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高耐圧のPN接合型整流素子です。チップ構造についてメーカー独自の化学的物理的に安定したガラスパッシベーションを使用しており、耐湿性、耐熱性に優れた構造です。

各種電装品のプラス・マイナス配線の逆接続保護

小型DIPパッケージ

定電流ダイオードCRD(Current Regulative Diode)は、小型で、安定した定電流特性を 供給する素子です。 定電流ダイオードCRD Eシリーズは、DO-35 スタイルのDHD(Double Heatsink Diode)構造です。 気密封止で高信頼性、部品材料が安価で量産性に優れている。DO35(300mW)パッケージを使用した小型素子。 これにより、定格電流20mAの高輝度LEDの輝度安定用として定格電流を超えない 一定電流を単一の部品で供給することが可能です。

電流の逆流や回り込みの防止。 各種電装品のプラス ・マイナス配線の逆接続の保護にご使用頂けます。

逆回復特性が向上した高耐圧のPN接合型高速整流素子です。

Vishay P600シリーズは、P600エポキシパッケージの汎用プラスチック整流器シリーズです。 これらの製品は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの汎用的な整流向けに設計されています。

CRD(定電流ダイオード)付きなので、4.5～24Vの電源をつなぐだけで簡単にランプが点灯。

世界最速DMMエンジン搭載。即答応答スピード約0.6秒。確かな測定、真の実効値測定が出来ます。使用者の安全を第一に設計。耐衝撃設計、安心の3年保証。暗所での作業もバックライト付きで目視できます。インバータ装置の測定にローパスフィルタ630Hzで高周波カット。赤色画面で過負荷警告。内部メモリ搭載(400データ保存可能)。オプションの通信パッケージDT-4900-01使用でパソコンデータ転送できます。6A、10Aレンジ、コンタクタンス測定搭載で多様な測定を求める方向けです。

KT150シングルプリメインアンプ。高出力が得られるKT150真空管を片チャンネルに1本ずつ搭載したA級シングル回路で、様々なスピーカーをしっかりドライブする出力18W+18W(8Ω)を実現しています。電源部は大型トロイダル電源トランスとレスポンスが早く損失が少ないSiCショットキーバリアダイオードの整流回路を組み合わせて、安定かつ強力な電源供給を可能としています。シャーシ天面にはバイアスメーターとバイアス調整ボリュームを装備しており、メーターを確認しながら簡単にバイアス調整ができます。付属リモコンはアルミ削り出しの重量感あるリモコンで、音量調整、ミュート、入力切換の操作が可能です。入力はLINE入力3系統の他にフォノイコライザーを搭載したPHONO入力(MM型対応)も備えており、アナログレコードプレーヤーも接続できます。

本書は、電子回路を初めて学ぶ方々を想定して、回路理論の基礎からアナログ回路の設計技術までを、効率的に学習できるように解説したものである。1 電子回路の考え方2 信号と素子の扱い方3 ダイオードと整流4 トランジスタと増幅5 電子回路の基礎概念6 オペアンプの動作と基本回路7 オペアンプの特性と応用回路8 電子回路補説

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 128 m Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 259 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 300 mW， 360 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.25mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1.6 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V。最大パワー消費 = 2000 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 114 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 2mm。高さ = 0.75mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 82 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 1.6 W、2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.9mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

電子ブロックシステムによる電子回路基礎実験器は段階的実験方法を取り入れた基礎的な実験教材です。簡単なパイロットランプの点灯実験からトランジスタのスイッチ作用の実験を通して学習できるように設計されています。実験ではデジタルテスターを用いていますが、アナログテスターをご使用の場合は読み替えてください。実験には半田付け作業や特別な器具を必要としないので能率的な学習ができます。

ブリッジタイプ = 単相A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 44。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 63A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 17.5 x 6.8 x 15mm。幅 = 6.8mm。Vishay 2KBP シリーズブリッジ整流器です. フルブリッジとして接続された 4 つのシングルダイオードで構成される 2 A 単相密閉型ブリッジ整流器です。産業用及び家庭用機器での一般的な用途を想定しています。. プリント回路基板の取り付けに適しています コンパクトな構造 高サージ電流に対応

ピーク平均順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = D 44。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 63A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 17.5mm。幅 = 6.8mm。Vishay 2KBP シリーズブリッジ整流器です. フルブリッジとして接続された 4 つのシングルダイオードで構成される 2 A 単相密閉型ブリッジ整流器です。産業用及び家庭用機器での一般的な用途を想定しています。. プリント回路基板の取り付けに適しています コンパクトな構造 高サージ電流に対応