールです。ピンセットのように挟まずに微小物を取り上げ、任意の場所で放すことがサイドノック式ボタン一つの操作で簡単にできます。顕微鏡下でのピックアップにも適しており、あらゆるシーンで活躍するでしょう。
挟まず、吸引もしない。”粘着式”という全く新しいピンセット
粘着剤が対象物に付きにくく、高温にも耐えられる特殊粘着剤を使用
用途微小:半導体・電子部品など製品にストレスを与えられない製造工程や部品・製品
微細:ワイヤー、特殊針などの金属線やプラスチック線を扱う作業・検査工程
微薄:センサー用薄膜、シリコンウェハー、ハードディスクヘッド部品の検査工程
異型:スプリングなど精密部品の組み立て工程
傷・欠け:光学部品やガラス類などの取り扱い
異物:生産ライン上でのホコリの除去や種子の選別などの異物除去工程
使用可能回数20000回~30000回
シリコンウェハー向けに開発され、アルミベースフィルムにポリイミドフィルム膜カバーが施され印刷インクが飛散しないようにフィルム内側に印刷しています。
一度発色すると元に戻らない不可逆タイプ
ワックスの物性変化を利用した製品で、鉛・水銀・クロム等の環境負荷物質を含みません。
用途シリコンウェハー・半導体製造装置・配電盤・電子機器
温度精度±2℃
タキゲンコード24251
1個
¥9,730
税込¥10,703
4日以内出荷
半導体ウェハーのマーカなどのアライメントに使用する微小角調整用の自動回転ステージです。
純水精密洗浄用ハンドスプレーです。
オイルフリーですので、油分流出の心配がありません。
純水対応ですので、金属イオンの溶出や錆の心配がありません。
プラスチック部品はPP樹脂、シール材はフッ素ゴムを使用しています。
半導体シリコンウェハーや、ガラス基板洗浄装置の槽内洗浄などに多く使用されています。
耐酸性で長寿命です。エレクトリック関係パーツに適するようすべて非磁性です。使いやすくするために滑り止めや、ハンドル部にギザグリップを付けてあります。クラス100で表面洗浄、クリーンパック。用途:普通のピンセットでは取り扱いにくいもの、半導体ウェハーや、雲母のような薄く壊れやすい物の移動やピックアップに。
材質クロームスチール(硬度390VC及び40RC)
寸法D(mm)-
寸法E(mm)-
半導体工業におけるウェハーへのパターン焼付けに最適です。ガラス内面に500nm以下の波長成分をほぼ完全にカットする黄色フィルタ層を設け、その上に蛍光体を塗布した構造になっています。ランプ外面全面に透明の熱収縮性プラスチックフィルムを密着加工した飛散防止形です。定格出力と高出力の2通りの使用法ができます。※このランプは「Hfランプ専用」の表示のある器具で、必ずご使用ください。※一般器具では、不点灯、異常放電、短寿命、チラツキなどの原因となることがありますので、使用しないでください。※高温では、明るさの低下が大きいため(特に高出力時)、器具の放熱には充分にご注意ください。
用途半導体用
種別32W形
色純黄色
種類直管蛍光灯
点灯形Hf器具専用
定格ランプ電力(W)32
電流(A)0.255(高出力時:0.425)
管径(Φmm)25.5
管長(mm)1198
光色純黄色
電球の種類蛍光ランプ
1箱(25本)
¥139,800
税込¥153,780
欠品中
高真空対応、低アウトガスタッチスイッチ[GNシリーズ]は、真空環境で問題となるアウトガスを極力排出しない優れた性能を誇ります。
GNシリーズは、アウトガスの発生がない部品を使用し、10-5Paの高真空環境まで対応可能です。
クリーンルームで製造を行い、コンタミネーション対策を徹底しているため、半導体製造ラインなどでも多く採用されています。
アウトガスの少ない材質と接着剤を使用し、高真空環境専用の位置決めスイッチとして最適です。
高真空度クラス 10-5Pa 対応
低アウトガス対応の材質・接着剤・コード使用
用途アウトガス対策された材料で構成され、120℃までの温度に耐えることが可能です。
また、構成上、油やグリースなどは使用していません。
あらゆる生産設備や工作機械、ロボットの高精度な位置決めやワークや治具の有無検出などにご利用いただけます。
マイクロスイッチやリミットスイッチの置き換えとして採用実績多数
半導体製造装置
半導体ウェハーの有無検出(真空チャンバー内)
ガラス基板の位置決め(真空成膜装置、太陽光発電(PV)真空装置)
ガラス基板のアライメントやマスクのトレイ着座検出、キャリアの原点出し(FPD向け真空成膜装置)
人工衛星など航空宇宙関連設備でも採用実績
仕様当て方:直進
ストローク(mm)1.5(全体の動き)
タイプ外形:ネジ径
ねじピッチM5×0.5
使用温度範囲(℃)0~120 (氷結ないこと)
ケーブル長(m)0.5
材質(ケース)SUS304
寿命接点精度:300万回
ケーブルPTFEバラ線、AWG30相当
繰返し精度(μm)3
LEDLED無し
振動10~55Hz 複振幅1.5 X、Y、Z各方向
接触力0.5N
外径(mm)5
コンタクト形状端面 SR2
RoHS指令(10物質対応)対応
軸受種類メタル軸受け
関連資料製品カタログ(0.68MB) 位置決め タッチスイッチの選び方と用語を徹底解説(1.23MB) マイクロスイッチで失敗しないために絶対知っておきたい事(3.07MB) タッチスイッチ製品の「精度」を徹底比較(2.17MB) 導入事例(2.8MB) センサ改善事例(3.39MB)
取扱説明書(0.9MB)
IP等級IP40
ケーブル形状ストレート
ケーブルタイプバラ線
接点定格DC5V~DC24V 定常電流10mA以下(突入電流 20mA以下) LED付の場合、LEDに10mA以上の電流が流れないよう電流制限が必要です。
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●6インチLNウェハ●結晶方位:Y127°●厚み:350±25μm●面状態:両面ポリッシュ●数量:1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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